有机薄膜场效应晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN103972392A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201310040862.2

    申请日:2013-02-01

    发明人: 潘革波 肖燕

    IPC分类号: H01L51/40 H01L51/00

    CPC分类号: H01L51/0008 H01L51/0512

    摘要: 本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法,包括在衬底上制作有源层的工序,所述的有源层是通过气体喷印工艺将金属氧化物喷印到接收层上形成的;其中,所述气体喷印工艺的步骤包括:S1、对有机半导体化合物进行加热使之升华成气雾;S2、将所述气雾喷射到接收层上。本发明通过气体喷印工艺实现了低成本、纳米尺度高效有机薄膜场效应晶体管的制作,具有操作简单,定位准确,应用范围广的优点;无需将固体溶解配成溶液,既可以克服喷墨打印、电纺丝等纳米制造技术中溶液配置带来的困扰,同时又能克服传统PVD、CVD和真空蒸镀过程中存在的难分离,无法准确定位的缺点。

    驱动电路板及其制造方法、显示装置和电子装置

    公开(公告)号:CN103875064A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201280049317.3

    申请日:2012-10-04

    申请人: 索尼公司

    发明人: 安田亮一

    摘要: 本发明提供了一种驱动电路板和制造这种驱动电路板的方法以及显示装置和电子装置,这种驱动电路板需要的制造步骤少,材料利用率提高。该显示装置设置有:源电极-漏电极对;形成沟道区域并且被设置为与源电极/漏电极接触的有机半导体层;绝缘层,具有穿透至源电极/漏电极的通孔,并且由设置在有机半导体层和源电极-漏电极上的一个或多个层形成;设置在与沟道区域对应的位置的栅电极;以及像素电极,设置在绝缘层上,通过通孔与源电极-漏电极电连接,由与栅电极相同的材料制成并且与栅电极具有相同的膜厚度。

    有机电子电路
    70.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102318069B

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN200980156586.8

    申请日:2009-12-14

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/52 H01L51/05

    摘要: 本发明涉及一种有机电子电路(1,2,3),其具有主衬底(80,80a,80b)和多层膜体形式的有机电子部件(10,11,12),多层膜体具有导电功能层和半导电功能层(101,103,105)。在电路(1,2,3)的第一区域(90)中,电子组件(10,11,12)的导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为电极层的形式。在第一电容器电极板(201)形式的该导电功能层中,形成用于有机场效应晶体管或二极管的电极。在电路(1,2,3)的第二区域(91)中,有机电子组件(10,11,12)的导电功能层(101,105)中的一个导电功能层被形成为电极层的形式。在被形成为第二电容器电极板(211)的形式的该导电功能层中,形成用于有机场效应晶体管或二极管的电极。主衬底(80,80a,80b)具有被形成为第三电容器极板(50)的形式的导电层。第三电容器极板(50)、电子组件(10,11,12)和主衬底(80,80a,80b)被层叠在一起,以便第三电容器极板(50)至少部分地分别覆盖第一电容器极板(201)和第二电容器极板(211),从而形成电容器。