公开(公告)号：CN104635415A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410638317.8

申请日：2014-11-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  樱田丰久 ,  金子英雄 ,  高坂卓郎 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供包含透明基材和半色调相移膜的半色调相移光掩模坯料。相移膜由Si、N或Si、N和O组成，不具有过渡金属。相移膜具有厚度40-70nm，相对于最大200nm波长的光提供10-40％的透射率和150-200°相移，并且耐清洁用化学品。

公开(公告)号：CN104460221A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410499354.5

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  吉井崇 ,  桜田豊久 ,  池田显 ,  金子英雄 ,  渡边聪 ,  河合义夫

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

公开(公告)号：CN103123442A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210543966.0

申请日：2012-11-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  吉川博树 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/44 ,  G03F1/80 ,  G03F1/32

CPC classification number: G06F19/00 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。

公开(公告)号：CN102929096A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210412083.6

申请日：2009-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 深谷创一 ,  金子英雄

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/54 ,  G03F1/50

Abstract: 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30%，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。

公开(公告)号：CN102453862A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110322364.8

申请日：2011-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 金子英雄 ,  稻月判臣 ,  吉川博树

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/564 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。

公开(公告)号：CN101950125A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010274835.8

申请日：2010-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚慎一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树 ,  木名濑良纪

IPC: G03F1/08 ,  G03F1/14 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。

公开(公告)号：CN101852984A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010158168.7

申请日：2010-03-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  金子英雄 ,  吉川博树

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/84 ,  G03F7/70783

Abstract: 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。