公开(公告)号：CN120035880A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202380072258.X

申请日：2023-12-01

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 奥野武志 ,  木下理裕 ,  桥爪瑞葵 ,  杨映保 ,  针谷香织 ,  后藤顺

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/064 ,  G02B6/42 ,  H01L21/20

Abstract: 激光退火装置具备射出激光的光源以及供所述激光从一端部入射并传输所述激光而将激光从另一端部射出的多模的光纤，其中，激光退火装置具备具有振动头部的振动源，所述光纤配置于所述振动头部的安装面，激光退火装置具备支承部，该支承部覆盖配置于所述安装面的所述光纤的区域且将所述光纤支承并按压于所述安装面，所述光纤与和该光纤接触的所述支承部的振动传递率设定为比所述安装面与所述光纤的振动传递率小。

公开(公告)号：CN114207797A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080056343.3

申请日：2020-08-07

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 小杉纯一 ,  后藤顺 ,  鸟山诚也

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28

Abstract: 激光退火装置向成膜在基板上的被退火处理膜照射从光源振荡出的连续振荡激光，使所述被退火处理膜改性为晶化膜，其中，所述激光退火装置具备光束加工部，该光束加工部对所述连续振荡激光进行加工，使其成为收敛的激光束，在所述激光束最为收敛的光斑部位于所述被退火处理膜的膜内部的状态下，该激光束相对于所述被退火处理膜相对地进行扫描。

公开(公告)号：CN118742994A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380023503.8

申请日：2023-01-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 木下理裕 ,  杨映保 ,  鸟山诚也 ,  小杉纯一 ,  后藤顺 ,  泽井卓哉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 激光退火装置具备射出激光束的多个光束出射部，所述激光束由连续振荡激光构成且相对于被照射面具有长方形的光束点，所述激光退火装置使所述激光束相对于在基板上成膜的非晶硅膜沿着扫描方向相对地进行扫描，而将所述非晶硅膜的带状的改性预定区域晶化，其中，所述光束点的长边与正交于所述扫描方向的方向平行，所述光束点的长边的长度设定为比由于内部应力而使所述基板破损的长度短，其中，所述内部应力是伴随着基于所述激光束的照射引起的加热而产生的对所述基板来说固有的应力。

公开(公告)号：CN114787969A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080084865.4

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社V技术 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 后藤顺 ,  斋藤香织 ,  池上浩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的多晶膜具备多个晶粒沿着膜面方向以相互邻接的方式均匀地配置且在划分相互邻接的一对所述晶粒彼此的晶界面中的所述膜面方向上的两端部配置有非晶体生长区域的结构。根据本发明，能够实现具有表面平坦性并具备均匀且稳定的电特性及高的机械特性的多晶硅薄膜、铝薄膜、铜薄膜等多晶膜、多晶膜的形成方法、用于多晶膜的制造的激光晶化装置、以及具备多晶膜的具有良好的电特性及高耐压特性的半导体装置。

公开(公告)号：CN113330538A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202080010817.0

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 后藤顺 ,  杨映保 ,  水村通伸 ,  盐饱义大

IPC: H01L21/20

Abstract: 进行照射第一激光束来使非晶硅膜变化为微晶硅膜的第一激光束照射和使第二激光束以该微晶硅膜为起点沿着所述规定方向移动而在基板面上横向结晶生长出晶化硅膜的第二激光束照射，在基板面上沿着规定方向交替地形成微晶硅膜和晶化硅膜。

公开(公告)号：CN113169054A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076628.0

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 后藤顺 ,  泽井卓哉

IPC: H01L21/268

Abstract: 激光退火装置具备：光源部，其具备射出激光束的半导体激光器；均匀化元件，其具有光入射面和与该光入射面对置的光出射面，从半导体激光器直接射出的激光束向光入射面入射，从光出射面射出均匀化了的激光束；以及出射侧成像系统，其将该均匀化元件的光出射面向被处理基板的表面投影。