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公开(公告)号：CN113328007A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110623694.4
申请日：2021-06-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n‑i‑p型极深紫外探测器及其制备方法，该探测器包括从下到上依次相接的衬底、p型SiC高掺外延层、p型SiC低掺外延层、n型SiC超薄高掺外延层和n型欧姆接触电极，p型SiC高掺外延层上设有p型欧姆接触电极，n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极上均设有金属导电电极，n型SiC超薄高掺外延层的厚度不大于30nm。本发明有效规避了传统p‑i‑n结构常规紫外探测器在应用于EUV波段探测时所发生的EUV光子在表面高掺杂p型层中的强吸收，有效提升了EUV波段探测器的量子效率；同时有效规避了肖特基结EUV探测器在应用于高能光子辐照以及高温环境中时存在于辐照稳定性以及温度稳定性方面的风险。
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公开(公告)号：CN111613527A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010428472.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法，包括对GaN材料进行Mg离子注入与高温退火。采用与硅工艺兼容的Mg离子注入与高温退火工艺过程，并结合氮化镓表面保护层的应用，在高温激活Mg受主杂质并修复氮化镓晶格的同时，保护氮化镓表面不被分解，实现氮化镓p型掺杂；所述离子注入过程中引入的第一保护层为氮化铝、铝镓氮、氮化镁、氧化镁、氮化硅中的一种或二种以上多层复合介质，淀积方式为金属有机化合物化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积中的至少一种。
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公开(公告)号：CN107611193B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710801393.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型n‑i‑p‑n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法。本申请碳化硅雪崩二极管，为n‑i‑p‑n结构，从下到上依次包括：下金属接触电极、n型导电SiC衬底、p型SiC接触层、i型SiC雪崩层、n型SiC过渡层、n+型SiC接触层和上金属接触电极，其中，n型SiC过渡层和n+型SiC接触层形成下大上小的台面状，n型SiC过渡层的下表面面积小于i型SiC雪崩层上表面面积，n型SiC过渡层的外围、n+型SiC接触层的外围、及没有被n型SiC过渡层覆盖的i型SiC雪崩层的上表面均设有钝化层。本发明减小了刻蚀损伤，提高了器件性价比；器件可以采用质量更好的n型欧姆接触；提高了器件工作效率，降低了雪崩噪声，减少了引出导线数量，降低了器件成本。
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公开(公告)号：CN105426837A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510793478.9
申请日：2015-11-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 移动网络视觉雾霾检测系统，包括移动终端检测点和雾霾数据分析系统，其中移动终端检测点包含图像采集模块、交互式标定模块、摄像机成像坐标转换模块、能见度检测模块、移动终端GPRS通信模块。移动Internet是将移动互联网与雾霾检测系统的手段结合，计算出该检测点的位置和能见度信息，供各服务器进一步进行数据分析与信息处理，从原始数据中深入挖掘，提供雾霾区域分布、动态污染源监测、公众健康参考、出行诱导等具有深层价值的服务。
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公开(公告)号：CN119828207A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510334586.3
申请日：2025-03-20
IPC: G01T7/00
Abstract: 本发明涉及半导体漂移室探测器测量领域，具体涉及一种半导体漂移室探测器漂移特性的测试系统及方法。测试系统包括双面探针台、半导体漂移室探测器、第一双通道数字万用表、第二双通道数字万用表、激光器和光纤夹具。双面探针台用于固定和连接探测器，数字万用表分别施加偏压和采集数据，激光器通过光纤照射探测器背面。测试时，先选激光器波长并调光功率，将探测器置于暗室双面探针台并连接设备，光照后设置电压并监测电流，调整光照位置，依据不同光照位置电流差判断横向漂移特性是否合格。该测试系统及方法，相比传统集成测试，有效减少测试时间，提高器件迭代速度，能便捷表征半导体漂移室探测器中电子的横向漂移特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119208373B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411676742.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H10D30/47 , H01L23/552 , H10D30/01
Abstract: 本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。
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公开(公告)号：CN119364881A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411937687.1
申请日：2024-12-26
IPC: H10F30/29 , H10F77/14 , H10F77/1226
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅探测器及其制作方法，涉及半导体领域，包括：碳化硅衬底层；位于碳化硅衬底层一侧的碳化硅基体层，碳化硅基体层包括层叠的第一碳化硅层、第二碳化硅层和第三碳化硅层；第三碳化硅层为阳极层，位于第二碳化硅层的第一区域，裸露第二碳化硅层的第二区域；第二碳化硅层的第二区域内具有N个漂移环，N个漂移环中，第1漂移环为闭环，其他漂移环围绕所述第1漂移环呈螺旋排布，第i+1漂移环的首端和所述第i漂移环的尾端相连；在平行于衬底层所在平面的平面内，阳极层位于第1漂移环的闭合区域内。本申请实施例所提供的碳化硅探测器，更容易获得极低漏电流的高性能器件，且无需制备分压器，工艺难度和成本大大降低。
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公开(公告)号：CN119170656A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411676733.7
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L23/552 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN整流器件包括背面阴极金属层、n+氮化镓衬底层和n‑氮化镓漂移层，n‑氮化镓漂移层上开设有多个环形槽结构且内部生长有p+氧化镍层，n‑氮化镓漂移层上方设有肖特基接触金属层，p+氧化镍层上方设置有欧姆接触金属层并设置绝缘钝化层进行隔离。绝缘钝化层上开设有第一接触通孔和第二接触通孔，上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层和正面第二阳极金属层，分别通过第一接触通孔和第二接触通孔与肖特基接触金属层和欧姆接触金属层连接。能够解决现有GaN整流器因空穴在阳极附近积累，产生辐照损伤甚至单粒子烧毁的技术问题。
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公开(公告)号：CN118275849A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410704305.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面形貌的图像；电路测试系统监测待测宽禁带功率器件在辐照前后的电学特性、捕获辐照瞬态脉冲电流及进行动态开关测试；温度控制系统控制待测宽禁带功率器件的环境真空度和温度；交互控制系统发送测试指令，并采集反馈测试数据和图像。本发明实现了对宽禁带功率器件的辐照敏感区域定位、辐照瞬态电流测试、辐照敏感条件测试以及辐照退化测试，具有实验便捷、操作简单、自动化测试及测试结果全面准确等优点。
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公开(公告)号：CN118099206B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410482373.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法，本发明在MIS结构GaN HEMT的栅极结构处制备局域刻蚀孔，并填入肖特基金属层，使得辐照感生载流子能够从肖特基金属层流出晶体管，避免由载流子积累导致的辐照损伤。肖特基金属层交替间隔排布，下端与势垒层顶面相接触，上端通过条状肖特基金属层将所有栅极金属层刻蚀孔中的肖特基金属层连接在一起，并通过互联金属层、顶层金属层等连接到基板的Li管脚，Li管脚单独用于泄放载流子。本发明充分考虑了整体级联型结构布局，提出了级联型抗辐照器件结构设计，并实现具备正常电学工作能力的级联型器件，制作方法简单，与现有工艺兼容，提升了整体级联型器件的辐照能力。
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