一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法

    公开(公告)号:CN118966145A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410988762.0

    申请日:2024-07-23

    Abstract: 本发明公开了一种平面肖特基势垒二极管寄生参数的快速提取方法,属于太赫兹固态器件技术领域,具体为:在有限元电磁仿真软件内构建包含共面波导的平面肖特基势垒二极管三维电磁模型,以及无空气桥的、肖特基结短路的和肖特基结开路的三维电磁模型;在电路仿真软件内分别构建无空气桥的、肖特基结短路的和肖特基结开路对应的等效电路;在工作频段范围内依次对无空气桥的、肖特基结短路的以及肖特基结开路的等效电路进行电路仿真,通过调节寄生参数,使其与对应三维电磁模型的电磁仿真的S11和S21趋于一致,进而确定平面肖特基势垒二极管的寄生参数;本发明无需繁琐的数学计算以及长时间的实物加工测试,即可获得寄生参数,可用于快速优化设计高性能的平面肖特基势垒二极管,尤其适用于太赫兹频段的电路设计。

    基于反学习和注意力的深度学习后门攻击防御方法

    公开(公告)号:CN118468281A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410547234.1

    申请日:2024-05-06

    Inventor: 张勇 吕锡香

    Abstract: 本发明公开一种基于反学习和注意力的深度学习后门攻击防御方法,主要解决现有后门防御方案中防御效率低下、防御面单一以及对防御者能力要求较高的问题。本发明的实现步骤为生成反学习模型;通过相似度函数,检测后门样本;计算后门样本的注意力值;根据注意力值,净化后门样本;将净化后的样本输入到模型中,得到其正确分类。本发明通过反学习模型,扩大了后门样本和干净样本的差异性,使得后门样本检测更加精确;并且,本发明通过后门样本注意力特征,提出一种后门样本净化方案,使得防御体系更加完善。

    一种基于复合零磁扰动的试件内外缺陷检测装置

    公开(公告)号:CN118443780A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410602138.2

    申请日:2024-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于复合零磁扰动的试件内外缺陷检测装置,将搭载复合探头的移动载体放置于被测试件上,然后通过控制移动载体移动来完成被测试件的缺陷检测;具体讲,当u形永磁体靠近试件时产生磁相互作用,形成平衡磁场;当试件表面出现缺陷时,磁阻发生变化,导致空气中的磁场发生偏转,内磁传感器捕获因为缺陷处磁阻变化带来的磁感线偏转反馈到零磁空间带来的扰动变化量,外部磁传感器会捕获因为内外缺陷处因为磁压缩泄露的漏磁场;然后通过数据采集卡记录内外磁传感器输出值的变化,并将电压信号传输至计算机进行分析和处理,从而判断出缺陷的内外分布和大小信息。

    一种基于肖特基势垒二极管的分布式混频电路

    公开(公告)号:CN117997278A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410150372.6

    申请日:2024-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基势垒二极管的分布式混频电路,属于毫米波技术领域,包括本振输入结构、射频输入结构、混频器内核、射频终端短路结构和中频输出结构;混频器内核包括多个二极管对混频单元以及位于相邻二极管对混频单元之间的混频匹配电路;二极管对混频单元包括两个同相并联的肖特基势垒二极管以及两段四分之一中心频率波长的传输线;本振输入结构与射频输入结构分别连接至首个二极管对混频单元的两个传输线,末个二极管对混频单元的一个传输线连接至中频输出结构,另一个传输线连接至射频终端短路结构。本发明无需180°电桥,可实现超宽带混频器设计,改善混频器的噪声性能和动态范围,提升1dB压缩点和三阶截断点。

    一种基于三角形波导的径向功率分配/合成器

    公开(公告)号:CN117352981A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311479299.9

    申请日:2023-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于三角形波导的径向功率分配/合成器,属于微波毫米波太赫兹器件技术领域,包括矩形输入端口、矩形隔离端口、输出三角形端口、阶梯形隔板、两个阶梯形渐变波导结构、三角形波导、匹配结构和三个矩形输出端口;矩形输入端口与矩形隔离端口同向并排设置,二者端口尾部分别对应连接一个阶梯形渐变波导结构,两个阶梯形渐变波导结构的末端共同构成输出三角形端口;阶梯形隔板位于两个阶梯形渐变波导结构后半部的中间;输出三角形端口通过三角形波导连接至匹配结构,进而连接至三个等夹角排布的矩形输出端口。本发明实现TE10电磁波至圆极化TE11电磁波的转换,实现超过30%的相对带宽,易加工,适用更多应用场景。

    一种抑制带内谐振的太赫兹单片-波导过渡结构

    公开(公告)号:CN117293503A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311429484.7

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种抑制带内谐振的太赫兹单片‑波导过渡结构,属于太赫兹单片封装技术领域,包括芯片腔体、芯片衬底、集成天线结构、波导腔体和两个CMRC结构;其中,芯片腔体与波导腔体相连;芯片衬底位于芯片腔体内部,且芯片衬底宽度大于波导腔体宽度;集成天线结构设置在芯片衬底上表面,包括传输线以及位于波导腔体一侧的偶极子天线;两个CMRC结构对称设置在偶极子天线的两侧。本发明通过设置CMRC结构,将原本偶极子天线的部分侧向传输的能量限制在CMRC结构内部,有效避免腔体带内谐振问题,实现宽带低损耗传输;结构简单,易于实现,并与现有国产InP基工艺线兼容,在太赫兹单片封装领域中具有良好的应用前景。

    一种基于波导可重构的多频段太赫兹高效率倍频器

    公开(公告)号:CN116722823A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310697118.3

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于波导可重构的多频段太赫兹高效率倍频器,属于太赫兹技术领域,包括依次的第一输入减宽波导、微带电路、输出减宽波导和输出矩形波导,以及与第一输入减宽波导相连的多个可拆卸重构的输入匹配一体化结构,设置在第一输入减宽波导外围的法兰扼流环;通过拆卸更换输入匹配一体化结构,实现目标波导带宽内多个频段点的倍频输出。本发明仅采用一个微带电路芯片、一个主体腔体、一个输出匹配结构和多个可拆卸重构的输入匹配一体化结构,即可实现目标波导带宽内多个频段点的高效率倍频输出,不仅满足了模型小型化趋势,也极大降低了芯片成本。

    一种双层对称差分平面涡流检测传感器

    公开(公告)号:CN111398413B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202010337454.3

    申请日:2020-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种双层对称差分平面涡流检测传感器,通过信号发生器产生激励信号并发送至功率放大器,通过功率放大器放大后通过引线接入到激励线圈的焊盘上,激励线圈在激励信号的驱动下产生初级磁场,当被测试件处在初级磁场时,初级磁场在被测试件表面产生涡流,涡流在缺陷处流向发生改变,因为涡流发生了变化,涡流生成的次级磁场发生变化,通过检测线圈的磁通量发生变化,进而检测线圈的幅值和相位发生变化,因此,将初级磁场产生的感应电压和次级磁场产生的感应电压通过检测线圈的焊盘输入至信号处理电路,然后进行幅值、相位提取,再经过放大和滤波处理后,通过上位机处理采集的检测信号,进而准确的检测出缺陷信息。

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