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公开(公告)号:CN117590708A
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202311552838.7
申请日:2023-11-21
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
摘要: 本发明提供了一种干膜去除液及其制备方法和应用,所述干膜去除液以重量份数计包括有机溶剂35‑60份、磺酸类基料15‑25份、有机碱5‑15份和缓蚀剂0.1‑3份。本发明提供的干膜去除液能够以溶解形式而非裂解形式有效去除干膜,没有干膜碎屑污染,同时对镍基底腐蚀速率低,具有优秀的技术效果。
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公开(公告)号:CN112981405A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110203281.0
申请日:2021-02-23
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司
IPC分类号: C23F1/26 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要: 本发明提供了一种钛钨蚀刻液及其制备方法和应用,所述钛钨蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢15‑30份、金属络合剂0.1‑20份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、pH调节剂0.1‑20份和水。本发明提供的钛钨蚀刻液蚀刻效果好,对底材无腐蚀,稳定性好,使用寿命长。
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公开(公告)号:CN112540515A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011486530.3
申请日:2020-12-16
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司
IPC分类号: G03F7/32
摘要: 本发明提供了一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用,所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5‑10份、有机溶剂65‑85份、有机醇胺1‑20份、有机醇0.1‑5份、金属保护剂0.01‑5份和阻蚀剂0.1‑5份。本发明提供的光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强,在较低温度都能保持去胶性能,而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀,延长了工作时间,水溶性好,容易清洗。
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公开(公告)号:CN118605093A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410848708.6
申请日:2024-06-27
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
IPC分类号: G03F7/32
摘要: 本发明公开了显影液、制备方法及应用,其中显影液原料组成包括,wt%:0.5%四甲基氢氧化铵;1%‑10%缓蚀剂;1%‑10%稳定剂;余量为水。本发明的显影液中四甲基氢氧化铵的含量仅为0.5%,对铝的腐蚀速率<50A/min,且显影液的使用寿命期限至少可达七天。
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公开(公告)号:CN112663064A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202011490580.9
申请日:2020-12-16
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司
IPC分类号: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/3213
摘要: 本发明提供了一种铜钼金属蚀刻液及其制备方法和应用,所述铜钼金属蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢8‑20份、氟化物0.01‑1份、金属缓蚀剂0.01‑1份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、金属络合剂0.1‑10份、胺类化合物1‑10份和pH调节剂0.1‑10份。本发明提供的铜钼金属蚀刻液对IGZO底材无伤,蚀刻角度适合工艺要求,无钼拖尾和钼残留。
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公开(公告)号:CN117904633A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202410087904.6
申请日:2024-01-22
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司 , 艾森半导体材料(南通)有限公司
IPC分类号: C23F1/20
摘要: 本发明公开了不伤铜的铝蚀刻液,其原料的投料组成包括,wt%:50%‑65%磷酸;5%‑10%醋酸;1%‑6%间硝基苯磺酸钠;1%‑10%缓蚀剂;1%‑5%表面活性剂;余量为水。本发明方案组成简单,通过优化蚀刻液的组成,消除传统配方中的强氧化性和强酸性的组成,从而有效地改善了刻蚀液的刻蚀选择性,并且具有更高的使用安全性和刻蚀过程可控性。
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公开(公告)号:CN112981405B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202110203281.0
申请日:2021-02-23
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司
IPC分类号: C23F1/26 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要: 本发明提供了一种钛钨蚀刻液及其制备方法和应用,所述钛钨蚀刻液以重量份数计包括过氧化氢15‑30份、金属络合剂0.1‑20份、过氧化氢稳定剂0.1‑10份、pH调节剂0.1‑20份和水。本发明提供的钛钨蚀刻液蚀刻效果好,对底材无腐蚀,稳定性好,使用寿命长。
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公开(公告)号:CN112928020A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202110184230.8
申请日:2021-02-08
申请人: 江苏艾森半导体材料股份有限公司
IPC分类号: H01L21/3213 , H01L23/488 , H05K1/09 , H05K3/06
摘要: 本发明提供了一种金镍膜层的蚀刻方法及其应用,所述蚀刻方法包括以下步骤:使用第一蚀刻液、第二蚀刻液混合溶液对金镍膜层进行蚀刻;或者使用第一蚀刻液对金膜层进行蚀刻,之后使用第二蚀刻液对镍膜层进行蚀刻。本发明提供的蚀刻方法蚀刻速度易控制、操作便捷、安全、环保、成本低、使用寿命长,对底材无伤。
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