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公开(公告)号：CN102544045A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210022638.6
申请日：2012-02-01
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法，该制备方法提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第二半导体衬底上表面定义第I区域和第II区域，并在第I区域开窗口，对准键合第一半导体衬底的上表面及第二半导体衬底的上表面，而后减薄第二半导体衬底形成薄膜层和厚膜层，分别在薄膜层和厚膜层完成像素读出电路和光学传感器件的制备，并形成相邻器件间的隔离结构以完成带有绝缘埋层的图像传感器的制备，使其具有良好的半导体质量和表面质量、较高的光吸收效率、及高速、低功耗、抗闩锁的优良性能。
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公开(公告)号：CN102523391A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110457596.4
申请日：2011-12-31
申请人： 上海中科高等研究院
摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器，包括光电二极管、双模读出电路、全局快门以及积分电路。本发明通过一个逻辑控制简单的电路提高CMOS图像传感器的动态范围以及拍摄帧率。在环境光线比较强的情况下，使用PPS模式进行读取，不经放大将电荷直接读取出来。而在环境光线比较弱的情况下，使用C-APS模式进行读取，通过不同的偏置实现可变增益读取。从而大大提高了CMOS图像传感器的动态范围。全局快门可以使得所有像素（pixel）同时感光，从而大大提高了拍摄的帧率，也具有拍摄高速运动的物体的能力。
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公开(公告)号：CN102509127A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110289014.6
申请日：2011-09-26
申请人： 上海中科高等研究院 , 昆山睿识微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种无源射频识别安全认证系统及方法，该方法至少包括：第一安全机构通过读写器的通信口向该读写器下发密文，该读写器暂时存储该密文；需操作安全机构时，该读写器通过天线按第一协议将该密文写入一标签的约定存储区；当一MCU判断出该密文已写入完毕，则按约定的第二协议通过有线方式读取该标签约定存储区的密文；以及该MCU启动解密机制对密文进行解密，通过本发明，可达到实现低成本且安全的射频标识的目的，同时由于本发明使用的标签为无源标签，具有省电的功效。
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公开(公告)号：CN102500374A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110394867.6
申请日：2011-12-02
申请人： 上海中科高等研究院 , 山西潞安环保能源开发股份有限公司
IPC分类号： B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/89 , C07C31/04 , C07C31/02 , C07C31/125 , C07C29/156 , C07C29/157
CPC分类号： Y02P20/52
摘要： 本发明公开了一种用于合成气制备高碳醇的铜基纳米催化剂及其制法和应用，该催化剂是一种铜基多金属纳米催化剂，由铜和至少一种费托组元组成；其制备方法选自置换反应法、分步还原法、同时还原法中的任意一种；本发明的催化剂粒径小，比表面大、利用率高，而且制备过程简单，操作方便，在利用该催化剂进行合成气制备高碳醇的合成中，通过控制催化剂的组分及其比例，所得醇中乙醇以上醇的选择性可达95wt％以上，己醇以上高碳醇的选择性可达80wt％以上。
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公开(公告)号：CN102441407A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110330158.1
申请日：2011-10-26
申请人： 上海中科高等研究院 , 中科易工(厦门)化学科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于制备氯乙烯的催化剂及其制备方法和用途。所述用于制备氯乙烯的催化剂的组成为以活性炭为载体，附载钡的化合物和磷的化合物，按质量百分比，钡的化合物占催化剂总质量的0.2％～20％，磷的化合物占催化剂总质量的0％～10％。将钡的水溶性化合物、磷的水溶性化合物和水性聚合物单体，加水配制成溶液或乳液A；将活性炭加入到溶液或乳液A中浸泡；将浸泡好的活性炭捞出，甩干，再使单体聚合；将聚合好的活性炭加热，脱水，并使聚合物分解碳化；将碳化好的催化剂活化，得用于制备氯乙烯的催化剂。
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公开(公告)号：CN102355438A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110172065.0
申请日：2011-06-23
申请人： 上海中科高等研究院
摘要： 本发明提供一种直接正交上变频收发信机及其发射机本振泄露的评估方法，该评估方法包括：监测该收发信机当前工作状态；当前工作状态为无信号接收状态时，将LNA输入接地，对数字端进行直流估计以获得下变频过程中混频器后引入的直流值，当前工作状态为收/发链路环回状态时，将LNA输入输出短接，并对数字端进行直流估计以获得该发射机的发射端本振泄露引入的直流值与接收端下变频过程中混频器后引入的直流值的总和；以及利用一本振泄露评估计算模型计算获得该发射机的本振泄露估计值，本发明可以利用现有资源对本振泄露进行评估且获得较为准确的本振泄露值。
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公开(公告)号：CN102332463A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110229922.6
申请日：2011-08-11
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/265 , H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离，所述绝缘隔离层从侧面和底部环绕光学传感器件；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。
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公开(公告)号：CN102332460A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110229907.1
申请日：2011-08-11
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/762
摘要： 本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底表面具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔离；驱动电路区域中的晶体管形成于顶层半导体层中，光学传感区域中的光学传感器件形成于支撑衬底中并通过绝缘隔离层与支撑衬底电学隔离；所述驱动电路区域和光学传感区域彼此通过绝缘侧墙横向隔离。
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公开(公告)号：CN102315237A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110231127.0
申请日：2011-08-12
申请人： 上海中科高等研究院
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/378
摘要： 本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，具有高速、低功耗、抗闭锁、抗辐射的优点。感光结构包括横向排列且呈包围式结构四个掺杂区，四个掺杂区中包括一光吸收层和一个雪崩倍增区。横向包围式结构能够消除较薄的顶层半导体层对光吸收层的厚度的限制，增加光吸收层的宽度和面积，从而能够提高感光结构的光吸收效率。雪崩倍增区能大幅度提高感光结构的光电转换效率、进一步提高感光结构的光吸收效率。
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公开(公告)号：CN102297149A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110265380.8
申请日：2011-09-08
申请人： 上海中科高等研究院
摘要： 本发明公开了一种拓宽离心压缩机稳定运行区域的装置，包括多个高频响的动态压力传感器、一高频响的动态应变仪、一信号调理设备、一信号处理DSP模块以及气流喷射装置；所述动态压力传感器、动态应变仪采集压缩机运行时的动态信号，通过所述信号调理设备将信号传送至DSP模块，DSP模块对信号进行处理，并发送命令至控制器，使气流喷射装置动作。本发明能够拓宽离心压缩机的稳定运行区域即稳定性工作范围，消除或减小流动非稳定性即失速和喘振的危害。本发明还公开了一种拓宽离心压缩机稳定运行区域的方法及一种设置有拓宽离心压缩机稳定运行区域的装置的离心压缩机。
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