R-T-B-C系稀土类急冷合金磁体的制造方法

    公开(公告)号:CN1462459A

    公开(公告)日:2003-12-17

    申请号:CN02801400.6

    申请日:2002-06-24

    CPC classification number: H01F1/057 H01F1/0578 H01F1/058 H01F41/0253

    Abstract: 本发明是R-T-B-C系稀土类合金(R为选自稀土类元素和钇中的至少一种元素,T为以铁为主要成分的过渡金属,B为硼,C为碳)的制造方法。制备含有树脂成分的R-T-B系粘结磁体和表面形成有树脂包膜的R-T-B系烧结磁体,制备含有稀土类元素R和过渡金属元素T的溶剂合金,然后,将R-T-B系粘结磁体与溶剂合金一起熔解。这样,可从使用后的粘结磁体或制造过程中产生的次品中回收稀土类合金,制成急冷合金磁体。结果,可从R-T-B系磁体中回收磁体粉末,使具有树脂成分的磁体的循环利用成为可能。

    阻止在金属沉积薄膜上产生凸起的方法

    公开(公告)号:CN1441855A

    公开(公告)日:2003-09-10

    申请号:CN01812597.2

    申请日:2001-07-06

    CPC classification number: C23C14/223 C23C14/505 C23C14/541 H01F41/026

    Abstract: 本发明的阻止在金属沉积薄膜上形成凸起的方法,其特征在于它使用一种气相沉积设备,所述设备包括真空处理腔内的一用于沉积材料的蒸发部分以及一容置元件或夹持元件,用于容置或夹持工件,通过使容置元件或夹持元件围绕水平轴线转动,可以将金属沉积材料沉积在工件的每个表面上。所进行的气相沉积导致形成在每个工件表面上的薄膜的维氏硬度保持在25或更高。根据本发明,当在诸如稀土金属基磁铁的工件表面上形成铝、锌或类似金属的金属沉积薄膜时,可以有效地阻止在金属沉积薄膜上产生凸起。

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