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公开(公告)号：CN106483441A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610843020.4
申请日：2016-09-22
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型；在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布；依据耦合热应力后的有限元模型，仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布；测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布；确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比，本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。
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公开(公告)号：CN105806887A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610258586.0
申请日：2016-04-22
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国网浙江省电力公司 , 华北电力大学
CPC分类号： G01N25/20 , G01R1/0425 , G01R31/2601
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数值结压降Vce与结温Tj的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(direct)(t)；绘制器件壳表面与散热基板间添加金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(metal)(t)；绘制瞬态热阻抗分离点曲线；确定器件结壳热阻，测量方法所用的夹具包括有基板、立柱、压力施加装置和压力均布装置。本发明提供的技术方案消除了因热电偶带来的所有测量误差，配套的测量夹具也相对比较简单，提高了测量方便性和测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN105552037A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510960380.8
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。
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公开(公告)号：CN105489645A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
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公开(公告)号：CN105470291A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510959202.3
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/66325
摘要： 本发明提供一种改进的压接式IGBT器件，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有IGBT功率子模块；所述IGBT功率子模块包括栅极信号输入端和栅极信号输出端；所述栅极信号输入端和平行于所述下端金属电极的栅极PCB板电气相连；所述栅极信号输出端和平行于所述下端金属电极的辅助发射极PCB板电气相连。本发明提供的技术方案降低了辅助发射极回路的杂散电感和杂散电容，提高了压接式IGBT器件中每个IGBT功率子模块驱动回路参数的一致性，降低了IGBT功率子模块之间发生电流震荡的危险。
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公开(公告)号：CN103176103B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310084622.2
申请日：2013-03-15
申请人： 华北电力大学
CPC分类号： Y04S10/522
摘要： 本发明涉及一种架空配电线路单相接地故障定位方法，属于电力系统故障技术领域。是一种基于空间磁场波形特性的架空配电线路单相接地故障定位方法。摆放故障指示器；当线路中发生大电流（≧7A）故障时，故障指示器动作，正确定位故障；当线路中发生小电流（﹤7A）故障时，故障指示器不动作，从分支点断开故障支路，在变电站注入单峰脉冲信号；携带移动测量装置使用到达时差法定位故障。本发明提供一种具有较高准确性，可用于指导解决架空配电线路单相接地故障定位问题的方法。在电力系统故障检测技术领域具有重要应用。
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公开(公告)号：CN101216523A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710185685.1
申请日：2007-12-28
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 一种变电站接地网缺陷诊断方法，属电力技术领域，用于解决地网缺陷诊断问题。其技术方案是，首先在变电站接地网的两下引导体之间接入异频的正弦波激励源，直接注入激励电流，同时利用探测线圈将注入电流在地表激发的磁感应强度信号转变为感应电压信号，测量磁感应强度在地表的分布，并仿真计算接地网正常情况下的地表磁感应强度分布，然后将测量结果与仿真计算结果进行比较，根据两者的差异，诊断接地网腐蚀变细或断裂缺陷的具体位置和程度。本发明操作简便，可在变电站正常运行的情况下，快速、准确地对接地网网格导体缺陷进行诊断，能满足实际现场的测量与诊断要求。
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公开(公告)号：CN113659967B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110969945.4
申请日：2021-08-23
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/687
摘要： 用于优化碳化硅MOSFET开关特性的驱动电路及方法，包括输入单元、隔离单元、驱动单元、电感单元、连接单元和保护单元，所述输入单元的电压信号和脉冲信号经过隔离单元的隔离和电平转换后输入到驱动单元；所述驱动单元通过接收脉冲信号完成对电压信号的切换，经连接单元向碳化硅MOSFET施加正负驱动电压；所述电感单元采用带螺纹的软磁铁氧体，通过旋转改变软磁铁氧体在线圈中的位置，改变线圈的磁导率，进而改变线圈的电感值，最终实现驱动回路总寄生电感值的调整。
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公开(公告)号：CN109671686B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910084700.6
申请日：2019-01-29
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本发明的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。
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