公开(公告)号：CN113330538A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202080010817.0

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 后藤顺 ,  杨映保 ,  水村通伸 ,  盐饱义大

IPC: H01L21/20

Abstract: 进行照射第一激光束来使非晶硅膜变化为微晶硅膜的第一激光束照射和使第二激光束以该微晶硅膜为起点沿着所述规定方向移动而在基板面上横向结晶生长出晶化硅膜的第二激光束照射，在基板面上沿着规定方向交替地形成微晶硅膜和晶化硅膜。

公开(公告)号：CN113261077A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202080007893.6

申请日：2020-01-17

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/20

Abstract: 进行如下工序：准备形成有由微晶硅构成的籽晶区域的被处理基板，其中，在位于栅极布线的上方的区域的非晶硅膜上设定有改性预定区域，在所述改性预定区域的、相对于所述栅极布线而言位于与该栅极布线的长度方向正交的方向上的外侧，形成有所述籽晶区域；进行横向晶体形成工序，在所述横向晶体形成工序中，使连续振荡激光以所述籽晶区域为起点沿着与所述栅极布线的长度方向正交的方向对所述非晶硅膜的表面进行照射并同时移动，以使各所述改性预定区域内的所述非晶硅膜成为晶化硅膜的方式选择性地进行晶体生长。

公开(公告)号：CN107430990B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201680014402.4

申请日：2016-02-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管基板、显示面板以及激光退火方法。本发明实现提高激光退火的吞吐量，并且通过向TFT通道宽度内以高精度照射激光图案而进行激光退火，从而获得电子迁移率较高，并且具有高电位保持特性，低功耗的TFT基板。本发明的薄膜晶体管基板(1)沿基板(1A)上的纵列及横排分别排列有多个薄膜晶体管(10)，各薄膜晶体管(10)具备对形成通道区域的非晶硅层(13)进行激光退火以形成多晶硅层的激光退火部(10A)，激光退火部(10A)沿进行激光退火的激光与基板相对移动的扫描方向(S)以设定间距来配置，在与扫描方向(S)正交的方向上所形成的通道宽度(W)内具有比通道宽度还狭窄的激光退火部(10A)。

公开(公告)号：CN111164736A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880063196.5

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种激光照射装置、及激光照射方法，在对基板上的指定的区域作激光退火的情况时，能够抑制激光的照射所需要的能量。本发明的一实施形态之中的激光照射装置是具备产生激光的光源、及激光头，包含柱面镜，而柱面镜接受激光，在平行于基板的移动方向的方向上产生细线状的激光束，其中激光头对覆膜了非晶硅薄膜的基板的指定的区域照射细线状的激光束，以在该指定的区域形成多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN111052311A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058153.8

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  畑中诚 ,  泷本政美 ,  斋藤香织

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 算出与进行退火的处理区域接近的未被照射激光的非处理区域的层叠结构的各构成膜的膜厚计算值，通过处理区域的第二分光谱测量值与根据膜厚计算值而计算的第二分光谱计算值的拟合，算出处理区域的结晶化水平，调整对于下次进行激光退火处理的TFT基板照射的激光的激光能量。

公开(公告)号：CN111033693A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880051857.2

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  畑中诚 ,  新井敏成

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于基板的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其配置在所述投影透镜上，包含使所述激光以规定的投影图案透过的长方形形状的透过区域，所述长方形形状的透过区域的短边的长度是透过了所述投影掩模图案的激光的照射能量在所述规定的区域中成为大致均匀的长度。

公开(公告)号：CN106488995B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201580036959.3

申请日：2015-06-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  工藤修二 ,  梶山康一

IPC: C23C14/04 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明具备：掩模层(1)，其与在显示面板(5)的显示面上成膜形成的透明电极对应而具有与该透明电极的形状尺寸相同的开口图案(4)；以及支撑层(2)，其具有横穿开口图案(4)而设置于掩模层(1)的一个面(1a)的多个支撑线(2a)，支撑层(2)的支撑线(2a)的排列间距设为可抑制由作为成膜的膜厚不匀而转印到透明电极上的支撑线(2a)的阴影导致的莫尔条纹或者衍射条纹的发生的尺寸。

公开(公告)号：CN106232857B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580020787.0

申请日：2015-04-06

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  G06F3/041

CPC classification number: B05B12/20 ,  B05D1/32 ,  B05D5/00 ,  B05D7/24 ,  B05D7/54 ,  B05D2202/00 ,  C23C14/042 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04107 ,  G06F2203/04112

Abstract: 本发明涉及成膜掩膜、成膜掩膜的制造方法以及触摸面板的制造方法，该成膜掩膜具备：片状的遮蔽部件(2)，其与被形成于被成膜基板(8)上的薄膜图案对应地具有开口部(5)；以及网孔(3)，其在与所述遮蔽部件(2)的一面(2b)之间设置有间隙并在所述开口部(5)的侧壁(5a)部分被支承于所述遮蔽部件(2)，并在所述开口部(5)内具有多个格子点(6)。

公开(公告)号：CN109112476A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201811106536.6

申请日：2014-12-04

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供成膜掩膜的制造方法，向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4)，通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射，来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁(4a)的开口图案(4)，其中光束整形用掩膜(10)具有供上述激光透过的透光窗(18)，且在该透光窗(18)的外侧使该透光窗(18)的至少一对边的侧方区域的透光率，随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减小。

公开(公告)号：CN107111252B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201680005296.3

申请日：2016-01-06

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B26/10 ,  G02B3/0037 ,  G02B3/0056 ,  G02B26/101 ,  G03F7/2008 ,  G03F7/70241 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70358 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种投影曝光装置。在一边单向扫描微透镜阵列一边将掩模的掩模图案投影曝光于基板上的投影曝光装置中，即使在微透镜中存在缺陷或不良时，也不会产生显著的曝光不均。投影曝光装置(1)具备：扫描曝光部(10)，使微透镜阵列(2)沿着从基板(W)的一端朝向另一端的扫描方向(Sc)移动；及微透镜阵列位移部(20)，在基于扫描曝光部(10)的微透镜阵列(2)的移动中，使微透镜阵列(2)沿着与扫描方向(Sc)交叉的位移方向(Sf)移动。