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公开(公告)号：CN112366521B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011161635.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种在平面超晶格纳米线上组装量子点激光器的方法，包括在刻蚀后的超晶格纳米线上，通过旋涂量子点溶液，烘干后得到嵌入量子点的超晶格纳米线；利用紫外光或者红外光照射嵌入超晶格纳米线上的量子点后量子点发光，超晶格结构两端的硅纳米线作为光波导，利用纳米线导波效应定位传输量子点光信号，测试超晶格结构的纳米线对光的收集和传输效果。
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公开(公告)号：CN111422828B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010248425.X
申请日：2020-04-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种利用晶态纳米线阵列堆叠制备光学手性器件的方法，包括基于IP‑SLS生长方法并结合台阶沟道引导技术生长出晶态硅纳米线阵列，将此晶态硅纳米线阵列通过转移法进行交叉堆叠形成三维空间结构的多层纳米线阵列结构，再制备成手性器件。本发明把平行密排长直纳米线阵列通过转移的方法，并且每次每层转移都旋转一定角度，然后把纳米线阵列进行空间上的堆叠，将可以获得类似缓偏器的效应。将长直平行硅纳米线阵列的双折射和缓偏器两种效应结合，可以制备出具有高光学活性，高不对称因子的手性光学器件。
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公开(公告)号：CN113130325A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110404186.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法，本发明是通过分区淀积叠层非晶锗硅前驱体生长出可精确定位的分区超晶格纳米线，通过光刻或者EBL的方法在超晶格区域的纳米线两侧做源漏电极，接着根据需要选择性刻蚀纳米线超晶格结构区域的晶体锗或者晶硅，在源漏电极之间留下纳米片状的晶体硅或者晶体锗作为导电沟道；然后淀积一层栅介质，最后通过光刻或EBL的方法在源漏电极之间做栅电极即完成制备Fin‑FET。
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公开(公告)号：CN111312592B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010119441.9
申请日：2020-02-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10 , B82B3/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法，包括以下几个步骤：第一步，在目标衬底上定义掩模阵列；第二步，沿掩模阵列侧壁的轴向平行刻蚀一组预设间距的平行凹槽阵列的柱阵列；第三步，定义催化颗粒沉积区域，并在所述沉积区域沉积一层催化金属层；第四步，利用IP‑SLS纳米线生长模式，借助所述催化金属层的催化金属液滴在所述平行凹槽阵列的结构柱上自回避换行生长，制备得到3D纳米线结构。本发明实现了三维高密度堆叠纳米线和三维纳米弹簧结构的制备，并可控制其形貌和结构取向。
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公开(公告)号：CN112366521A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011161635.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种在平面超晶格纳米线上组装量子点激光器的方法，包括在刻蚀后的超晶格纳米线上，通过旋涂量子点溶液，烘干后得到嵌入量子点的超晶格纳米线；利用紫外光或者红外光照射嵌入超晶格纳米线上的量子点后量子点发光，超晶格结构两端的硅纳米线作为光波导，利用纳米线导波效应定位传输量子点光信号，测试超晶格结构的纳米线对光的收集和传输效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111693444A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010586001.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01N15/10 , G01N21/64 , G01N33/487 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于细胞力学检测的弹簧纳米线探测器，包括一端固定于微机械操作平台上的垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧，所述垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型或钩状的悬空结构；当所述直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型时，所述直线型的纳米线末端表面设有荧光标记物。本发明通过控制纳米线弹簧的实时形变观察即可测试相关力学性质，且端部设有悬空的纳米级探头，可实现对细胞无损伤检测。
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公开(公告)号：CN109234807B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810614845.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法，所述可拉伸晶体半导体纳米线具有细长的主体，所述纳米线直径在20‑200纳米之间，所述纳米线为为晶态无机半导体结构。所述可拉伸晶体半导体纳米线为弯曲结构，在轴向方向具有多个可拉伸单元，所述多个可拉伸单元依次连接，从而形成可拉伸晶体半导体纳米线。本发明采用IP‑SLS等方法在PECVD中生长沟道台阶引导的纳米线，并利用现代微加工技术进行制作成弹簧结构晶体纳米线阵列。由于此类纳米线与引导沟道截面可以有效调节，可以进一步进行剥离和转移到其他柔性衬底之上。本发明制备弹簧结构晶体纳米线的方法在柔性电子领域、传感器的应用方面有着广阔的前景。
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公开(公告)号：CN111540806A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010392107.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/12 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L33/26 , H01L33/28 , H01L33/30 , A61B5/00 , A61B5/024 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全面屏集成脉搏传感器，包括设置于电子产品上的显示面板，还包括位于所述显示面板上方或下方的传感器层，所述传感器层包括硅锗纳米线径向结、量子点层以及透明底电极；所述显示面板设置有正常显示区域和脉搏传感器阵列区；所述硅锗纳米线径向结呈阵列分布于所述量子点层上方的所述透明底电极上，所述透明底电极与电子产品的锁相放大器连接。
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公开(公告)号：CN111439722A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010254025.X
申请日：2020-04-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种微测辐射热计，包括水平分布的平面半导体晶态纳米线阵列以及从下至上依次叠层于所述平面半导体晶态纳米线阵列上方的非晶硅层和氮化硅层，所述平面半导体晶态纳米线的两端设有金属电极。本发明改变了目前常见的微测辐射热计器件的结构，采用悬空的晶态纳米线作为支撑，悬空非晶硅(敏感层)氮化硅(光敏感层)，由于悬空晶态纳米线表面对热传导的限制，使得探测岛区能够很好地获得热绝缘，同时由于纳米线具有较低的电阻率，也可作为导电通道，极大的提高器件热性能到电性能的转变。
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公开(公告)号：CN110767537A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911071316.9
申请日：2019-11-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备三维超可拉伸晶态纳米线的方法，1)利用PECVD或者PVD在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层，2)利用光刻、电子束直写定义周期台阶边缘图案，利用干法或湿法交替刻蚀工艺刻蚀介质层形成垂直台阶侧壁；3)用腐蚀性液体处理台阶表面，形成波浪形台阶；4)再次光刻电子束直写或者掩膜板技术定义垂直于台阶的图案以及刻蚀技术进行制备垂直于台阶的二次引导沟道；5)通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层带状的催化金属层；6)催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；7)将温度降低到催化金属颗粒熔点以下，将整个结构表面淀积覆盖非晶半导体前驱体薄膜层；淀积出晶态的纳米线；纳米线将沿波浪台阶的引导沟道生长。
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