读出电路模块制备方法及种子层去除方法、凸点制备方法

    公开(公告)号:CN113502521B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202110571739.8

    申请日:2021-05-25

    摘要: 本发明提供了一种读出电路模块种子层去除方法,包括如下步骤:在读出电路晶元表面涂覆聚酰亚胺,光刻聚酰亚胺,形成多个依次间隔的深坑;在聚酰亚胺和深坑表面生长种子层;在聚酰亚胺上表面的种子层上覆盖光刻胶;在深坑内的种子层上电镀凸点,使凸点填充满深坑;去除光刻胶,研磨去掉聚酰亚胺上表面的种子层。还提供一种读出电路模块凸点制备方法,包括上述的读出电路模块种子层去除方法。一种读出电路模块的制备方法,包括上述的读出电路模块凸点制备方法得到读出电路模块凸点。本发明避免了传统刻蚀工艺速率差异的问题、读出电路损伤问题的同时,还可通过控制研磨厚度确保种子层金属完全去除。

    电镀装置以及半导体处理设备
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117187925A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311236835.2

    申请日:2023-09-25

    IPC分类号: C25D17/00 C25D7/12 C25F5/00

    摘要: 本公开内容涉及电镀装置和半导体处理设备,其中,所述电镀装置包括:包括电镀槽和解镀槽的槽体,电镀槽被构造用于容纳与第一电极组件电连接的电镀液并且解镀槽被构造用于容纳与第二电极组件电连接的解镀液;至少两个滚轮,其中的至少一个传输滚轮被设置在电镀槽中并且其中的至少一个导电滚轮被设置在所述解镀槽中,至少一个传输滚轮的至少一部分与电镀液电连接并且所述至少一个导电滚轮的至少一部分与所述解镀液电连接,至少两个滚轮被构造用于为待电镀对象提供传输动力;第三电极组件,所述第三电极组件与所述导电滚轮电连接,其中,所述第三电极组件的电势比所述第一电极组件的电势低并且所述第三电极组件的电势比所述第二电极组件的电势高。

    CoSn3-Sn3Ag复合电镀液及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117187897A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311073488.6

    申请日:2023-08-24

    IPC分类号: C25D3/56 C25D7/12 C25D15/00

    摘要: 本发明提供了一种CoSn3‑Sn3Ag复合电镀液及其制备方法和应用,该复合电镀液的组分为CoSn3纳米晶、Sn(CH3SO3)2、Ag盐、助剂和溶剂,其中所述CoSn3纳米晶的浓度为1‑12g/L,Sn(CH3SO3)2的浓度为20‑30g/L,所述Sn(CH3SO3)2与Ag盐的摩尔比为(25‑35):1;所述助剂包括分散剂、表面活性剂、配位剂、晶粒细化剂、整流剂、pH调节剂。采用本发明的技术方案,电镀液中添加CoSn3纳米晶,有效提高锡帽的润湿性,并降低表面张力而增强沸腾,提高凸点Sn帽焊接质量,提高了Sn帽在服役过程中的可靠性,并提高了锡银共晶接头的整体机械性能。

    板以及镀敷装置
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117166027A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310981105.9

    申请日:2020-11-16

    摘要: 本发明涉及板以及镀敷装置。提高板的各部的气孔率的精度和/或者气孔率的调整的自由度。一种板,在镀敷槽中配置于基板与阳极之间,上述板具备:形成有多个孔的孔形成区域,上述孔形成区域具有:中心部和处于中心部外侧的中间部、处于中间部外侧的外周部,上述孔形成区域的中心部和外周部具有多个长孔,上述孔形成区域的上述中间部具有多个圆形的孔。

    镀敷装置和镀敷方法
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117157434A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202280005573.6

    申请日:2022-03-31

    发明人: 高桥直人

    摘要: 镀敷装置具备:镀敷槽,其用于保持镀敷液;阳极,其配置于上述镀敷槽内,并具有多个贯通孔;基板保持架,其以与上述阳极相向的方式保持基板;隔膜,其紧贴上述阳极的靠上述基板侧的第1面而配置;以及背面板,其是同上述阳极的与上述第1面相反一侧的第2面相向并以规定间隔相对于上述第2面分离而配置的背面板,且对从上述阳极产生并积蓄在上述第2面上的气泡的量进行调节。

    分体式电镀装置
    66.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116837446B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311119798.7

    申请日:2023-09-01

    IPC分类号: C25D17/08 C25D7/12 C25D21/10

    摘要: 本发明公开了一种分体式电镀装置,包括:阳极电镀舟,阳极电镀舟包括多个第一阳极舟叶和多个第二阳极舟叶,第一阳极舟叶、第二阳极舟叶间隔设置且相互平行;阴极电镀舟,阴极电镀舟包括相互平行设置的多个阴极舟叶,阴极舟叶上安装有电池片;电镀时,阴极电镀舟与阳极电镀舟插装配合。阳极电镀舟、阴极电镀舟分体式的设计,在电镀操作时,阳极电镀舟始终位于电镀槽内,机械手只需要将阴极电镀舟抓起插入阳极电镀舟内即可,可以降低机械手的负载。将第一阳极舟叶、第二阳极舟叶间隔设置,阴极舟叶插入第一阳极舟叶、第二阳极舟叶之间,使得一个阳极舟叶能够被两片电池片所共用,可以提高阳极舟叶的利用率,有利于节约成本、降低能耗。

    一种用于水平电镀设备上的接触式上电极导电装置

    公开(公告)号:CN117107332A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311167367.8

    申请日:2018-07-18

    IPC分类号: C25D17/00 C25D7/12

    摘要: 本发明公开了一种用于水平电镀设备上的接触式上电极导电装置,包括待电镀半导体器件,待电镀半导体器件上表面设置有与其进行多点或整面接触的导电接触部件,导电接触部件上设置有用于对其进行导电和支撑作用的导电支撑装置,导电支撑装置与外置偏压电源或者电镀阳极导通。本发明的一种用于水平电镀设备上的接触式上电极导电装置,保证量产化效率的同时解决以往电镀方法应用在高效异质结电池(HJT)或其他使用了表面钝化技术的单面电池或者双面电池上进行金属沉积时的不均匀性,同时降低电镀过程中的表面损伤或器件损坏率。

    一种水平电化学沉积金属的方法及其装置

    公开(公告)号:CN117107314A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311167437.X

    申请日:2018-06-22

    IPC分类号: C25D7/12 C25D17/00 C25D17/12

    摘要: 本发明公开了一种水平电化学沉积金属的方法,将半导体器件进行水平移动,同时采用整面接触式或多点接触式使上电极与半导体器件上表面进行接触,半导体器件下方待电化学沉积金属表面与电解质溶液接触,电解质溶液中的金属离子获得电子并沉积在其表面,上电极与电解质溶液接触的半导体器件下表面之间的电位差通过光诱导,外加电压或两者结合实现。本发明还公开了一种水平电化学沉积金属的装置。本发明的一种水平电化学沉积金属的方法及其装置,能够在电池的透明导电膜表面或者钝化膜表面上实行可靠的、可量产化的金属化制程。

    一种晶圆切割刀片自动化的沉积设备

    公开(公告)号:CN117089909A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311069505.9

    申请日:2023-08-24

    发明人: 朱恺华

    摘要: 本发明公开了一种晶圆切割刀片自动化的沉积设备,应用于晶圆正向脉冲沉积和反向脉冲沉积的交替进行,其结构包括:加热装置,升降装置,升降装置上设有可上下活动的连接板,连接板上设有可转动的驱动杆,驱动杆的底部安装有晶圆的沉积工装,电镀添加剂的自动补充装置,沉积环境监测系统,驱动杆的顶部设有计数盘,计数盘上设有计数缺口,连接板上设有计数槽,计数盘悬空设置在计数槽的内部,计数槽内部的顶部设有计量传感器,驱动电机设有旋转控制器,计量传感器和旋转控制器电连接,本发明实现了晶圆正向脉冲沉积以及反向脉冲沉积的自动交替。