公开(公告)号：CN104995715B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201480008683.3

申请日：2014-01-24

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·伍伊斯特尔 ,  T·朱兹海妮娜 ,  M·杜萨

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/80 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785

Abstract: 一种形成多个规律地间隔的光刻特征的方法，所述方法包括：在衬底上的多个沟道中提供能够自组装的嵌段共聚物，所述嵌段共聚物具有第一嵌段和第二嵌段，每个沟道包括相对的侧壁和基部，所述侧壁具有侧壁间的宽度，其中第一沟道具有大于第二沟道的宽度；使能够自组装的嵌段共聚物在每个沟道中自组装成有序层，所述层具有与第二嵌段的第二域交替的第一嵌段的第一域，其中所述第一沟道和第二沟道具有相同数量的每种相应的域；以及选择性地移除第一域，以沿着每个沟道形成具有第二区域的规律地间隔的成行的光刻特征，其中，在第一沟道中的特征的节距大于在第二沟道中特征的节距。

公开(公告)号：CN107910252A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711105919.7

申请日：2017-11-10

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 孙赛 ,  俞敏 ,  曹亚民

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0271 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种部分侧墙刻蚀改善白色像素的方法，包括：步骤一、对晶圆1的上表面涂布光刻胶。步骤二、对光刻胶图形化，露出第一工艺窗和第二工艺窗。步骤三、通过第一工艺窗和第二工艺窗将第二侧墙去除。步骤四、对第二侧墙去除后露出的部分进行离子注入。步骤五、对光刻胶进行去胶。本发明仅对光刻胶打开的第一工艺窗和第二工艺窗进行第二侧墙的刻蚀减少不必要的刻蚀区域，降低刻蚀损伤，改善白色像素。

公开(公告)号：CN104812503B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201380016312.5

申请日：2013-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村松诚 ,  北野高广 ,  富田忠利 ,  田内启士

IPC: B05D7/24 ,  B05C9/14 ,  B05D3/02 ,  B05D3/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742

Abstract: 在本发明中，在基板上形成图案时，在基板上形成至少包括两种聚合物的嵌段共聚物的膜，在溶剂蒸气氛围下对该嵌段共聚物的膜进行加热，使得嵌段共聚物相分离，除去被相分离的嵌段共聚物的膜中的一种聚合物，因此，能够促进嵌段共聚物的聚合物的流动化，能够促进相分离。

公开(公告)号：CN107207813A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009052.2

申请日：2016-02-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郑雅如 ,  A·琼德尔 ,  A·沃拉 ,  M·芝奥 ,  D·P·桑德斯

IPC: C08L25/08 ,  C08L69/00 ,  C08L27/00 ,  C08L53/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C08F120/28 ,  B82Y30/00 ,  C08F12/20 ,  C08F12/24 ,  C08F112/14 ,  C08F114/18 ,  C08F120/22 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F214/182 ,  C08F214/186 ,  C08F220/22 ,  C08F220/24 ,  C08F2220/301 ,  C08F2438/01 ,  C08G64/18 ,  C09D7/65 ,  C09D125/18 ,  C09D169/00 ,  H01L21/0271 ,  C08L101/04 ,  C08F2/38 ,  C08F2220/281 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/282

Abstract: 在对自组装嵌段共聚物的结构域中性润湿的基底表面上制备包含用于自组装的高chi(χ)嵌段共聚物和含六氟醇的表面活性聚合物(SAP)的膜层。该嵌段共聚物包含至少一个聚碳酸酯嵌段和至少一个其它嵌段(例如取代或未取代的苯乙烯基嵌段)。其顶表面与气氛接触的膜层自组装以形成相对于下方表面具有垂直取向的层状或圆柱形结构域图案。用不含SAP的薄膜获得其它状态(例如高度1.0Lo的岛和孔)。该SAP优先与包含聚碳酸酯嵌段的结构域溶混并降低其表面能。

公开(公告)号：CN105051863B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201480015196.X

申请日：2014-02-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·伍伊斯特尔 ,  E·皮特斯

IPC: H01L21/027 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31058 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76802

Abstract: 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。

公开(公告)号：CN106847676A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201510881916.7

申请日：2015-12-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 胡华勇 ,  叶蕾 ,  刘剑尧 ,  张楠楠

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271

Abstract: 一种半导体器件的图案化方法及形成方法，其中图案化方法包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成正性光刻胶层；采用掩膜版对正性光刻胶层进行第一曝光，在正性光刻胶层中形成第一曝光区；对正性光刻胶层进行正性显影，去除第一曝光区的正性光刻胶层；正性显影后，采用所述掩膜版对正性光刻胶层进行第二曝光，在正性光刻胶层中形成第二曝光区，第二曝光和第一曝光中掩膜版相对正性光刻胶层的位置相同，第二曝光的曝光能量对应的曝光尺寸大于第一曝光的曝光能量对应的曝光尺寸；对正性光刻胶层进行负性显影，去除第二曝光区外的正性光刻胶层，形成具有环形图案的目标光刻胶层。所述图案化方法简化了半导体器件的图案化工艺且降低了成本。

公开(公告)号：CN103941538B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410153572.3

申请日：2014-01-20

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司

Inventor： D·王 ,  P·特雷福纳斯三世 ,  J·J·张 ,  P-W·庄

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/68

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B05D1/005 ,  B05D1/02 ,  B05D1/18 ,  B05D1/26 ,  B05D1/28 ,  B05D1/30 ,  B05D3/02 ,  B05D7/16 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3105

Abstract: 硬掩模表面处理。提供了一种处理硬掩模层表面的方法，所述硬掩模层包括具有(‑M‑O‑)n键的无机域，其中M为第3族至第14族的金属，且n＞1，所述方法包括：将硬掩模表面与表面处理组合物接触，以涂布硬掩模表面，其中所述表面处理组合物包括有机溶剂和含表面活性基团的表面处理剂。

公开(公告)号：CN106662821A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580038119.0

申请日：2015-07-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  志垣修平 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/04

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273

Abstract: 本发明的课题是提供，在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)。

公开(公告)号：CN106601597A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610880063.X

申请日：2016-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛宗翰 ,  罗冠昕 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31138

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，其包括形成图案化特征于基板之上、涂布(apply)包括第一聚合物及第二聚合物的定向材料于上述基板之上。上述第一聚合物具有第一活化能而第二聚合物具有第二活化能。上述方法亦包括于第一温度烘烤上述基板以形成包括第一聚合物的第一定向层、于第二温度烘烤上述基板以形成包括第二聚合物的第二定向层、以及于第一及第二定向层上进行定向自组装(directed self‑assembly，DSA)工艺。

公开(公告)号：CN104465374B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201310418179.8

申请日：2013-09-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 朱慧珑

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层；在第二材料层上形成辅助层；在辅助层中形成与将要形成的栅结构相对应的开口；形成第三材料层，以覆盖辅助层；在第三材料层上形成与栅结构中至少之一相对应的掩模层；在存在掩模层的情况下，对第三材料层进行构图，去除其横向延伸部分；去除辅助层；以构图后的第三材料层为掩模，对第二材料层进行构图，以形成可定义不同栅长的栅结构。