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公开(公告)号：CN105911447A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610258361.5
申请日：2016-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网浙江省电力公司 , 华北电力大学
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R1/0425
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数与结温的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线；对瞬态热阻抗曲线进行数值运算得到器件的积分结构函数和微分结构函数；对照积分结构函数和微分结构函数，求取接触热阻值。测试夹具由三块水平方向基板和两根竖直方向立柱组成；在上基板和中基板间纵向对称设有绝缘板和散热基板；在中基板和下基板间依次安装有压力均布装置、传感器、压力维持板和压力施加装置；本发明提供的测量方法消除了因热电偶带来的测量误差，测量结果真实可靠，测量方法简便高效。
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公开(公告)号：CN105806887A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610258586.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网浙江省电力公司 , 华北电力大学
CPC classification number: G01N25/20 , G01R1/0425 , G01R31/2601
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数值结压降Vce与结温Tj的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(direct)(t)；绘制器件壳表面与散热基板间添加金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(metal)(t)；绘制瞬态热阻抗分离点曲线；确定器件结壳热阻，测量方法所用的夹具包括有基板、立柱、压力施加装置和压力均布装置。本发明提供的技术方案消除了因热电偶带来的所有测量误差，配套的测量夹具也相对比较简单，提高了测量方便性和测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN113092979B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110409385.7
申请日：2021-04-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MMC工况功率半导体器件测试电路及控制方法。测试电路中电流模块包括：电压源和多个并联的H桥变换器单元；H桥变换器单元与电压源串联；H桥变换器单元包括：第一二极管、第一电容、H桥变换器及两个桥臂电感；电压源的正极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第一电容的一端及H桥变换器的两个桥臂的输入端连接，H桥变换器的两个桥臂的输出端及第一电容的另一端与电压源的负极连接；桥臂中点连接一桥臂电感，两桥臂电感之间串联被测功率半导体器件；电压模块串联在两桥臂电感之间的电流回路；电流控制模块与电流源模块及电压模块连接；电压控制模块与电压模块连接。本发明提高了MMC工况功率半导体器件测试系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112946451A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110202180.1
申请日：2021-02-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括：驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路，每个试验电路中都有IGBT器件，两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后，通过电感和电容的谐振作用，使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点，在IGBT完成一个试验周期后，电容的极性发生改变，在IGBT关断后，只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压，满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法，能够对IGBT器件进行可靠性评估，避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
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公开(公告)号：CN111487515B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010315877.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压接式功率器件静态特性测量系统，包括由水平方向的构件和设置于竖直方向的立柱组成的框架，压力施加装置，温度施加装置。本静态特性测量装置在测试夹具中引入开尔文测试方法，排除引线的测量误差，压力施加装置与框架点接触，能够降低压力施加装置的加工需求，利用箱体进行被测器件的温度控制，在加热或降温过程中可以实现被测器件的均匀温度控制，且可以实时准确测量被测器件的温度，非常适用于不同温度和不同压力下的压接型器件静态特性的准确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111487520A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN110133472B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910481839.4
申请日：2019-06-04
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/265 , G01R31/27
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片的非接触式工作参数测量方法。所述测量方法首先利用双脉冲测试电路的仿真模型确定表示IGBT芯片的工作参数与IGBT芯片工作过程中产生的PETT振荡信号关系的拟合函数，然后利用所述双脉冲测试电路，获取不同的工作参数的实际值对应的PETT振荡信号参数的实际值，得到测试数据，根据测试数据确定拟合函数中的待定系数，得到拟合函数模型；然后采用天线获取IGBT芯片实际工作过程中产生的PETT振荡信号，并根据所述函数模型和实际工作过程中产生的PETT振荡信号，获取IGBT芯片实际工作过程的工作参数，实现了IGBT芯片的非接触式测量，进而实现了高压电力系统换流阀和断路器等中的IGBT芯片的工作参数的实时在线监测。
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公开(公告)号：CN107544005A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710591993.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供了一种高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法和装置，对高压IGBT的局部放电电流进行预筛选得到局部放电脉冲；然后对预筛选出的局部放电脉冲进行计数，并提取局部放电脉冲的电流幅值；最后根据局部放电脉冲的电流幅值得到局部放电脉冲的时域参数。本发明根据本发明提供的高压IGBT局部放电电流时域参数的确定方法得到的局部放电脉冲的时域参数能够灵敏地对高压IGBT设计和制造过程中的绝缘缺陷进行检测和辨识；且本发明在不对测试获得的大量原始数据进行降噪预处理的条件下，准确且快速地提取局部放电电流中局部放电脉冲的时域参数，进而获得高压IGBT中的绝缘缺陷的局部放电模式。
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公开(公告)号：CN114019216B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111282131.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统，利用能够集成在弹性压接IGBT器件内部的PCB板作为测量系统的载体，PCB板上开设有多个矩形开孔，每个矩形开孔周围设置一个矩形罗氏线圈，碟簧从矩形开孔中穿过，使用矩形罗氏线圈作为测量探头测量单个芯片的电流，实现弹性压接IGBT器件内部各芯片电流的在线测量；矩形罗氏线圈包括多个依次紧密排布的矩形单匝线圈，多个矩形单匝线圈均斜向布置在矩形开孔周围，使得矩形线圈有更均匀的绕线密度，提高了测量准确度和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN111487520B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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