公开(公告)号：CN114167687B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202010948703.2

申请日：2020-09-10

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 梁时元 ,  丁明正 ,  贺晓彬 ,  白国斌 ,  刘强

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/66

摘要： 本公开提供一种套刻误差动态抽样测量方法及装置，所述方法包括：获取晶圆上所有套刻标识的信息，所述所有套刻标识由所述晶圆上每个曝光单元中的套刻标识组成；将所述晶圆上所有套刻标识分成至少两大组；按照预先确定的选择顺序，依次选择每个相应大组的套刻标识测量所述晶圆的套刻误差；所述选择顺序用于指示所述至少两大组套刻标识的循环选择顺序。本公开通过多个套刻误差测量方案循环测量套刻误差，能够在不影响生产效率的情况下，更加准确地测量套刻误差。

公开(公告)号：CN117012478A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210466203.4

申请日：2022-04-29

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 李河圣 ,  朴兴雨 ,  朱宁炳 ,  刘金彪 ,  刘青 ,  杨涛 ,  贺晓彬 ,  李俊峰

IPC分类号： H01B17/56 ,  H01J37/04 ,  H01J37/10 ,  H01J37/317

摘要： 本发明提供的一种绝缘子、减速透镜组件以及离子注入机，涉及半导体技术领域，包括：至少两个单元体；所述单元体包括有连接部和遮挡部，所述连接部位于所述单元体的首端，所述遮挡部位于所述单元体的尾端，相邻所述单元体依次首尾相连；在所述单元体的首端至尾端的方向上，所述单元体的遮挡部至少遮挡与其尾端相连的相邻所述单元体的一部分表面。在上述技术方案中，该绝缘子在其单元体的至少一部分表面会形成无法暴露或减少暴露在离子束中的盲区，该盲区由于不会与离子束的线束直接对应，从而不会受到离子束的污染。

公开(公告)号：CN117005036A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210467782.4

申请日：2022-04-29

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 郭世根 ,  李亭亭 ,  蒋浩杰 ,  项金娟 ,  贺晓彬 ,  王晓磊

IPC分类号： C30B31/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/673

摘要： 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟以及具有晶舟的扩散炉，该晶舟包括沿晶舟周向间隔开的至少三个支撑柱和至少一个支撑架，支撑架设置在支撑柱上；其中，支撑架相反的两侧上分别设置有第一支撑部和第二支撑部，第一支撑部和第二支撑部均设置成装载晶圆。根据发明实施例的晶舟，将晶舟的两侧设置为均可以装载晶圆，先将晶圆装载到第一支撑部上，当加工过程中第一支撑部与晶圆之间发生摩擦产生细小的颗粒影响晶圆品质时，可以将晶舟翻转过来使用，将晶圆装载到第二支撑部上，继续进行加工，节省了晶舟更换清洗的费用，降低了在晶舟上的投入成本，提升了扩散炉的生产效率。

公开(公告)号：CN114137797B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202010917348.2

申请日：2020-09-03

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 刘智龙 ,  贺晓彬 ,  李亭亭 ,  刘金彪

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：制造出具有阶梯状结构的晶圆；在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。

公开(公告)号：CN111399345B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202010275233.8

申请日：2020-04-09

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/30

摘要： 本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统，该系统包括：外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将外部气压值反馈给控制器；内部气压检测装置，用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值，以及用于将内部气压值反馈给控制器；控制器，用于利用得到的外部、内部气压值确定压差以及根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。该方法包括：实时外部气压值和内部气压值；利用外部气压值和内部气压值确定压差；根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。涂胶显影系统，包括气压控制系统。本公开能够实时调节涂胶显影设备内各区域的气压，具有压差调节速度快、可靠性高等优点。

公开(公告)号：CN114377906B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202011140748.3

申请日：2020-10-22

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 李其衡 ,  贺晓彬 ,  丁明正 ,  刘强 ,  杨涛

IPC分类号： B05C5/02 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供的一种光刻胶分配器以及半导体制造设备，涉及半导体技术领域，包括：喷嘴壳体上开设有多个内腔，每个内腔对应设置有一个喷嘴，喷嘴装配在喷嘴壳体的外壁并与对应的内腔连通；多个单元喷涂组件与多个内腔一一对应；其中，单元喷涂组件包括单元瓶和驱动装置，单元瓶装配在内腔并与喷嘴连通，驱动装置与单元瓶驱动装配，以驱动单元瓶内的光刻胶沿喷嘴流出。在上述技术方案中，如果需要更换光刻胶时，只需要将该光刻胶分配器内不同单元喷涂组件移动到半导体的对应位置，将装载的不同光刻胶继续进行涂敷工作即可。所以，整个光刻胶的更换过程中并不需要机械结构的改变，只需要选择光刻胶分配器内不同的单元喷涂组件对应进行涂敷工作即可。

公开(公告)号：CN115047706A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110254793.X

申请日：2021-03-09

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 李其衡 ,  贺晓彬 ,  杨涛 ,  刘强 ,  丁明正

IPC分类号： G03F1/36

摘要： 本公开提供一种光学邻近修正方法、掩模版及掩模版制作方法，修正方法包括：提供当层图形和与所述当层图形相邻的前层图形，所述当层图形包括多个图形单元；根据每个所述图形单元的设计参数，以及所述前层图形对每个所述图形单元的光学影响系数，将所述多个图形单元进行分组，得到多个图形组；对不同的所述图形组采用不同的光学邻近修正模型进行修正，获得修正后的掩模版图形。本公开在对当层图形进行光学邻近修正时考虑了前层图形的光学影响，可以减少因前层图形的光学影响而产生的图形错误，从而提高了光学邻近修正的精度。

公开(公告)号：CN115036214A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110250609.4

申请日：2021-03-08

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 崔栽荣 ,  贺晓彬 ,  李亭亭 ,  杨涛 ,  刘金彪

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明提供的一种半导体的平坦化处理方法，涉及半导体制造技术领域，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上设置膜质层，该膜质层上具有至少一个沟槽；采用第一聚合物填充所述沟槽，并形成覆盖所述膜质层表面的第一聚合物层；在所述第一聚合物层上涂覆第二聚合物层，其中，所述第二聚合物层的刻蚀速率小于所述第一聚合物层的刻蚀速率；回刻所述第二聚合物层，使至少一部分所述第一聚合物层露出；继续回刻所述第一聚合物层和所述第二聚合物层，直至所述膜质层的表面平坦化。在上述技术方案中，采用了不同聚合物在刻蚀率上的差异，在刻蚀过程中利用第二聚合物层剩余材料形成的刻蚀掩膜对沟槽内的第一聚合物层材料进行遮挡，使膜质层的表面更加平坦。

公开(公告)号：CN114975107A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110205893.3

申请日：2021-02-24

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 刘智龙 ,  李大烨 ,  贺晓彬 ,  刘金彪 ,  杨涛 ,  李亭亭

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

摘要： 本公开具体可提供一种形成半导体图案的方法及半导体器件的制造方法。形成半导体图案的方法可以包括但不限于如下的步骤：提供半导体衬底，并在该半导体衬底上形成第一膜层。在第一膜层上形成牺牲层，在牺牲层上形成第一图案。在牺牲层内形成第二图案，其中第二图案与第一图案组成目标图案，然后将该目标图案转移到第一膜层上。半导体器件的制造方法包括但不限于本公开形成半导体图案的方法。本公开能够在已生成的图案基础上生成新的图案，已生成的图案与新的图案共同组成最终的图案，从而能够解决现有间距倍增技术无法适用于某些特殊图形的问题。本公开容易实现间距倍增的技术效果，能够较好地形成具有小间距的复杂半导体图案，适用范围较广。

公开(公告)号：CN114967349A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202110189290.9

申请日：2021-02-19

申请人： 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

发明人： 金成昱 ,  梁贤石 ,  林锺吉 ,  金在植 ,  张成根 ,  贺晓彬 ,  李亭亭 ,  刘金彪 ,  杨涛

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00

摘要： 本发明公开了一种套刻测量装置，该套刻测量装置包括测量室、测量机构和调控机构，测量室用于放置具有套刻标记的晶圆，测量机构设置在测量室内，用于测量晶圆的套刻标记，调控机构用于调控测量室的温度。具体地，当需要对晶圆进行检测时，将晶圆放置在测量室内，利用调控机构对测量室内的温度进行调节，使得测量室内维持在一定的温度，以满足测量机构的测量需求，测量机构对晶圆上的套刻标记进行测量，由于测量室内的温度符合测量需求，避免了温度对测量数据的影响，使得数据误读的情况得到了消除，从而准确地反映出晶圆的加工质量。