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公开(公告)号：CN103184453A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310110330.1
申请日：2007-05-10
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： C23F1/16 , G02F1/1362
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
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公开(公告)号：CN103168367A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050436.6
申请日：2011-10-11
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01G9/209 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及具备光散射层的染料敏化太阳能电池模组及其制造方法，将形成有孔的光散射层形成于工作电极（光电极）上，从而确保染料敏化太阳能电池模组的半透明或者透明状态并且增加太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN101389596B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200780006342.2
申请日：2007-02-09
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： C07C229/60 , C08G73/10 , C09K19/00
CPC分类号： C09K19/56 , C07C211/50 , C07C217/76 , C07C2601/14 , C08G73/10 , G02F1/133723
摘要： 本发明提供垂直取向模式的液晶显示装置的取向材料及其制备方法，更具体而言，本发明提供了由式1表示的二氨基苯衍生物、其制备方法以及使用所述物质的液晶取向膜，所述二氨基苯衍生物能够使液晶以均一且垂直的方式取向，并且显著地改善了清晰度和相对于有机溶剂的溶解度。
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公开(公告)号：CN101362033B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200810144922.4
申请日：2008-08-07
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： B01D21/26
摘要： 本发明涉及半导体或显示屏制造工艺的试液再循环方法和装置，其能够在工序进行中除去半导体或显示屏制造工艺的试液(特别是在清洗或剥离工序中的清洗液或剥离液)所含有的渣，能够实现连续运转和实时运转，通过调节离心加速度、停留时间等而具有能够容易地实现对工序上难除去的颗粒状微粒进行固液分离至所期望的粒度范围的效果。所述方法的特征在于，其包含如下阶段：由半导体或显示屏工艺设备向外部供给使用过的试液的阶段；对所述试液进行离心分离，分离成i)渣和ii)试液的离心分离阶段；将在离心分离阶段中在离心力的作用下被分离排出的试液收集，再供给到工艺设备中的再循环阶段；和将由离心分离阶段分离出的渣收集的阶段。
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公开(公告)号：CN101093365B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200710123038.8
申请日：2007-06-22
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种用于去除在电子电路或显示元件的布图(pattern)过程中所使用的抗蚀膜、且能够抑制对金属布线腐蚀的抗蚀膜(resist)剥离剂组合物，所述抗蚀膜剥离剂组合物优选包含：a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；和b)余量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。本发明可进一步包含极性溶剂。本发明抗蚀膜剥离剂组合物，在进行去除光致抗蚀膜的工序过程中，将不会腐蚀金属布线，且具有优秀的剥离效果。
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公开(公告)号：CN101435995B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810171829.2
申请日：2008-11-12
申请人： 株式会社东进世美肯
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C69/94 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08G65/3315 , C08G65/3326 , C08G65/3346 , G03F7/0392
摘要： 本发明公开了光敏化合物以及包含该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物，该光敏化合物作为分子抗蚀剂，其粒径小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物，并且该光敏化合物能够形成纳米组装。用以下通式表示所述光敏化合物。此外，本发明提供了光致抗蚀剂组合物，其包含1wt％至85wt％(重量％)的光敏化合物；相对于100重量份的光敏化合物，0.05至15重量份的光致产酸剂；以及相对于100重量份的光敏化合物，50至5000重量份的有机溶剂。在所述通式中，n是氧化异丙基(-CH(CH3)CH2O-)单体的重复个数，并且是1至40的整数，以及R是1至20个碳原子的烷基基团或3至20个碳原子的环烷基基团。
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公开(公告)号：CN101599311B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910146422.9
申请日：2009-06-02
申请人： 株式会社东进世美肯
摘要： 本发明涉及黑色导电膏组合物、利用该组合物的防电磁波过滤器及具有该过滤器的显示器。所述黑色导电膏组合物包括：a)高分子树脂及单体或低聚物；b)溶剂；d)玻璃粉；e)导电物质及f)黑色颜料，其中导电物质包括平均粒径为0.5-5μm的导电金属粉及平均粒径为0.02-0.09μm的导电微粒。在制造设置在等离子体显示器面板上并用来防止电磁波的防电磁波过滤器时，本发明的组合物可适于采用凹版胶印方法制造防电磁波过滤器，尤其可以提高低温烧成效果并防止印刷特性的下降。
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公开(公告)号：CN101424888B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810174803.3
申请日：2008-10-31
申请人： 株式会社东进世美肯
摘要： 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。
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公开(公告)号：CN102725695A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080039879.0
申请日：2010-09-14
申请人： 株式会社东进世美肯
IPC分类号： G03F7/09
CPC分类号： G03F7/091 , B05D3/02 , C07D251/06 , C08F283/00 , C08G75/00 , C08K5/0025 , C08K5/42 , C09D5/006 , G03F7/168 , H01L21/0201 , H01L21/0271 , H01L21/4757 , H01L31/02168 , H01L2924/0705 , H01L2924/364 , C08L81/00
摘要： 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。
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