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公开(公告)号：CN112701026A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011577908.0
申请日：2020-12-28
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 蔡裕棠
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30
摘要： 本发明提供了一种离子植入机及离子植入系统，在绝缘侧壁朝向真空腔体一侧裸露面形成防粘涂层，由于防粘涂层与反应气体的附着力小于绝缘侧壁朝向真空腔体一侧表面与反应气体的附着力，进而能够降低真空腔体中反应气体附着于防粘涂层表面的几率，降低由于反应气体附着而导致导电基底和导电外壳之间电连通的情况，提高了离子植入机的使用寿命和性能。
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公开(公告)号：CN112599436A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011456803.X
申请日：2020-12-10
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 李时璟
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种晶体管、及STI异常孔洞的侦测方法，基于STI区域位于P型衬底上第一N型掺杂区域和第二N型掺杂区域之间的晶体管，将栅极和源极浮空，漏极接入预设电压，获取漏电流的第一变化情况；将栅极浮空，源极接地，漏极接入所述预设电压，获取漏电流的第二变化情况；依据第一变化情况和第二变化情况，判断STI区域是否存在异常孔洞。该侦测方法通过在两种上电情况下，分别获取漏电流的变化情况，当STI区域存在异常孔洞时会有额外的漏电流产生，那么漏电流的第二变化情况必然会出现明显的变化，显然通过漏电流的两种变化情况可以判断出STI区域是否存在异常孔洞，且该侦测方法简单，耗时也比较短。
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公开(公告)号：CN112562759A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011448019.4
申请日：2020-12-09
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G11C11/418 , G11C11/419
摘要： 本发明实施例公开了一种静态随机存储器及其控制方法。静态随机存储器包括多条字线、多条位线、多个存储单元、读取辅助电路和控制信号线，所述存储单元连接至对应的字线和位线；所述读取辅助电路的控制端连接至所述控制信号线，所述读取辅助电路的第一端和第二端分别连接至不同的字线；所述读取辅助电路用于在控制信号的控制下导通，以使对应的两条字线连通。与现有技术相比，本发明实施例简化了读取辅助电路的结构，从而减小了读取辅助电路所占用的面积、减小了电路漏电、提升了静态随机存储器对干扰的容忍度、提升了稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN112542375A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011389915.8
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , G03F1/76
摘要： 本发明提供了一种提高光罩图形线宽均匀性的方法及装置，所述方法包括：获取目标光罩图形的线宽均匀性要求；获取设计图形；基于所述设计图形仿真获得光罩仿真图形；判断所述光罩仿真图形的线宽均匀性是否满足所述线宽均匀性要求；若否，则在所述设计图形的周围不断添加亚分辨率虚拟图形，改变所述设计图形的图形密度，构成目标设计图形；基于所述目标设计图形，在光罩衬底上形成所述目标光罩图形。该方法通过在设计图形的周围不断添加亚分辨率虚拟图形，丰富设计图形的周围环境，即改变所述设计图形的图形密度，进而改善目标光罩图形的线宽均匀性，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN112526820A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011516646.7
申请日：2020-12-21
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G03F1/72
摘要： 本发明的实施例提供了一种光罩缺陷修复方法、光罩制备方法和光罩，涉及半导体光刻工艺技术领域，采用该光罩缺陷修复方法，在沉积修复材料之前，对遮光层的透光缺陷区域内的光罩衬底进行表面粗糙化处理，以使透光缺陷区域内的光罩衬底的表面粗糙化，利用增加沉积表面粗糙度的形式，使得沉积物与沉积表面之间的接触面增大，增加沉积物的附着性，使得沉积物不易因清洗而剥落，降低大面积透光缺陷的沉积修补的失败率。
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公开(公告)号：CN112466932A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011375926.0
申请日：2020-11-30
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 陈伟华
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/78
摘要： 本发明的实施例提供了一种晶体管外延结构及其制备方法，涉及微电子技术领域，该晶体管外延结构包括：衬底基层；生长在所述衬底基层上的第一金属层和缓冲层，其中所述缓冲层间隔设置于所述第一金属层的相对两侧；以及生长在所述缓冲层上的第二金属层；其中，所述缓冲层用于阻碍所述第二金属层向所述衬底基层扩散。通过设置缓冲层，能够阻绝第二金属层和衬底基层，阻碍第二金属层中的正价元素向衬底基层扩散，从而防止第二金属层向衬底基层扩散。相较于现有技术，本发明提供的晶体管外延结构，能够减缓外延材料中的三价硼元素或者五价磷元素等正价元素会在后续制程时向硅基层扩散，有效减缓漏电现象，提升元件性能。
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公开(公告)号：CN112397505A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011275296.X
申请日：2020-11-12
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 陳秉睿
IPC分类号： H01L27/082 , H01L27/02
摘要： 本发明提供一种硅控整流器和静电放电保护器件，涉及半导体技术领域，可以在SCR导通时，电流路径为第三掺杂区至第二阱区，由于第一阱区至第二阱区的崩溃电压大于第三掺杂区至第二阱区的崩溃电压，故，可以有效的降低SCR的导通电压Vt1。同时，由于只将第一掺杂区作为电流输入端的电压VDD，且隔离层在鳍体的竖向的两侧形成隔离，第二掺杂区则在第一掺杂区的右侧完全挡住第一掺杂区，在整个电流路径中，由第一掺杂区和第二掺杂区形成一个逆偏的二极体，故，在整个SCR导通后，其维持电压多了一个逆偏二极体的崩溃电压，因此也就提高了整个SCR的维持电压，可以有效改善闩锁问题。
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公开(公告)号：CN112289679A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011198063.4
申请日：2020-10-30
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 杨学人
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子布植方法、装置及设备。该离子布植方法包括：提供带状离子束流；样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时，控制带状离子束流对样片进行离子布植，其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向。本发明实施例提供的技术方案，在缩短样片离子布植时间的基础上，提高了样片表面离子掺杂的均匀度。
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公开(公告)号：CN112255882A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011152838.4
申请日：2020-10-23
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明提供一种集成电路版图微缩方法，属于集成电路制造技术领域。集成电路版图微缩方法，包括：获取初始版图，并对初始版图内相互接触的图形单元进行合并，合并后的相互接触的图形单元构成图形单元组；根据预设微缩比例微缩处理经图形单元合并后的初始版图，以得到微缩版图。能够减少进行版图微缩后出现相接触的图形单元接触断开的情况，提高后续制得的集成电路的制造良率。
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公开(公告)号：CN112051707A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202011024848.X
申请日：2020-09-25
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
发明人： 崔耀升
摘要： 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及装置，该光学临近效应修正方法包括：获取待处理设计图形中的角对角特征；将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离，得到目标设计图形；对所述目标设计图形进行分段处理，控制点与分段点在同一条直线上。也就是说，在目标设计图形上再进行分段处理，这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸，使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向，可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。
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