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公开(公告)号：CN111865344A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010577618.X
申请日：2020-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种可变增益和带宽的模拟基带电路。本发明的模拟基带电路包括带宽可调的低通滤波器、可变增益放大器；低通滤波器为五阶切比雪夫Ⅰ型低通滤波器，由一个一阶RC低通滤波器和两个双二次结构组成，置于前级，用于将由混频器输出的信号进行滤波和放大，并提供20dB的恒定增益，通过调节电容值控制低通滤波器的带宽；可变增益放大器共有两级，每级结构相同，置于后级，用于将由低通滤波器输出的信号进行放大，提供从0到18dB的可变增益；每一可变增益放大器的带宽大于前级低通滤波器可调带宽的最大值，以保证系统能够正常工作。本发明模拟基带电路具有带宽宽、增益调节精确、噪声低、功耗小的特点。
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公开(公告)号：CN111756380A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010577613.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种共享桥接电容阵列的两步式逐次逼近型模数转换器。本发明的模数转换器包括：一个粗精度子模数转换器，一个细精度子模数转换器，两者共享桥接电容阵列；粗精度子模数转换器在完成自身功能的同时，还被共享复用为细精度模数转换器的一部分。采用桥接电容结构，可节省大量面积；本发明将桥接电容的模数转换器和两步式模数转换器结合，将桥接电容阵列同时用作两步式模数转换器的粗精度DAC和细精度DAC，使结构带来高速、比较器功耗低等益处的同时，不需要增加额外的面积。
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公开(公告)号：CN111613676A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010281186.8
申请日：2020-04-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，具体为一种具有层叠结构的多栅指数晶体管。本发明多栅指数晶体管，依次由漏极、沟道、源极、沟道循环层叠构成，所有的沟道宽度均大于源漏宽度，在沟道右侧未被源漏覆盖的最右侧区域，分别形成栅氧化层和栅极，并且所有的栅极通过栅极金属相连接，以此形成统一的栅极；沟道以二维材料制备，多沟道受到统一栅极的调控；该晶体管沟道长度较小，电流流动方向沟道面积较大，因此沟道电流较大。并且所有的沟道受到统一的栅极调控，栅控能力强，集成度高，可应用于新型电子器件和医疗领域。
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公开(公告)号：CN111613254A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010281703.1
申请日：2020-04-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C5/02
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于柔性材料的堆叠模拟存储器。本发明堆叠模拟存储器由多个时序单元电路和存储单元电路堆叠而成；存储单元电路由NMOS管和电容组成，其栅极作为控制端，输出信号保存在电容极板和输出端上；时序单元电路由四个NMOS管构成，上面两个NMOS管的栅极作为控制端，下面第一个NMOS管的栅极为信号输入端，第二NMOS管的源极为信号的输出端，上面第一个NMOS管的源极连接下面第二个NMOS管的栅极；时序单元电路的输出端连接存储单元电路的控制端，各存储单元的输入端连接同一个输入信号，各存储单元电路的输出端输出不同模拟信号。本发明易于集成实现堆叠，存储密度高，可应用于可穿戴设备当中。
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公开(公告)号：CN106026921B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610318871.7
申请日：2016-05-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于太赫兹CMOS生物成像技术领域，具体为应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源。本发明采用一种新型的四倍频注入锁定结构实现宽锁定范围和高转换增益倍频。该电路包括8个交叉耦合振荡器和4个倍频器；双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。驱动电容负载时，该注入锁定倍频器可以实现300GHz到400GHz接近60%的锁定范围，转换增益最高可达7dB，整体功耗不超过18 mW，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106026920B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610309966.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹检测器。本发明采用了一种超可再生的接收机电路，该电路结构包括一个低噪声放大器，一组振荡器和一组包络检波电路。太赫兹波注入低噪声放大器采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节注入对管的偏置可以获得最大的转换增益。包络检波输出一个正相关于输入信号强度的电压信号，该注入实现300GHz到400GHz接近‑80dBm的灵敏度，转换增益最高可达57dB，整体功耗不超过8 mW。本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化以及中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响，使得能够应用于高性能太赫兹检测器中。
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公开(公告)号：CN106026921A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610318871.7
申请日：2016-05-14
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H03B5/1206 , A61B5/00 , H03B19/14
Abstract: 本发明属于太赫兹CMOS生物成像技术领域，具体为应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源。本发明采用一种新型的四倍频注入锁定结构实现宽锁定范围和高转换增益倍频。该电路包括8个交叉耦合振荡器和4个倍频器；双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合，栅极偏置电压设置可调，通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。驱动电容负载时，该注入锁定倍频器可以实现300GHz到400GHz接近60%的锁定范围，转换增益最高可达7dB，整体功耗不超过18 mW，彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化，中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。
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公开(公告)号：CN102332877B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110206385.3
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器；由有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用键合线电感、寄生电容、栅极电感与电路输入阻抗组成匹配网络；放大级使用共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；第三级放大器的有源Balun分别使用共源和源跟随器来实现Balun的单转双功能。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大，增加电路可实用性。该低噪声放大器可以应用于0.5～10.6GHz的多模接收机前端中。
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公开(公告)号：CN103795379A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410021634.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于误差自消除技术的动态比较器。其结构包括：由偏置电路构成的偏置级，采用误差自消除技术的输入预放大级，用于输入预放大级输出波形整形的反向级和采用时域比较的输出级；偏置级通过时钟信号控制输入预放大级的放电电流源的偏置；输入预放大级在预充电阶段采样误差信号并在放电的比较阶段消除误差；输入预放大级的输出波形连接到反向级整形；经反向级整形后的输出信号输入到输出级进行时域比较，输出级输出的结果即为比较器的比较结果。本发明相对于传统的动态比较器对晶体管失配造成的误差有很好的消除效果，可以大幅度的地提高动态比较器的精度。
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公开(公告)号：CN103762945A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410025734.5
申请日：2014-01-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H03B5/18
Abstract: 本发明属于模拟射频集成电路技术领域，具体为一种可以实现相位可调的精确正交压控振荡器，可用于射频频率综合器集成电路中。该电路主要为一个注入锁定的正交压控振荡器。其中注入锁定的压控振荡器由负阻网络、片上电感电容谐振腔、电压控制的可变电容以及可调的偏置电路构成；正交压控振荡器则由两个注入锁定压控振荡器单元构成，其信号通过串联注入的方式进行耦合，从而达到输出正交的目的。可调的偏置电路包括压控振荡器的电流偏置和正交信号耦合注入的直流电压偏置。通过调节这些偏置电流和偏置电压，使得输出信号的相位可调，以此改善因工艺误差、器件适配等造成的相位误差，得到精确输出的正交信号。
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