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公开(公告)号：CN111477627A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010346231.3
申请日：2020-04-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种基于双浮栅材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，具有第二掺杂类型，位于半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿所述半浮栅阱区，底部处于所述半浮栅阱区的下边界；第一栅极叠层，包括第一栅介质、第一金属栅、富含缺陷的绝缘材料层和金属纳米晶；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和第二金属栅；栅极侧墙，位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源极和漏极，具有第二掺杂类型，位于第一、第二栅极叠层两侧。本发明利用拥有大量缺陷的绝缘材料和彼此相互分离的金属纳米晶作为双浮栅，有利于数字信号的分辨，增加存储器刷新时间。
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公开(公告)号：CN111463212A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010172782.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种快速可擦写浮栅存储器及其制备方法。本发明的快速可擦写浮栅存储器，包括：衬底；覆盖衬底的阻挡层，其为绝缘介质；形成在阻挡层上的浮栅；平行邻接放置在所述浮栅上的第一异质结和第二异质结，由二维材料组成；覆盖第一异质结和所述第二异质结的隧穿层，其为二维材料；形成在所述隧穿层上的沟道层，其为二维材料；以及形成在沟道层表面的源极和漏极。本发明采用两个导通方向相反的二维半导体材料构成的异质结作为电荷擦写通道，能够有效改善电荷擦写速度的对称性、加快读写速度。
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公开(公告)号：CN110098065A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910350124.5
申请日：2019-04-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种双硅片基固态超级电容及其制备方法，该超级电容由两个相对设置的电极结构粘合构成，电极结构包含衬底、设置在衬底背面上的硅纳米阵列结构、过渡金属掺杂的氧化铟薄膜层及固态电解质层，上述过渡金属包括镍、钴或者锰。本发明提供的硅基超级电容制备在低阻单晶硅的背面，可以充分利用硅材料，节约成本；与传统的硅基集成电路工艺兼容，制备工艺简单，成本低廉；过渡金属掺杂的氧化铟薄膜兼具氧化铟高电导率和过渡金属氧化物理论高比电容值的优势，从而保证所制备的超级电容可以同时拥有较高的功率和能量密度。
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公开(公告)号：CN109609927A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910068247.X
申请日：2019-01-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入Co(EtCp)2蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧保护气氛吹洗；S3，向反应腔中通入NH3等离子体，使其与含有Co(EtCp)2的衬底表面充分发生化学反应；S4，向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应NH3等离子体及反应副产物吹洗干净，获得碳氮掺杂的金属钴薄膜；其中，碳氮掺杂的金属钴薄膜厚度依循环数而定。本发明提供的方法工艺流程简单易控，与集成电路制造工艺兼容性好，生长温度低，生长温度区间大，电阻率低，表面均匀平整。
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公开(公告)号：CN104241245B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410468397.7
申请日：2014-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种基于低介电材料和铜互连结构的高性能金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容及其制备方法。所公开的电容在集成电路后端工艺(铜互连)中形成，并且以TaN或TaN/Ta叠层为上下金属电极，以原子层淀积(ALD)的Al2O3/ZrO2/SiO2/ZrO2/Al2O3叠层为绝缘层。其中，两个Al2O3单层的厚度相等，两个ZrO2单层的厚度相等。该对称叠层结构的绝缘层设计有利于获得电容密度高、电容的电压线性度好、漏电流密度低的高性能MIM电容，是下一代射频和模拟/混合集成电路理想的候选方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996775A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010545516.6
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明属于电容器制备技术领域，具体公开了一种固态超级电容的制备方法。本发明通过金属辅助刻蚀工艺在重掺杂的单晶硅片上形成密度高和有序的深槽结构，然后以此深槽结构作为模板来制备固体超级电容。具体步骤包括：在硅片上热氧化形成一层很薄的二氧化硅；在二氧化硅上淀积金属薄膜；对金属薄膜进行快速热退火以形成金属纳米晶阵列；以金属纳米晶为催化剂，对硅片进行刻蚀，形成深槽阵列；在深槽的表面淀积绝缘介质层；再淀积种子金属层；电镀金属作为正电极。本发明免去了高成本的光刻工艺，因此工艺简单，成本低廉，不易损坏，易于批量生产。
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公开(公告)号：CN101800253A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010138066.9
申请日：2010-04-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于能量存储器件技术领域，具体公开了一种用于能量存储的纳米电容器及其制作方法。该纳米电容器的制作方法包括：在硅或玻璃衬底上淀积一层金属铝膜；对金属铝进行两次阳极氧化得到阳极氧化铝模板；在模板的纳米孔隙中用ALD方法淀积底层金属电极、中间绝缘介质和顶层金属电极；在顶层金属电极表面淀积一层金属铝作为顶层集流体；通过光刻工艺和反应离子刻蚀将底层集流体暴露出来，并分别用导线将顶层和底层集流体引出，作为纳米电容的两个电极。本发明所公开的纳米电容器可以同时获得很高的功率和能量密度，而且制作工艺简单，成本较低，封装体积小。
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公开(公告)号：CN111477625B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202010346220.5
申请日：2020-04-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于缺陷俘获材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，为第一掺杂类型；半导体衬底表面的半浮栅阱区，为第二掺杂类型；贯穿半浮栅阱区的U型槽；覆盖U型槽表面的第一栅介质层，在半浮栅阱区形成开口；覆盖第一栅介质层的第一金属栅，在开口处与半浮栅阱区接触；覆盖第一金属栅的浮栅；覆盖浮栅表面和部分半浮栅阱区表面的第二栅介质层，覆盖第二栅介质层的第二金属栅；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的源极和漏极；浮栅为缺陷俘获材料。本发明可以有效地增强电荷保持能力，从而增加存储器的刷新时间。
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公开(公告)号：CN112909000B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110321937.9
申请日：2021-03-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供了一种半浮栅存储器，包括：衬底；隧穿层，设于所述衬底的上表面；第一半导体，包括覆盖端和邻接端，所述邻接端设于所述衬底且一侧邻接所述隧穿层，所述覆盖端覆盖所述隧穿层，所述第一半导体与所述衬底构成二极管结构；半浮栅，覆盖所述第一半导体，所述半浮栅具有深能级缺陷。本发明通过第一半导体与衬底构成二极管结构，当导通时，加快数据的写入半浮栅，实现了快速存储功能，由于二极管结构和隧穿层的性能，半浮栅内的电荷不容易返流回衬底，从而增加了存储时间。最重要的，半浮栅具有深能级缺陷，有效地增强电荷保持能力，增加了存储器的刷新时间。另外，本发明还提供了半浮栅存储器的制造工艺。
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公开(公告)号：CN112838089B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110321983.9
申请日：2021-03-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供了一种半浮栅存储器，包括：衬底；隧穿层，设于所述衬底；第一半导体，设于所述衬底并邻接所述隧穿层，且与所述隧穿层平行，所述第一半导体与所述衬底构成二极管结构；第二半导体，覆盖所述隧穿层和所述第一半导体；所述衬底、所述第一半导体和所述第二半导体的费米能级依次降低。本发明通过第一半导体与衬底构成二极管结构，加快数据的写入，实现了快速存储功能，并且由于衬底、第一半导体和第二半导体的费米能级依次降低，进一步加快存储速度的同时增加了数据的保存时间。另外，本发明还提供了半浮栅存储器的制造方法。
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