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公开(公告)号:CN105198445A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201510689621.X
申请日:2015-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/624
Abstract: 氮化硼复相陶瓷侧封板及其制备方法,它涉及一种复相陶瓷侧封板及其制备方法。本发明为了解决添加低熔点相残留降低氮化硼复相陶瓷材料高温抗弯强度和抗热蠕变性能的技术问题。氮化硼复相陶瓷侧封板由氮化硼、电熔氧化锆、碳化硅和添加剂组成,制备:一、称取原料;二、制备复合粉末;三、将复合粉末放入模具中,升温后,降至室温,即得氮化硼复相陶瓷侧封板。本发明所制备的氮化硼复相陶瓷侧封板的致密度可达到97%以上,使具有优异的综合力学性能,其抗弯强度值可达到350MPa,高温力学性能测试中没有出现明显的软化现象。本发明属于陶瓷侧封板制备领域。
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公开(公告)号:CN105084900A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510486825.3
申请日:2015-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/64
Abstract: 碳化硅陶瓷材料的制备方法,本发明涉及陶瓷材料的制备方法。本发明要解决现有碳化硅陶瓷材料制备工艺复杂及成本高的问题。方法:一、制备活性铝硅酸盐源材料;二、制备碱激发溶液;三、制备无机聚合物配合料;四、制备胚料;五、高温处理,即完成碳化硅陶瓷材料的制备方法。本发明用于碳化硅陶瓷材料的制备方法。
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公开(公告)号:CN105036780A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510530967.5
申请日:2015-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 一种莫来石纤维增强熔石英复合材料的制备方法,它涉及一种纤维增强熔石英复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有熔石英复合材料质脆及对应力集中和微裂纹敏感的问题。方法:一、制备熔石英复合粉体;二、莫来石纤维预处理;三、将熔石英复合粉体浆料与莫来石纤维分散液混合;四、去除溶剂;五、装模成型;六、热压烧结,得到莫来石纤维增强熔石英复合材料。本发明制备的莫来石纤维增强熔石英复合材料的抗弯强度为23.3MPa~27.4MPa,断裂韧性为0.8MPa·m1/2~1.1MPa·m1/2。本发明可获得一种莫来石纤维增强熔石英复合材料的制备方法。
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公开(公告)号:CN105016762A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201510434792.8
申请日:2015-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种强化多孔陶瓷接头连接方法,本发明属于陶瓷与同/异种材料连接领域,具体涉及一种多孔陶瓷接头连接方法。本发明目的是要解决现有多孔陶瓷接头连接强度低的问题。连接方法:一、配制硝酸银水溶液;二、超声浸渗,得到浸渗烘干后的多孔陶瓷;三、真空烧结,得到真空烧结后的多孔陶瓷件;四、多孔陶瓷连接,得到连接后的多孔陶瓷样件,即完成强化多孔陶瓷接头连接。优点:通过金属化处理可提高钎料对多孔陶瓷的润湿性,使连接过程中熔融钎料向多孔陶瓷内部浸渗,提高界面热匹配,缓和连接界面残余应力,提高连接强度及连接构件的可靠性。本发明主要用于多孔陶瓷的连接。
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公开(公告)号:CN104817083A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201510271236.3
申请日:2015-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种快速加热辅助超声剥离二维纳米Ti3C2片层的方法,它涉及一种剥离二维纳米Ti3C2片层的方法。本发明是要解决现有方法剥离二维纳米Ti3C2片层的剥离效果差的问题,方法为:一、制备Ti3AlC2粉末;二、制备堆垛的层片状Ti3C2Tx粉体,然后抽真空后立即放入热处理炉中;再冷却后将管内粉体加入到有机溶剂中,搅拌后离心取固相物;向固相物中加去离子水后震荡分散,过滤得到粉末试样,烘干,得到二维纳米Ti3C2片层,即完成。采用本发明方法剥离的二维纳米Ti3C2片层中单层或n层纳米片所占的比重较大(n<10)。本发明应用于纳米陶瓷材料合成与制备领域。
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公开(公告)号:CN103588474B
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201310572199.0
申请日:2013-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01F1/10 , C04B35/26 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种包覆结构的磁电复相陶瓷的制备方法,它涉及一种复相陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备包覆结构的磁电复相陶瓷存在被包覆相容易团聚、在包覆相中分布不均匀、包覆效果差及杂质多的问题。步骤:一、制备溶胶A;二、制备溶液B;三、制备溶胶C;四、制备溶胶D;五、滴加、搅拌;六、干燥;七:煅烧;八、研磨;九、烧结。优点:一、本发明被包覆相分布均匀,包覆效果好;二、本发明烧结温度低,杂质少,制备得到的包覆结构的磁电复相陶瓷的尺度均匀且为纳米级别;三、本发明易于操作,降低了30%~50%成本;四、本发明铁磁相的结晶温度远低于铁电相,铁磁相和铁电相分步析出。本发明可获得包覆结构的磁电复相陶瓷。
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公开(公告)号:CN103232264B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201310135823.0
申请日:2013-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/584 , C04B35/583
Abstract: 一种具有球形气孔结构的BN/Si3N4复合陶瓷的制备方法,它涉及一种多孔复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的陶瓷材料由于气孔重叠和气孔形状不规整而导致材料的稳定性和可靠性下降的问题,本发明的具体方法为:一、制备混合粉体;二、制备浆料;三、制备干燥后的生坯;四、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂和脱除造孔剂处理,然后进行烧结,即得到具有球形气孔结构的多孔BN/Si3N4复合陶瓷。本发明适用于航空航天和机械工业领域。
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公开(公告)号:CN102173803B
公开(公告)日:2013-02-20
申请号:CN201110027087.8
申请日:2011-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622
Abstract: 一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法,它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂、难于控制、产量低和成型过程伴有分解的问题。方法:一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和金属铝粉为原料;二、原料球磨,得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末;三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、成型过程没有分解、成本低、产量高,适于工业化生产等优点,可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段;所得以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好。
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公开(公告)号:CN102876288A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201210420595.7
申请日:2012-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 一种石墨烯/钡铁氧体复合吸波材料及其制备方法,它涉及一种石墨烯负载磁性颗粒钡铁氧体的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备石墨烯/Fe3O4复合材料过程存在毒性危害的问题。一种石墨烯/钡铁氧体复合吸波材料由钡铁氧体悬浮液和氧化石墨水分散液制备而成;方法:一、制备氧化石墨水分散液;二、制备钡铁氧体悬浮液;三、超声处理;四、水热处理;五、洗涤干燥处理。优点:一、降低操作成本,降低操作难度,达到无毒害操作,具有环保无污染的优点;二、本发明制备的石墨烯/钡铁氧体复合吸波材料具有优异吸波性能,在电磁波吸收材料领域有很好的应用前景。本发明主要用于制备石墨烯/钡铁氧体复合吸波材料。
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公开(公告)号:CN101648809B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200910307688.7
申请日:2009-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/645
Abstract: 氮化硼基复合陶瓷透波材料及其制备方法,它涉及一种复合陶瓷透波材料及其制备方法。本发明解决了现有陶瓷透波材料的耐热性、抗热冲击性和介电性能不足的问题。氮化硼基复合陶瓷透波材料按质量百分比由5%~15%非晶态SiO2粉末、0~10%AlN粉末和75%~95%六方氮化硼粉末制成。本发明的方法如下:一、用非晶态SiO2粉末、AlN粉末和六方氮化硼粉末制备浆料;二、烘干,研碎后过筛,得到混料;三、装入石墨模具中,预压;四、热压烧结,然后随炉冷却,获得氮化硼基复合陶瓷透波材料。本发明氮化硼基复合陶瓷透波材料的力学性能,热学性能及介电性能均达到天线罩材料的要求。本发明工艺简单,便于操作。
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