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公开(公告)号:CN104487432A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201380034790.9
申请日:2013-05-13
申请人: 株式会社LG化学
IPC分类号: C07D403/10 , C07D407/14 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0067 , C07D213/06 , C07D239/26 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D401/14 , C07D403/10 , C07D405/14 , C07D409/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/188 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0077 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0566 , H01L51/42 , H01L51/4253 , H01L51/5012 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/506 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5221 , H05B33/10 , Y02E10/549
摘要: 本发明提供一种新型化合物,其能够显著延长有机杂环器件的使用期限,并显著改善其功效、电化学稳定性和热稳定性;以及提供一种于其有机化合物层包含该化合物的有机杂环器件。
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公开(公告)号:CN104205390A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201380013586.9
申请日:2013-03-05
申请人: 默克专利有限公司
发明人: 克里斯托夫·普夫卢姆 , 弗兰克·福格斯 , 乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴 , 菲利普·斯托塞尔 , 约阿希姆·凯泽
IPC分类号: H01L51/00 , C07C211/61 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0056 , C09B19/00 , C09B21/00 , C09B23/141 , C09B57/00 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/185 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0077 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , H01L51/42 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5052 , H01L51/5064 , H01L2251/552 , H05B33/14 , Y02E10/549 , H01L51/0059
摘要: 本申请涉及一种电子器件,其含有阳极,阴极,在阳极和阴极之间的至少一个发光层,至少一个包含单三芳基胺作为主体材料的p掺杂层A,和至少一个包含单三芳基胺的层B。本发明还涉及一种p掺杂混合物,其包含式(II)、(III)或(IV)的单三芳基胺作为主体材料和电子受体化合物作为掺杂剂,还涉及该混合物在电子器件中的用途。
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公开(公告)号:CN104204028A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201380015956.2
申请日:2013-02-25
申请人: 斯马特凯姆有限公司
发明人: R.J.格里菲思
IPC分类号: C08G61/12 , C08L65/00 , C09D165/00 , C08K5/01
CPC分类号: H01L51/0036 , C08G61/02 , C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G61/128 , C08G75/06 , C08G2261/12 , C08G2261/124 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3243 , C08G2261/51 , C08G2261/5222 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08G2261/94 , C08G2261/95 , C08K5/01 , C09D11/52 , C09D165/00 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/50 , H01L2251/30 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C08L65/00
摘要: 本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物,包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。
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公开(公告)号:CN104204027A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201380015964.7
申请日:2013-02-25
申请人: 斯马特凯姆有限公司
发明人: R.J.格里菲思
IPC分类号: C08G61/02 , H01L51/00 , C08L65/00 , C08K5/01 , C09D165/00 , H01B1/12 , H01L51/05 , C08G61/12 , H01L51/42
CPC分类号: H01L51/0036 , C08G61/02 , C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G61/128 , C08G75/06 , C08G2261/12 , C08G2261/124 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3243 , C08G2261/51 , C08G2261/5222 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08G2261/94 , C08G2261/95 , C08K5/01 , C09D11/52 , C09D165/00 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/0558 , H01L51/42 , H01L51/50 , H01L2251/30 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C08L65/00
摘要: 本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物,包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。
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公开(公告)号:CN104203941A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201380018601.9
申请日:2013-05-13
申请人: 株式会社LG化学
IPC分类号: C07D403/10 , C07D407/14 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号: H01L51/0067 , C07D213/06 , C07D239/26 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D401/14 , C07D403/10 , C07D405/14 , C07D409/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , C09K2211/188 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0077 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0566 , H01L51/42 , H01L51/4253 , H01L51/5012 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/506 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5221 , H05B33/10 , Y02E10/549
摘要: 本发明提供一种新型化合物,其能够显著延长有机杂环元件的使用期限,并显著改善其功效、电化学稳定性和热稳定性;以及提供一种有机杂环元件,其有机化合物层包含该化合物。
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公开(公告)号:CN102159618B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN200980136290.X
申请日:2009-08-20
申请人: 默克专利股份有限公司
CPC分类号: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/3246 , C08G2261/3247 , C08G2261/411 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , H01L51/50 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及包含苯并双(噻咯并噻吩)单元或其衍生物的共轭聚合物、它们的制备方法、其中使用的新的单体单元、该聚合物在有机电子(OE)器件中的应用、和包含该聚合物的OE器件。
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公开(公告)号:CN103972392A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201310040862.2
申请日:2013-02-01
申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC分类号: H01L51/0008 , H01L51/0512
摘要: 本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法,包括在衬底上制作有源层的工序,所述的有源层是通过气体喷印工艺将金属氧化物喷印到接收层上形成的;其中,所述气体喷印工艺的步骤包括:S1、对有机半导体化合物进行加热使之升华成气雾;S2、将所述气雾喷射到接收层上。本发明通过气体喷印工艺实现了低成本、纳米尺度高效有机薄膜场效应晶体管的制作,具有操作简单,定位准确,应用范围广的优点;无需将固体溶解配成溶液,既可以克服喷墨打印、电纺丝等纳米制造技术中溶液配置带来的困扰,同时又能克服传统PVD、CVD和真空蒸镀过程中存在的难分离,无法准确定位的缺点。
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公开(公告)号:CN103907215A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201280053510.4
申请日:2012-10-29
申请人: 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号: H01L51/0558 , B82Y10/00 , H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/0026 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0047 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0512 , H01L51/0562 , H01L51/105 , H01L51/5056 , H01L51/5088
摘要: 有机薄膜晶体管,其包含源极和漏极,所述源极和漏极在它们之间限定出沟道;在源极和漏极每一个的至少部分表面上的表面改性层;延伸跨越该沟道并与该表面改性层接触的有机半导体层;栅极;以及介于该有机半导体层和该栅极电介质之间的栅极电介质。该表面改性层基本上由部分氟化富勒烯组成。
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公开(公告)号:CN103875064A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201280049317.3
申请日:2012-10-04
申请人: 索尼公司
发明人: 安田亮一
IPC分类号: H01L21/336 , G09F9/30 , G09F9/37 , H01L29/786
CPC分类号: H01L51/0541 , G02F1/13454 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0097 , H01L51/0512
摘要: 本发明提供了一种驱动电路板和制造这种驱动电路板的方法以及显示装置和电子装置,这种驱动电路板需要的制造步骤少,材料利用率提高。该显示装置设置有:源电极-漏电极对;形成沟道区域并且被设置为与源电极/漏电极接触的有机半导体层;绝缘层,具有穿透至源电极/漏电极的通孔,并且由设置在有机半导体层和源电极-漏电极上的一个或多个层形成;设置在与沟道区域对应的位置的栅电极;以及像素电极,设置在绝缘层上,通过通孔与源电极-漏电极电连接,由与栅电极相同的材料制成并且与栅电极具有相同的膜厚度。
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公开(公告)号:CN102318069B
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN200980156586.8
申请日:2009-12-14
申请人: 波利IC有限及两合公司
CPC分类号: H01L27/3265 , H01L51/0512 , H01L51/102
摘要: 本发明涉及一种有机电子电路(1,2,3),其具有主衬底(80,80a,80b)和多层膜体形式的有机电子部件(10,11,12),多层膜体具有导电功能层和半导电功能层(101,103,105)。在电路(1,2,3)的第一区域(90)中,电子组件(10,11,12)的导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为电极层的形式。在第一电容器电极板(201)形式的该导电功能层中,形成用于有机场效应晶体管或二极管的电极。在电路(1,2,3)的第二区域(91)中,有机电子组件(10,11,12)的导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为电极层的形式。在被形成为第二电容器电极板(211)的形式的该导电功能层中,形成用于有机场效应晶体管或二极管的电极。主衬底(80,80a,80b)具有被形成为第三电容器极板(50)的形式的导电层。第三电容器极板(50)、电子组件(10,11,12)和主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起,以便第三电容器极板(50)至少部分地分别覆盖第一电容器极板(201)和第二电容器极板(211),从而形成电容器。
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