-
公开(公告)号：CN103276365B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310191941.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。
-
公开(公告)号：CN103968959A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410216876.X
申请日：2014-05-22
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于电容耦合的室温太赫兹检测器，包括硅衬底，所述硅衬底上的第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层上的六氮五铌薄膜微桥，所述六氮五铌薄膜微桥两端连接的金属薄膜电极，位于所述六氮五铌薄膜微桥上的第二二氧化硅层，以及位于所述第二二氧化硅层上的金薄膜偶极子天线。本发明还公开了制备上述室温太赫兹检测器的方法。本发明的室温太赫兹检测器工作于室温，具有较高灵敏度，且容易做成大规模阵列芯片。
-
公开(公告)号：CN103276365A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310191941.3
申请日：2013-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层，明显提高了氮化铌薄膜的超导性能，特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能，简单易行，效果明显。
-
公开(公告)号：CN119980158A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411939588.7
申请日：2024-12-26
Abstract: 本发明公开了一种在液氦温区保持高探测效率的超导纳米线单光子探测器制备方法，采用氧化硅以及硅构成的双层衬底；通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜，并通过XRR对厚度进行精准测量和控制；通过电子束曝光PMMA A4电子束胶的方式制备双线并联的纳米线结构，通过反应离子刻蚀的方式把纳米线的图形转移到氮化铌薄膜之上；在衬底氧化硅面通过紫外激光直写曝光AZ4620光刻胶的方式，去除需要刻蚀的区域上方的光刻胶，然后通过反应离子刻蚀从器件的氧化硅面刻蚀掉掉氧化硅及硅，制备悬浮桥结构。本发明大幅提高了器件的工作温度的同时，保证了器件的高探测效率。
-
公开(公告)号：CN119947276A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510416799.0
申请日：2025-04-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹焦平面阵列探测器芯片及其制备方法，芯片包括肖特基二极管像元和Crossbar多路读出结构两部分，其中肖特基二极管像元包括欧姆接触和肖特基接触两部分；Crossbar多路读出结构包括横电极、纵电极，以及横电极与纵电极间的隔离层三部分，横电极与纵电极成交叉排列，横电极与纵电极间的隔离层，处在横电极与纵电极之间；肖特基二极管像元与Crossbar多路读出结构通过金属导线相连接。本发明解决了太赫兹焦平面阵列探测器芯片多路读出的难题，同时避免了横纵电极之间交叉造成的短路、断路问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119779496A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510047572.3
申请日：2025-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹单光子探测单元及阵列式探测装置，所述太赫兹单光子探测单元包括谐振器、超导隧道结和太赫兹光子吸收器，谐振器与太赫兹光子吸收器之间通过栅极电容器和超导隧道结连接；谐振器包括圆螺旋电感和叉指电容，圆螺旋电感的外周圈延伸处引出圆螺旋电感连接部，与叉指电容的顶部连接。本发明采用了圆螺旋电感结构，有效提高了谐振器的品质因子，增强了探测器对引起相位移动信号的灵敏度。阵列式探测装置包括若干个谐振频率不同的探测单元，探测单元信号耦合至一条中心馈线，读出系统简单。本发明的太赫兹阵列式探测装置可实现宽频带范围的太赫兹探测；探测灵敏度极高，能够进行太赫兹单光子的探测与计数。
-
公开(公告)号：CN119362115A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411485766.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光纤激光器，涉及太赫兹技术领域，包括泵浦源和环形光路，所述太赫兹光纤激光器进一步包括设置在所述环形光路上的掺杂光纤、偏振控制元件及可饱和吸收体，所述泵浦源射出的泵浦光激发所述掺杂光纤辐射光子形成自发辐射光，所述可饱和吸收体具有偏振特性，用于将接收的所述连续激光转换为脉冲激光，所述偏振控制元件用于控制所述环形光路的光的偏振状态，以调整所述环形光路所输出脉冲激光的状态，其中。本发明通过设置在环形光路中的具有偏振特性的可饱和吸收体及偏振控制元件等，使得太赫兹光纤激光器射出的激光脉冲宽度可调，进而满足诸如生物医药、通信、微加工、遥感及军事等各种领域中对于不同脉宽脉冲激光的需求。
-
公开(公告)号：CN118310993A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410415816.4
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京大学 , 天深达(深圳)科创集团有限公司
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹无损检测装置，涉及安检技术领域，包括光纤激光器以及八个光纤匹配套管。本发明通过在探测壳内部采用线性阵列方式当时进行太赫兹探测器的单元探测器阵列，同时太赫兹探测器按一条直线排列，非常适用于检测电缆的外表面缺陷，由于太赫兹探测器的并行性，也可以大大提高成像的速度，具有高灵敏度和高分辨率的特点，能够快速、准确地检测太赫兹波的信号，从而提高了检测速度和精度，解决了现有技术中存在的在面对裂纹检测区间内，存在较为细小的外部破损时，单独的太赫兹检测器无法有效地对较为细小的裂纹进行成像，即使可以成像，也会出现画面模糊，无法有效进行裂纹分辨的问题。
-
公开(公告)号：CN117537939A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311561583.0
申请日：2023-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: G01J11/00 , G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了双极化太赫兹谐振探测单元及阵列式探测装置。其中，谐振探测单元包括谐振单元和超导量子电容探测单元。超导量子电容探测单元包括超导岛、约瑟夫森结和准粒子库。超导岛通过栅极电容器连接谐振单元。准粒子库包括吸收器和中间臂。吸收器包括北向连接臂、南向连接臂和连接于在北向连接臂和南向连接臂之间的若干十字单元串。十字单元串由若干十字单元串接而成。北向连接臂通过中间臂和约瑟夫森结连接超导岛。本发明利用准粒子隧穿、库伦阻碍以及量子电容效应来探测超导岛电荷数奇偶态，能够对极其微弱的双极化太赫兹信号进行探测，具有高吸收效率和高灵敏度优点，甚至能够进行太赫兹单光子探测、计数和成像。
-
公开(公告)号：CN115872349B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194573.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.021 seconds)
