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公开(公告)号：CN103025471B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201180036018.1
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/362 , B23K26/00 , B23K26/046 , B23K26/073 , B23K26/402
CPC classification number: H01L23/147 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/30608 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/49827
Abstract: 一种激光加工方法，具备：改质区域形成工序，通过将激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），沿着相对于加工对象物（1）的厚度方向朝向一个侧方侧倾斜的改质区域形成预定线（5b），在加工对象物（1）的内部形成多个改质点（10），通过这些多个改质点（10）形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在改质区域形成工序之后，对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，由此沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，在加工对象物（1）形成相对于厚度方向倾斜延伸的空间，在改质区域形成工序中，以邻接的改质点（10）的至少一部分从一个侧方方向看互相重叠的方式，形成多个改质点（10）。
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公开(公告)号：CN103025475B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180036377.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/382 , B23K26/00 , B23K26/402 , B23K26/60 , C03C15/00 , C03C23/00
CPC classification number: C03C15/00 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/55 , B23K26/60 , B23K2103/50 , C03C23/0025 , C03C23/003 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/49827
Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由玻璃形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（24）的激光加工方法，其包含：褐变工序，使加工对象物（1）的至少一部分通过褐变而变色；激光聚光工序，在褐变工序之后，使激光（L）聚光于加工对象物（1），由此在加工对象物（1）的变色部分形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在激光聚光工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，由此沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（24）。
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公开(公告)号：CN103025475A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036377.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/55 , B23K26/60 , B23K2103/50 , C03C23/0025 , C03C23/003 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/15 , H01L23/49827
Abstract: 一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由玻璃形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（24）的激光加工方法，其包含：褐变工序，使加工对象物（1）的至少一部分通过褐变而变色；激光聚光工序，在褐变工序之后，使激光（L）聚光于加工对象物（1），由此在加工对象物（1）的变色部分形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在激光聚光工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，由此沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（24）。
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公开(公告)号：CN103025474A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036345.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/40 , H01L21/306
CPC classification number: H01L23/481 , B23K26/382 , B23K26/384 , B23K26/40 , B23K26/55 , B23K2103/50 , B81B2203/0353 , B81B2203/0384 , B81C1/00087 , B81C2201/0143 , H01L21/30608 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种激光加工方法，其特征在于，是用来在由硅形成的板状的加工对象物（1）上形成孔（24）的激光加工方法，其具备：凹部形成工序，在加工对象物（1）的激光入射面侧，将在该激光入射面（3）开口的凹部（10）形成在与孔（24）对应的部分；改质区域形成工序，在凹部形成工序之后，通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与孔（24）对应的部分形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，并在加工对象物（1）形成孔（24），在改质区域形成工序中，使改质区域（7）或从该改质区域（7）延伸的龟裂（C）露出于凹部的内面。
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公开(公告)号：CN103025471A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036018.1
申请日：2011-07-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/04 , B23K26/073 , B23K26/40
CPC classification number: H01L23/147 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/30608 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/49827
Abstract: 一种激光加工方法，具备：改质区域形成工序，通过将激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），沿着相对于加工对象物（1）的厚度方向朝向一个侧方侧倾斜的改质区域形成预定线（5b），在加工对象物（1）的内部形成多个改质点（10），通过这些多个改质点（10）形成改质区域（7）；以及蚀刻处理工序，在改质区域形成工序之后，对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，由此沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展，在加工对象物（1）形成相对于厚度方向倾斜延伸的空间，在改质区域形成工序中，以邻接的改质点（10）的至少一部分从一个侧方方向看互相重叠的方式，形成多个改质点（10）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102496555A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110408198.3
申请日：2006-06-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/28 , H01J5/24 , H01L51/5243 , H01L51/5246
Abstract: 本发明的目的在于，即使在小型化的情况下，也能够充分地维持真空容器的气密性。光电子倍增管(1)包括：平板状的下侧基板(4)、设置在该下侧基板(4)上的框状的框架(3b)、包含夹着低熔点金属而气密地接合于该框架(3b)的开口部的框架(3a)的上侧基板(2)、以及在下侧基板(4)上的框架(3b)的内侧与框架(3b)并列设置的框状的突起(25b)。
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公开(公告)号：CN102470551A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029910.2
申请日：2010-07-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B28D5/00 , B23K26/00 , B23K26/38 , C03B33/09 , H01L21/301
CPC classification number: B28D5/00 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222 , C03B33/07 , H01L21/78 , Y10T225/12
Abstract: 由于加工对象物(1A)的背面(1b)与分断用加工对象物(10A)的表面(10a)通过阳极接合而接合，因而以熔融处理领域(13)作为起点而产生于分断用加工对象物(10A)的厚度方向的龟裂(17)，连续且几乎不改变其方向地，到达加工对象物(1A)的表面(1a)。然后，在加工对象物(1A、10A)被切断后，从加工对象物(1A)移除加工对象物(10A)，而得到芯片(19)。
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公开(公告)号：CN102468110A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010589518.5
申请日：2010-10-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光电倍增管(1)，具有：具有沿框体(5)的内表面(40a)上的电子倍增方向排列的多级的倍增极(33a～331)的电子倍增部(33)；在框体(5)内与电子倍增部(33)隔开设置的光电面(41)以及阳极部(34)，倍增极(33c～33e)分别具有形成有二次电子射出面(53c～53e)的多个柱状部(51c～51e)，在邻接的柱状部之间形成电子倍增通道(C)，后级侧的柱状部(51e)中对着前级侧的柱状部(51d)的相对面(54e)，以将与柱状部(51d)的二次电子射出面(53d)的另一端侧的端部相对的部位(55e)作为基准，沿相对面(54e)的内表面(40a)的方向的两端部(56e、57e)向一端侧突出的方式形成。
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公开(公告)号：CN102468108A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010546518.7
申请日：2010-11-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的光电倍增管(1)，其特征在于：具备由上侧框架(2)以及下侧框架(4)构成的箱体(5)、具有被排列于下侧框架(4)上的倍增极(33a～331)的电子倍增部(33)、光电面(41)以及阳极部(34)；在上侧框架(2)的相对面(20a)上设置有导电膜(202)；电子倍增部(33)具有被设置于倍增极(33a～33d)各自的下侧框架(4)一侧的基台部(52a～52d)、在沿着各个基台部(52a～52d)相对面(40a)的方向的一个端部上被连接于导电膜(202)的供电部(53a～53d)；基台部(52a～52d)是以其两端部被接合于该相对面(40a)并且其中央部从该相对面(40a)分离的方式被构成的，而且是以供电部(53a～53d)一侧的一个端部的截面积成为比另一个端部上的截面积大的方式被形成的。
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公开(公告)号：CN1922710B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580005168.0
申请日：2005-02-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J43/24
Abstract: 本发明涉及一种实现高倍增效率的微细结构的光电子倍增器。该光电子倍增器包括内部维持真空的外围器，在该外围器内，配置有放射对应入射光的光电子的光电面，级联倍增从该光电面射出的光电子的电子倍增部，用于取出由该电子倍增部生成的二次电子的阳极。特别是，在电子倍增部，形成有用于级联倍增来自光电面的光电子的槽部，规定该槽部的一对壁部(311)的各表面上，设有在表面上形成有二次电子射出面的1个或1个以上的凸部(311a)。
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