公开(公告)号：CN108018557B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201711049601.1

申请日：2017-10-31

申请人： 易案爱富科技有限公司

发明人： 朴相承 ,  金益儁 ,  金世训

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26

摘要： 本发明提供蚀刻组合物以及利用其的蚀刻方法，本发明的蚀刻组合物包含过氧化氢、助氧化剂、防腐蚀剂和双氧水稳定剂，上述助氧化剂为选自银、铁、铜、镍、锰和铈中的一种以上的离子或者包含这些离子的有机或无机化合物，上述双氧水稳定剂为脂肪族环酮化合物、内酯化合物或它们的混合物。

公开(公告)号：CN112663064A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011490580.9

申请日：2020-12-16

申请人： 江苏艾森半导体材料股份有限公司

发明人： 刘伟 ,  杜冰 ,  刘文永 ,  张茂 ,  邱柱 ,  方磊 ,  赵建龙 ,  张兵 ,  向文胜 ,  朱坤 ,  陆兰

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/3213

摘要： 本发明提供了一种铜钼金属蚀刻液及其制备方法和应用，所述铜钼金属蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢8‑20份、氟化物0.01‑1份、金属缓蚀剂0.01‑1份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、金属络合剂0.1‑10份、胺类化合物1‑10份和pH调节剂0.1‑10份。本发明提供的铜钼金属蚀刻液对IGZO底材无伤，蚀刻角度适合工艺要求，无钼拖尾和钼残留。

公开(公告)号：CN112522705A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011237543.7

申请日：2020-11-09

申请人： TCL华星光电技术有限公司

发明人： 张月红 ,  何毅烽

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26

摘要： 本发明公开了一种用于铜钼膜层的蚀刻剂与铜钼膜层的蚀刻方法，所述蚀刻剂包括蚀刻主剂，所述蚀刻主剂包括过氧化氢、螯合剂、第一无机酸以及水，所述螯合剂在所述蚀刻主剂中的质量百分含量为2％‑10％，所述第一无机酸在所述蚀刻主剂中的质量百分含量为1％‑10％，所述过氧化氢在所述蚀刻主剂中的质量百分含量为4％‑10％，通过调整螯合剂与无机酸的比例，可获得较小的蚀刻锥形角，以满足显示面板更高对比度的需求，同时，不会出现易导致显示面板不良的膜层底切或钼残等现象。

公开(公告)号：CN109594079B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201710913895.1

申请日：2017-09-30

申请人： 深圳新宙邦科技股份有限公司

发明人： 鄢艳华 ,  康威

IPC分类号： C23F1/20 ,  C23F1/26

摘要： 为克服现有LTPS技术中对M3层和LS层蚀刻效率低、成本高的问题，本发明提供了一种钼铝共用蚀刻液，包括磷酸、硝酸、醋酸、添加剂和水；以所述蚀刻液的总重量为基准，所述磷酸的含量为55‑65wt％、硝酸的含量为3‑5wt％、醋酸的含量为12‑18wt％、添加剂的含量为2.5‑4.0wt％，余量为水；所述添加剂包括金属盐、无机铵盐和助剂；所述蚀刻液中，无机铵盐的含量为0.1‑0.3wt％；所述助剂选自4‑羟基苯磺酸、二乙基三胺五乙酸、植酸中的一种或多种。同时，本发明还提供了采用该蚀刻液进行蚀刻的方法。本发明提供的钼铝共用蚀刻液可同时用于对M3层和LS层进行蚀刻，简化了工艺，提高了效率，降低了成本。

公开(公告)号：CN112251751A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202010964832.0

申请日：2020-09-14

申请人： 西安交通大学

发明人： 憨勇 ,  王宏

IPC分类号： C23C26/00 ,  C23F1/26 ,  A61L27/06 ,  A61L27/30 ,  A61L27/56 ,  B82Y5/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种3D构型高结合强度钛酸钠纳米纤维涂层的制备方法，采用纯钛片作为基体材料，将其表面打磨光滑后，清洗、烘干待用；配制刻蚀液，将抛光的钛片置入刻蚀液中刻蚀，然后清洗、烘干待用；将得到的纯钛样品浸泡在浓度为0.5mol·L‑1～1.0mol·L‑1的NaOH溶液中，在220℃～230℃的条件下水热处理2～17小时，即在钛表面得到高结合强度钛酸钠纳米纤维涂层。本发明通过简单易行的水热法实现了钛种植体表面不同几何构型的三维纳米纤维涂层的构建，浸入溶液中的各个表面，其涂层的构建是均匀一致的，无死角和遮蔽部位，并且可以通过液气共同作用得到一种可用于制作贯穿皮质骨和松质骨专用骨钉的梯度3D涂层。

公开(公告)号：CN112159964A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202010883337.7

申请日：2020-08-28

申请人： 江苏大学

发明人： 刘相 ,  刘军林 ,  刘桂武 ,  乔冠军

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  C23F1/44 ,  C23F1/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明涉及纳米薄膜材料的制备方法，特指一种纳米多孔NiCr合金薄膜及其制备方法。本发明首先利用磁控溅射技术在氧化铝衬底上沉积NiCr‑Ti前驱体薄膜，接着利用氢氟酸溶液进行刻蚀，目的为了去掉前驱体薄膜中的部分钛组元，最终形成以主要以镍铬合金为骨架的多孔薄膜材料。此种方法制备的纳米多孔镍铬合金薄膜多孔结构完整、连续，形状均匀、尺寸可控，且溅射面积大，厚度轻薄，所述薄膜孔径在80‑120nm，厚度在300‑1000nm。该薄膜对宽光谱具备高的吸收，在宽光谱吸收和发射涂层方面具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112048744A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010958782.5

申请日：2020-09-12

申请人： 陕西泰安诺新材料科技有限公司

发明人： 蔡继东 ,  邓涛 ,  许雷鹏

IPC分类号： C25D5/38 ,  C25D3/50 ,  C23F1/26

摘要： 本申请涉及钛基材表面处理领域，具体公开了一种提高钛基材表面镀铂均匀性的工艺，该工艺包括以下步骤：（一）钛基材表面预处理；（二）涂覆改性液；（三）烧结处理；（四）电镀处理；所述金属氯化物的重量份数如下：三氯化钌10‑30份；氯化铱1‑10份；氯化钯5‑15份；五氯化钽5‑30份；四氯化钛20‑50份。本申请在钛基材的表面形成烧结层，然后在具有烧结层的钛基材表面电镀铂，烧结层可以提高钛基材的导电性，从而提高钛基材表面镀铂的均匀性。

公开(公告)号：CN110230059B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910585008.1

申请日：2019-07-01

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 梅园 ,  吴豪旭

IPC分类号： C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/46

摘要： 一种显示面板的金属图案制作方法被提供,包括:在一铜/钼金属层的蚀刻过程中,当所述金属层的金属离子在蚀刻液中到达一对应含量时,在所述蚀刻液中额外连续或间歇地添加蚀刻功能剂或蚀刻维持剂,直至所述蚀刻功能剂或蚀刻维持剂占所述蚀刻液和所加入蚀刻功能剂或蚀刻维持剂总量的2‑5wt％时为止。

公开(公告)号：CN111963064A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010874743.7

申请日：2020-08-27

申请人： 重庆北思卡新材料有限公司

发明人： 陈本富 ,  罗明 ,  朱伟

IPC分类号： E21B10/46 ,  C22C26/00 ,  C23F1/44 ,  C23F1/30 ,  C23F1/26 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  B32B3/26 ,  B32B33/00

摘要： 本发明公开了一种脱钴金刚石钻齿及其超深脱钴工艺，包括硬质合金基体，所述硬质合金基体的上部为聚晶金刚石层，所述聚晶金刚石层包括聚晶脱钴层与金属未脱钴层，所述聚晶金刚石层的表面等距开设有反应孔，通过对聚晶金刚石层进行脱钴处理，脱钴处理后使其热稳定性有较大幅度提高，耐磨性也得到提高。目前市场使用的产品脱钴深度在900um以下，本专利工艺将达到1100um-1500um，可提高产品的工作效率以及钻齿的使用寿命20-50％，最大限度地防止产品因金属与金刚石热膨胀系数差异过大导致的早期失效。

公开(公告)号：CN111876781A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010574570.7

申请日：2020-06-22

申请人： 成都虹波实业股份有限公司

发明人： 王康 ,  赵振刚 ,  任柴

IPC分类号： C23F1/26

摘要： 本申请提供了一种厚钼板的蚀刻液及其制备方法，涉及钼板蚀刻技术领域，以体积计量，含有10％～15％的H2SO4、20％～35％的HNO3和5％～10％的含醚键有机添加剂，余量为H2O；在蚀刻厚钼板时，能够保证蚀刻底纹均匀、侧蚀小；能够保证钼蚀刻制品有较好的尺寸精度和尺寸均匀性；并且能够适用于实际生产中进行批量化生产。