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公开(公告)号：CN113097032B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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公开(公告)号：CN113120915B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
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公开(公告)号：CN115753325A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211588185.3
申请日：2022-12-09
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01N1/44
摘要： 本发明涉及一种辐照腔，具体为一种全局均匀增强大型效应物内部场强及避免击穿的辐照腔。即克服常规增加辐照腔场强手段存在的实施可行性低、加剧辐照腔击穿的问题，又克服在辐照腔内使用绝缘介质块和绝缘介质套方案，存在的场强增强均匀性略差及不能完全避免辐照腔击穿的问题。本发明在传统辐照腔工作空间的两个平行金属板之间加上由绝缘介质构成的绝缘介质框，且在绝缘介质框内加上特定数量、形状及尺寸的绝缘介质块，并在大型效应物的下方加上特定形状及尺寸的绝缘介质底座，同时达到了“全局均匀增强辐照腔中大型效应物内场强”和“有效避免辐照腔击穿”的技术效果。
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公开(公告)号：CN112652430B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202011551276.0
申请日：2020-12-24
摘要： 本发明属于真空高压绝缘技术领域，是一种表面具有微阵列结构的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子表面为阵列的微空腔结构，相邻空腔间为竖直的薄壁结构，薄壁与空腔组合形成六边形蜂窝状、方形蜂窝、三角形蜂窝及圆孔蜂窝结构。由于空腔壁较薄，使得整个幅面绝大部分面积被空腔占据。该绝缘子可采用激光微刻蚀的方法，通过在绝缘子表面刻蚀出相应形状的空腔结构，并在阵列空腔之间预留一定的薄壁结构，最终得到表面具有蜂窝状微阵列的绝缘子。该绝缘子真空沿面耐压强度较原始绝缘子提高了80％～100％，可应用于真空高压绝缘器件及其他环境下的高压绝缘器件。
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公开(公告)号：CN113675621A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110954542.2
申请日：2021-08-19
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明公开了一种加载电流环的紧耦合阵列天线及天线单元。该阵列天线包括按照阵列排布的若干个天线单元，每相邻两个天线单元的E面之间形成紧耦合机制，确保两个相邻天线单元的电流幅度趋于恒定，相位趋于平滑渐变，相当于借用了邻近单元结构扩展了本单元的电长度，使阵列天线在低频段具有良好的匹配特性，实现以小尺寸辐射低频，同时每个天线单元的辐射主体部分与地板之间通过接地带连接，从而构成电流环，电流环将未通过口面辐射出去的电流利用起来形成磁振子，与天线本身的电振子构成互补，不仅能消除发射，而且能进一步增强辐射能力。
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公开(公告)号：CN111799140A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010680612.5
申请日：2020-07-15
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 为了提高相对论返波管的束波转换效率，本发明提高一种反馈增强的相对论返波管。包括返波管管体、环形阴极、谐振反射器、慢波结构、提取腔、输出波导和磁场线圈；还包括依次位于提取腔与输出波导之间的圆波导及波导腔；波导腔用于将部分输出微波反射至提取腔内；波导腔由两个梯形腔构成；波导腔的内半径分别为r1、r2、r3和R12；内半径r1和r2对TM03模截止；内半径r3和R12对TM01模导通，TM02模截止；圆波导的内半径R11对TM01模导通，对TM02模截止；圆波导的轴向长度L至少半个导波波长内可调，满足λg/2＜L，其中λg为TM01模的导波波长。通过改变圆波导的轴向长度可以有效调节微波反馈的相位，当反馈增强时可以增强提取腔内的工作场强，进一步实现更充分的电子束减速，提高器件束波转换效率。
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公开(公告)号：CN106782932B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201611238475.X
申请日：2016-12-28
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明公开了一种应用于高压绝缘领域的高梯度表面微带绝缘子及其制备方法，主要解决现有技术制备工艺复杂、绝缘子可靠性差、耐表面击穿电压较低，难以满足高压装置对真空绝缘要求等问题。所述绝缘子本体表面雕刻有周期性微槽阵列，微槽中有原位生长的金属微带。所述制备方法包括以下步骤：[1]按照设计的绝缘子外形尺寸加工出绝缘子本体；[2]在绝缘子本体表面雕刻出周期性微槽阵列；[3]配制PdCl2/PVP/乙醇或AgNO3/PVP/乙醇胶液，对刻槽后绝缘子本体进行浸渍或涂覆后自然晾干；[4]采用激光诱导活化的方法在微槽表面上形成金属颗粒；[5]采用化学镀的方法在微槽中原位生长出金属微带。本发明可应用于高功率微波技术、高功率激光器、介质壁加速器等尖端设备绝缘领域。
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公开(公告)号：CN109632456A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811527792.2
申请日：2018-12-13
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明提出一种辐照腔中大型效应物内部场强全局增强的装置，提高了大型效应物内部大块区域的场强，达到了大型效应物内部测点场全局增强的效果。本发明在辐照腔工作空间上、下平板的间距减小可以增加工作空间的场强、以及电磁波在介质表面会发生反射和折射理论的基础上，研究辐照腔中大型效应物内部场强的全局增强方式时发现，采用在辐照腔工作下金属板上放置一定尺寸、形状及介质参数的介质块、效应物搁置在该介质块上、并给效应物加上介质套时，大型效应物内部的场出现了全局增强的现象，而且场强增强的效果在一定程度上要好于减小辐照腔工作空间上、下平行板的间距以及增加辐照腔激励源的电压峰值等常规手段。
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公开(公告)号：CN106601388B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201611237411.8
申请日：2016-12-28
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明公开了一种应用于高压绝缘材料技术领域，具有孔穴微槽织构化表面的绝缘子及其制备方法，主要解决现有技术耐表面击穿电压较低、可靠性不高、重复性差，难以满足高压装置对真空绝缘要求等技术问题。该绝缘子包括绝缘子本体，所述绝缘子本体为聚合物材质，其表面织构有周期性平行V形微槽阵列，微槽的表面均布有微米级尺寸的孔穴，所述微槽由激光刻制而成，所述孔穴由激光烧蚀而成。其制备方法是采用激光刻槽，在绝缘子本体表面刻制出微槽阵列；采用激光烧蚀，在微槽表面形成孔穴。本发明可应用于真空高压绝缘器件领域及其他环境下的高压绝缘领域。
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公开(公告)号：CN103515677B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310446475.9
申请日：2013-09-26
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01P1/18
摘要： 本发明涉及通信器件技术领域，具体涉及一种高功率微波移相器。该高功率微波移相器包括：矩形波导、位于所述矩形波导一个E面的圆波导以及位于所述矩形波导其他面的模转变及圆极化单元；所述圆波导内设置有可沿所述圆波导轴线方向运动的短路活塞；所述模转变及圆极化单元用于将TE10模微波转变为极化正交、具有相同幅度且相位差为90度的两个TE11模微波输入所述圆波导。由于本发明实施例所提供的高功率微波移相器无需借助铁氧体材料即可实现移相，因此可以减小移相器的尺寸、降低移相器的损耗；同时，由于该高功率微波移相器可以全部为金属材质，因此可以实现高功率容量。
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