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公开(公告)号：CN111541979B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010264367.X
申请日：2020-04-07
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H04R15/00
摘要： 本发明提供一种磁致伸缩弯张电声换能器，包括换能器壳体、磁致伸缩体、驱动线圈，换能器壳体包括第一锥形筒体、第二锥形筒体，第一锥形筒体半径较大一端、第二锥形筒体半径较大一端通过刚性连接部相互固定连接，从而围成换能器壳体的内腔，磁致伸缩体一端、另一端分别对应抵接于第一锥形筒体内端面、第二锥形筒体内端面；第一锥形筒体、第二锥形筒体的连接位置还设置密封部，密封部围绕换能器壳体的内腔设置；还包括用于对磁致伸缩体施加预应力的预应力模块，预应力模块施加的预应力方向在换能器长度方向上。
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公开(公告)号：CN112448652A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011262756.5
申请日：2020-11-12
申请人： 湖南大学
摘要： 本发明属于驱动控制技术领域，提供了一种两级式交错并联电驱控制器，用于连接电机，其包括储能单元，用于输出输入电压；直流变换单元与储能单元连接，用于根据输入电压和第一脉冲宽度调制信号输出母线电压；逆变单元与直流变换单元和电机连接，用于根据母线直流电压和第二脉冲宽度调制信号输出三相电流以驱动电机；反馈单元与直流变换单元、逆变单元以及电机连接，用于检测母线直流电压并输出电压检测信号，用于检测逆变单元的相电流并输出电流检测信号，用于检测电机的转速并输出角速度信号；控制单元与直流变换单元、逆变单元以及反馈单元连接，用于根据电压检测信号、电流检测信号以及角速度信号输出第一脉冲宽度调制信号和第二脉冲宽度调制信号。
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公开(公告)号：CN111822315A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010807014.X
申请日：2020-08-12
申请人： 湖南大学
IPC分类号： B06B1/04
摘要： 本发明提供一种基于气体弹簧的电磁式水声换能器及控制方法，水声换能器包括围成水密空间的筒体、辐射件、密封件；水密空间内容纳有衔铁、导磁底座；导磁底座、衔铁上分别绕设有第一驱动线圈、第二驱动线圈；第一驱动线圈、第二驱动线圈由独立的交流电源供电，使得导磁底座一端、衔铁一端可产生相同或相反的磁极，两组件受电磁斥力或电磁吸力而振动；导磁底座和衔铁之间充有气体当作气体弹簧，用以平衡静水压并提供振动所需刚度。前段振动周期中，控制驱动电流产生电磁斥力推动衔铁从初始平衡位置运动，后段振动周期，主要依靠电磁吸力将衔铁拉回平衡位置。本发明电磁推力更大，振动幅度更大，实现小体积轻重量产生大功率超低频声波输出。
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公开(公告)号：CN111822314A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010806207.3
申请日：2020-08-12
申请人： 湖南大学
IPC分类号： B06B1/04
摘要： 本发明提供一种基于气体弹簧的电磁吸力式水声换能器及控制方法，水声换能器包括筒体、与筒体内壁面滑动连接的辐射件、密封件，筒体、密封件、辐射件围成水密空间；水密空间内容纳有衔铁、导磁底座；导磁底座上绕设有驱动线圈；导磁底座和衔铁之间设置有气体弹簧。前段振动周期中，驱动电流产生电磁吸力拉动衔铁从初始平衡位置运动；后段振动周期中，主要依靠气体弹簧的作用将衔铁推回平衡位置。本发明中，在电磁吸力和气体弹簧的共同作用下，衔铁带动辐射件在初始平衡位置进行振动，其电磁推力大，振动幅度大，电—声能量转换效率高，可设计成大功率超低频高效率的换能器，实现小体积轻重量产生大功率超低频输出。
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公开(公告)号：CN111541979A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010264367.X
申请日：2020-04-07
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H04R15/00
摘要： 本发明提供一种磁致伸缩弯张电声换能器，包括换能器壳体、磁致伸缩体、驱动线圈，换能器壳体包括第一锥形筒体、第二锥形筒体，第一锥形筒体半径较大一端、第二锥形筒体半径较大一端通过刚性连接部相互固定连接，从而围成换能器壳体的内腔，磁致伸缩体一端、另一端分别对应抵接于第一锥形筒体内端面、第二锥形筒体内端面；第一锥形筒体、第二锥形筒体的连接位置还设置密封部，密封部围绕换能器壳体的内腔设置；还包括用于对磁致伸缩体施加预应力的预应力模块，预应力模块施加的预应力方向在换能器长度方向上。
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公开(公告)号：CN117123763A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311030985.8
申请日：2023-08-16
申请人： 湖南大学 , 湖南创一电子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种超磁致伸缩材料的制备方法及设备，该制备方法包括以下步骤：(1)将超磁致伸缩材料的原料熔化，得到母合金液；(2)使所述母合金液旋转；(3)冷却所述母合金液。本发明在定向凝固炉的基础上，提出了一种母合金液旋转技术，在GMM母合金完成熔炼并浇铸后，对GMM母合金液体进行旋转，提升液体的流动性，排出液体中的气孔，可以提高样品原料利用率和生产效率。
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公开(公告)号：CN116741726B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311025765.6
申请日：2023-08-15
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/367
摘要： 一种大尺寸芯片用两级分流歧管微通道结构，包括从上至下依次排布的汇水层、第一级分流层、第二级分流层和微通道层，汇水层包括中间的汇水入水口和两侧的汇水出水口，第一级分流层包括第一级分流入水口和第一级分流出水口，汇水入水口与第一级分流入水口连通，汇水入水口往下分隔成并列的两个第一级分流入水口，第一级分流出水口与汇水出水口连通；第二级分流层包括入水歧管和出水歧管，入水歧管与出水歧管相互间隔，第一级分流入水口与入水歧管连通，第一级分流出水口与出水歧管连通；微通道层由微米级的平行微通道组成；入水歧管和出水歧管与微通道相对垂直并连通，入水歧管通过微通道与出水歧管连通；微通道层与热源接触。本发明散热效率高。
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公开(公告)号：CN116861833A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311100643.9
申请日：2023-08-30
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06N3/006
摘要： 本发明公开了一种SiC MOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质，所述构建方法包括根据SiC MOSFET的静态特性和温度特性构建SiC MOSFET的沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结构参数构建导通电阻模型；根据漏源电压、栅源电压以及温度，构建SiC MOSFET的非线性寄生电容模型；根据所述沟道电流模型、导通电阻模型以及非线性寄生电容模型构建SiC MOSFET物理模型；识别出所述SiC MOSFET物理模型的参数。本发明构建的模型具有更高的准确性和普适性，为包含SiC MOSFET器件的电力电子系统仿真方法提供依据。
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公开(公告)号：CN116629183A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310905424.1
申请日：2023-07-24
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F17/10 , G06F111/10
摘要： 本发明公开了一种碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质，该方法包括构建考虑高频寄生参数的碳化硅MOSFET等效测试电路模型；基于碳化硅MOSFET等效测试电路模型，对碳化硅MOSFET开关过程进行分析，得到漏源电压在开关过程中的通用波形；根据漏源电压在开关过程中的通用波形计算出碳化硅MOSFET在时域的分段函数表达式；根据分段函数表达式构建碳化硅MOSFET干扰源的通用波形模型。本发明可以更为精确预测电磁干扰，极大提高了预测电磁干扰的准确性。
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公开(公告)号：CN116205190B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310492913.9
申请日：2023-05-05
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06N3/006
摘要： 本发明提供一种IGBT物理模型参数获取方法及装置。IGBT物理模型参数获取方法包括：对粒子群中的各个粒子进行迭代，每次迭代完成后，计算各个粒子的位置矩阵；第t+1次迭代完成后，若判断满足迭代停止的条件，则停止迭代，且将粒子群的群体最优位置矩阵的第i列元素的值作为所获取的第i个IGBT物理模型参数的值。迭代停止的条件为条件一或条件二；条件一：第t+1次迭代完成后，粒子群的群体最优位置矩阵所对应的IGBT物理模型的特性值与实际IGBT器件的特性值之间的误差小于或不大于预设误差阈值；条件二：迭代次数达到预设最大迭代次数。
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