扩散用高温炉
    61.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105887205A

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201610480202.X

    申请日:2016-06-27

    发明人: 吕耀安

    摘要: 本发明公开了一种扩散用高温炉,包括底座和石英管炉腔;石英管炉腔安装于底座之上;石英管炉腔为竖直柱状,其顶部设置有两个开口;石英管炉腔内设置有热电偶测量装置,热电偶测量传输线路通过第一开口传输至位于石英管炉腔外部的温度控制器;还包括多个加热器和多组热阻丝;多个加热器均与温度控制器相连接;每个加热器上对应连接有一组热阻丝;每组热阻丝螺旋状缠绕在石英管炉腔之外;相邻的热阻丝间隔距离相等;工艺气体通过气流控制器,进而通过第二开口输入石英管炉腔;底座上设置有气体出口;气体出口处安装有压力控制器。本发明在石英管炉腔外间隔均匀的设置有多组热阻丝,所以可以达到对石英管炉腔进行均匀加热的效果。

    硼扩散炉管尾气处理方法及处理设备

    公开(公告)号:CN103194801B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310122351.5

    申请日:2013-04-09

    IPC分类号: C30B31/16

    摘要: 本发明公开了一种硼扩散炉管尾气处理方法及处理设备。硼扩散炉管尾气处理方法包括将炉管(10)中的硼尾气排入尾气管(20);向尾气管(20)中通入携水气体,使得尾气管(20)中的硼尾气溶解于携水气体中并与携水气体一起排出所述尾气管(20)。根据本发明的硼扩散炉管尾气处理方法及处理设备,可以提高硼扩散炉管尾气的处理速度,减少单位时间内对硼扩散炉管尾气处理部分的维护清洗次数,降低企业生产成本。

    弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管

    公开(公告)号:CN102945796B

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201210506800.1

    申请日:2012-11-29

    发明人: 王正鸣 刘东

    IPC分类号: H01L21/223 C30B31/16

    摘要: 本发明涉及一种对半导体芯片实施高质量开管掺杂的弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管,包括管身和管口盖,管身包括外套、内衬和舟撑。本发明高温掺杂工艺过程中由舟撑支撑载片舟而无需舟铲存在于恒温区,管口盖保热性提高、管口管尾分别经流量控制计等流量排气使管内温度气压均匀,杂质源从内衬管壁上分布的弥漫孔弥漫而出、无阻挡进入恒温区使所有待掺杂芯片的整个表面同条件地接触到杂质源。使用本发明对大直径半导体芯片进行气体携带液态源掺杂,达到高的均匀性、重复性以保证大直径分立器件的电特性及特殊应用要求,同时显著提高生产成品率。

    用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法

    公开(公告)号:CN103603051A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310538055.3

    申请日:2013-11-04

    申请人: 叶瑾琳 廖世蓉

    发明人: 叶瑾琳 廖世蓉

    IPC分类号: C30B31/16 H01L21/67

    摘要: 本发明涉及用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法。通过扩散控制装置,使扩散源由点变成了和半导体样品平行的面,相当于使扩散源到样品每个区的距离一样,并可控制浓度高低和扩散深度,以在半导体制造过程中控制扩散通量;使扩散浓度和深度的均匀性大大提高,源材料在半导体样品里浓度均匀分布,从而大大提高样品的整体均匀性和成品率。由于扩散控制装置及其扩散路径离扩散源(源材料)很近,源材料一经挥发,扩散控制装置先起阻挡作用,使得扩散控制装置的下表面迅速被源材料均匀充满,再经过扩散路径重新分配,均匀到达样品各个区域。

    一种优化太阳能电池片管式扩散炉气流分布的方法

    公开(公告)号:CN103436967A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310348787.6

    申请日:2013-08-12

    IPC分类号: C30B31/16 C30B31/10

    摘要: 本发明公开了一种优化太阳能电池片管式扩散炉气流分布的方法,涉及单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的扩散工艺技术领域。所述方法通过在扩散炉内增加石英挡板,打乱了原有气流的分布,使工艺气体更加均匀的分布在炉管的各个温区,保证了太阳能电池片良好PN结的形成,使得太阳能电池转换效率更高。通过所述方法改造后的管式扩散炉,改造简单,成本低,不易损耗,使用寿命长。而且,使用所述方法降低了易损耗的工艺气体使用量,从而降低了生产成本。

    一种连续式扩散炉及其通气方法

    公开(公告)号:CN103225111A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201310163068.7

    申请日:2013-05-06

    IPC分类号: C30B31/10 C30B31/16

    摘要: 本发明提供一种连续式扩散炉,包括:两端开口的炉体;一端开口、另一端封闭的第一进气管,第一进气管固定设置在炉体的腔内壁,第一进气管的管壁上均匀开设有若干小孔,小孔远离炉体的腔内壁;一端开口、另一端封闭的第二进气管,第二进气管固定设置在炉体的腔内壁,第二进气管的管壁上均匀开设有若干小孔,小孔远离炉体的腔内壁;排气管,固定设置在炉体腔内壁,排气管两端均开口,并向排气管两端提供有负压,排气管的管壁上开设有若干小孔,小孔远离炉体的腔内壁。本发明提供的连续式扩散炉的通气方法,实现了同一批次的硅片周围反应气体密度一致,硅片结成的PN结较为均匀,同时使用两个通气管通气,避免了通气管孔堵塞。

    磷扩散炉的三氯氧磷排除装置改进结构

    公开(公告)号:CN103103616A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201310018302.7

    申请日:2013-01-17

    申请人: 陈功

    发明人: 陈功

    IPC分类号: C30B31/16 H01L21/223

    摘要: 本发明公开了一种磷扩散炉的三氯氧磷排除装置改进结构,包括缓冲箱与抽风管,缓冲箱体后侧壁上设有炉管开口,缓冲箱体前侧敞口并设有密封门,密封门上设有导流结构,缓冲箱体右侧壁上设有抽风管开口;该抽风管为U形管,抽风管一端设置进风口,抽风管另一端设有出风口,出风口连接抽风机;磷扩散炉的炉管通过炉管开口伸入缓冲箱,抽风管进风口通过抽风管开口与缓冲箱连通,炉管口部上设有炉帽,炉帽包括底部封闭的圆筒形石英材质帽体,帽体底部设有一向外凸出的开口延嘴,帽体底部内壁焊接有一石英卡环。本发明利用自然空气和雾状稀释氨水迅速冷却扩散炉管中排除的尾气,防止熔化抽风管的特氟龙涂层,同时使三氯氧磷在抽风管内迅速液化。

    太阳能电池生产中扩散炉的自动补液装置

    公开(公告)号:CN102134753B

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201010586222.8

    申请日:2010-12-14

    IPC分类号: C30B31/16 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明属于太阳能光伏发电领域,特别是一种太阳能电池生产中扩散炉的三氯氧磷自动补液装置,包括三氯氧磷储液罐、源瓶,其特征在于三氯氧磷储液罐与源瓶之间由带有截止阀的管道连通,管道的下端伸入源瓶内,管道的底端出液孔距源瓶底部之间的距离基本上等于源瓶内设定的液面高度。本发明避免了每次须从恒温槽内取出源瓶观察液面的麻烦,操作便利,而且不会使源瓶温度产生波动,实现无能源驱动自动连续供液,液面控制精确度高,提高产品质量和工艺的稳定性,提高生产效率,降低生产成本。

    多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法

    公开(公告)号:CN102569523A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210028482.2

    申请日:2012-02-09

    IPC分类号: H01L31/18 C30B31/06 C30B31/16

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及一种多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法,包括以下步骤:1、入炉;2、氧化;3、第一次磷源扩散;4、第一次杂质分布;5、第二次磷源扩散;6、第二次杂质分布;7、吸杂;8、出炉。该多晶硅太阳能光伏电池硅片的扩散方法具有优良的磷杂质掺杂浓度分布,扩散速率可控性较强,提高硅片扩散的一次成品率,提高多晶硅片少子寿命,扩散过程中磷源利用率较高的优点。

    一种改善明暗片的新型扩散石英舟器材

    公开(公告)号:CN118782510A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411267736.5

    申请日:2024-09-11

    摘要: 本发明涉及明暗片制造领域的一种改善明暗片的新型扩散石英舟器材,在绝缘硅片分散工作的过程中,可调节挡板会持续受到进气口吹进的气体的冲蚀,一旦可调节挡板发生过量冲蚀后,风压传感器检测到的风速也会发生随之发生变化,此时锤击装置会在控制终端的控制下,将受到过量侵蚀的可调节挡板上部去除,剩下的可调节挡板在压缩弹簧的作用下重新上顶,并重新起到保护作用,为避免扩散过程中气体对边缘位置绝缘硅片直接接触冲击,再匹配石英舟在石英管内位置及扩散工艺流量优化,提高扩散均匀性,特别是靠近进气口位置绝缘硅片的扩散均匀性,以达到改善电池片EL明暗不良,提高电池片效率良率的目的。