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公开(公告)号：CN103266352B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310163296.4
申请日：2013-05-06
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先，采用等离子增强型化学气相沉积法，在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜，通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例，在薄膜内部引入不同含量的结晶成分；随后，将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时，薄膜内的非晶成分逐渐晶化，最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中，由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分，固相晶化过程中不需要形核，有效降低了薄膜的晶化温度，缩短了晶化所需时间。
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公开(公告)号：CN104028285A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410210334.1
申请日：2014-05-17
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： B01J27/04
摘要： Cu2ZnSnS4/La2Ti2O7异质结光催化复合材料的制备方法属于光催化复合材料领域。该复合材料是采用水热法，通过原位生长的过程制备的。首先以La(NO3)3·6H2O和Ti(SO4)2为原料水热法制备出La2Ti2O7纳米片，再将CuCl2、ZnCl2、SnCl2、硫代乙酰胺按2:1:1:8的比例依次加入容有La2Ti2O7的乙二醇中，经过搅拌和超声，转入水热釜高压加热后，得到CZTS/La2Ti2O7复合物。CZTS均匀地分散生长在La2Ti2O7的表面，二者的良好结合有利于光生载流子更好地分离。通过半导体的复合，不但拓展了单一半导体的光响应范围，而且由于不同带隙半导体间光生载流子的输运与分离，抑制了光生电子－空穴对的复合，从而提高了复合半导体催化剂的光催化活性。
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公开(公告)号：CN103928569A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410140916.7
申请日：2014-04-10
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02628
摘要： 本发明涉及一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法，包括如下步骤：（a）空气条件下稳定的前躯体溶液制备（b）采用旋涂法制备前躯体薄膜（c）干燥（d）旋涂多次、干燥（e）最后退火处理。本发明不需要使用昂贵的原材料和设备，采用二甲基亚砜这种易挥发，低碳有机物作为溶剂，可以克服以往铜锌锡硫纳米晶墨水合成过程中碳，氧元素的引入。各工艺步骤的控制性好，有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的吸收层薄膜，其工艺简单，可重复性强，易实现大规模生产。本发明中配制稳定的前躯体溶液所采用的试剂物化性质稳定，为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路，可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。
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公开(公告)号：CN103923515A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410140917.1
申请日：2014-04-10
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C09D11/00
摘要： 本发明公开了一种可用于制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的墨水的配制方法。该墨水是以二甲基亚砜作为溶剂配制的，墨水中包含铜、锌、锡、硫四种元素，墨水的配制包括如下步骤：首先将一定比例的氯化铜、氯化锌、氯化锡分别溶入二甲基亚砜中；然后将上述三种溶液混合到一起并加入一定量的硫代乙酰胺；最后向上述溶液逐滴滴加乙醇胺，溶液变为黑色时停止滴加，最终配得稳定的墨水。本发明配制的墨水比较稳定，不需要使用昂贵的原材料，可以用于制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜，为发展绿色环保、低成本、高转换效率的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池技术提供新思路，可促进Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池产业化快速发展。
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公开(公告)号：CN103903851A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410135609.X
申请日：2014-04-04
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种制备耐腐蚀钕铁硼永磁体的方法，属于稀土磁性材料领域。将钕铁硼粉末除油、酸洗、活化、置于镀液中进行化学镀，然后干燥、磁场中取向成型初压、煅烧，即可。本发明方法制备的钕铁硼永磁体耐腐蚀性能强，表层的破损不影响其整体耐腐蚀性能，并具有很高的剩磁Br、矫顽力Hc和很大的磁能积BH。
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公开(公告)号：CN103102154B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310042848.6
申请日：2013-02-03
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C04B35/475 , C04B35/622
摘要： Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3–BiMg0.5Ti0.5O3无铅压电陶瓷材料，涉及一类多元体系无铅压电陶瓷化合物，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。本发明提供的组合物可用通式xBi0.5Na0.5TiO3-yBaTiO3-zBiMg0.5Ti0.5O3表示,其中x，y，z的取值范围由图示三元相图的阴影区域所示(该区域包括边界线）。该无铅压电陶瓷组合中还可含有氧化物Bi2O3，其含量为组合物中Bi离子含量的1%。该体系矫顽场在20-40kV/cm之间随着三元体系组分的变化而改变，压电系数d33和机电耦合系数Kp在可极化的组分范围内随着y值的增大而增大，d33从100-170pC/N不等，而Kp从0.1-0.3不等。陶瓷退极化温度在80-120°C之间随着y值的增大而略有减小。
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公开(公告)号：CN102874870B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210404477.7
申请日：2012-10-22
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种低温制备LaAlO3-BiAlO3雪花状纳米粉体的方法，属电子陶瓷领域。采用摩尔比为x：（1-x）：1：6的Bi(NO3)3·5H2O、La(NO3)3·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、NaOH为原料，通过混料球磨、烘干、350～700℃下预烧2-6h、洗涤等即可。本发明利用熔盐化学法于较低温度制备出陶瓷粉体的同时，使其粉体颗粒尺寸更均匀，并呈现独特的雪花状纳米形貌。
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公开(公告)号：CN102674435B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210144130.3
申请日：2012-05-10
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种铜锌锡硫纳米晶的溶剂热合成方法属于功能纳米材料的制备技术领域。本发明在较低的温度范围内，使用吡啶作为溶剂，可以克服以往铜锌锡硫纳米晶合成过程中碳，氧元素的引入。本发明步骤：称取一定量的氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺，其摩尔比为2:1:1:5;在吡啶中依次加入氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺，持续搅拌溶液，搅拌均匀后，将溶液移入密闭反应釜中；放在130-140℃的烘箱中加热15h-20h，之后随炉冷却至室温；取出粉体，依次用乙醇和蒸馏水离心；之后在真空烘箱中烘干；即制得铜锌锡硫纳米晶。该方法工艺简单，无氧低碳，成本低廉，具有大规模生产的潜力。
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