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公开(公告)号:CN109521283A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201811519246.4
申请日:2018-12-12
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明公开了一种基于原子光谱的工频电场非接触式测量装置,它包括:球型原子气室、光电探测器、光学标准具和数据处理系统;球型原子气室包括有激光器,激光器将铷原子由基态跃迁至激发态;光电探测器与球型原子气室连接;光学标准具与光电探测器连接;数据处理系统与光电探测器连接。本发明采用非接触方式进行工频电场测量,避免了采用耦合方式需要引线的复杂性,避免系统复杂度所引入的误差;本发明采用便携式全光纤的球型气室,有效减少由于气室结构引入的扰动;利用原子光谱进行的原子控温装置和磁场补偿装置的反馈,保障了测量的精确度;本发明具有自校准功能的工频场强测量装置,可以实现的测量精度小于1mV/m,空间分辨率达到100微米。
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公开(公告)号:CN105588976B
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201510981010.2
申请日:2015-12-23
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 重庆大学
IPC分类号: G01R19/25
摘要: 本申请提供了一种电压电流组合式传感器及电压电流检测系统,电压电流组合式传感器包括:固定支架、活动支架、第一导线固定机构和第二导线固定机构、锁紧手柄、连杆机构、电场传感器探头和磁场传感器探头;电场传感器探头包括:PCB基板、第一电极组、第二电极组、第一接线柱和第二接线柱,第一电极组包括多个依次串联的半环形结构的第一电极,第二电极组包括多个依次串联的半环形结构的第二电极;磁场传感器探头包括第一铁芯、第二铁芯、罗氏线圈、第三接线柱和第四接线柱。本申请提供的电压电流组合式传感器降低了绝缘设计成本,并且不需要与待检测输电线路进行直接的电气连接,提高了安全性。
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公开(公告)号:CN107255874A
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:CN201710681704.3
申请日:2017-08-10
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: G02F1/13
CPC分类号: G02F1/1309
摘要: 本发明公开了一种电能表液晶装置故障检测方法,首先通过图像采集装置采集电能表上电时液晶装置的工作图像;然后将液晶工作图像输送到图像处理器中;并得到二值化图像和液晶工作图像的特征信号;最后将特征信号与存入到数据库系统的电能表液晶装置工作标准特征信号进行比较得到差值,得到液晶装置是否存在故障;本发明提供的方法可自动识别电能表液晶是否存在缺陷,这样可以减少人工对每个电能表液晶进行检测,提高工作效率。通过上位机软件与误差仪通讯控制表位电压继电器,控制电能表上下电。电能表在上电的瞬间液晶会点量,这时通过相机拍摄,利用图像处理技术与标准库中的样品进行比对,判断电能表液晶是否故障。
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公开(公告)号:CN107192976A
公开(公告)日:2017-09-22
申请号:CN201710581492.1
申请日:2017-07-17
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R35/04
CPC分类号: G01R35/04
摘要: 本发明公开了一种远程智能电表跳闸信号检测方法,首先上位机与电能表通讯,并发送跳闸命令;通过误差仪采样电能表的跳闸信号;然后上位机根据误差仪获取的跳闸信号判断跳闸信号种类;最后上位机根据跳闸信号种类判断跳闸是否成功,本发明提供的远程智能电表跳闸信号检测方法,用于远程智能电表跳闸信号检测,包括电能表外置跳闸检测和内置跳闸检测;可以检测电能表多种跳闸信号,实现了不同种类的跳闸信号的有效检测。
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公开(公告)号:CN106842108A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710174419.2
申请日:2017-03-22
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R35/04
CPC分类号: G01R35/04
摘要: 本发明公开了一种便携式车载直流电能表在线检测装置,包括外壳、PCB板、外接总线、电源模块、功率计算模块、数据处理模块和误差检测模块;外接总线分别与功率计算模块和误差检测模块数据连接;电源模块、功率计算模块、数据处理模块、误差检测模块设置在PCB板上;PCB板安装在外壳内;功率计算模块将采集到的动力电池的电流、电压和根据电流电压计算出的功率发送至数据处理模块,误差检测模块将检测本发明的电能误差脉冲输出和检测车载电能表的电能误差输入发送至数据处理模块;数据处理模块经过数据处理后得到电能表的误差值。本发明与现有检测手段相比可以实现在线检测车载电能表的误差,不需要将电能表拆卸后再检测,且整个检测时间短,操作简单。
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公开(公告)号:CN106291440A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610598698.0
申请日:2016-07-27
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 郑州万特电气股份有限公司
IPC分类号: G01R35/04
CPC分类号: G01R35/04
摘要: 本发明公开了一种电能表环境适应性考核平台,包括柜体、电网模拟模块、表计环境因数模拟模块、通讯模拟链和负载模拟模块条;电网模拟模块将产生的三相电压和六相电流输入到表计环境因数模拟模块;模拟表计运行环境;负载模拟模块与表计环境因数模拟模块连接实现不同类型负载的测试;通讯模拟链条与负载模拟模块连接。本发明提供的电能表环境适应性考核平台,能够模拟电能表各种复杂的用电现场环境。对安装在计量箱内的单相智能电能表及其断路器、负荷开关、布线等成套设备进行电气、环境、磁场方面的影响因素进行各种试验,实现研究各种单一及组合环境因素对电能表计量性能的影响,研究分析各种环境因素对电能表影响的考核方法、技术指标。
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公开(公告)号:CN105930193A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610292327.X
申请日:2016-05-05
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 深圳市中电电力技术股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种基于操作系统的电能表软件在线升级方法,首先启动升级握手过程,然后进行安全验证,再进行程序传输、程序校验、程序固化和程序加载;最后升级确认。本发明所提供的基于操作系统的电能表软件架构及其在线升级的方法,兼顾了可靠性与灵活性两方面要求,将法制计量模块独立处理,确保核心的计量功能不受其它模块更新、失效的影响,通过软件在线升级,可以方便地实现电能表软件的在线更新,而且对非法制计量相关软件升级时,并不会影响计量功能的正确运行,在保证可靠性的基础上,极大地提升了电能表应用的灵活性。
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公开(公告)号:CN105223537A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510751088.5
申请日:2015-11-06
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 重庆渝电电力科技有限公司
IPC分类号: G01R35/04
摘要: 本申请提供了一种电能表串户检测装置及方法,通过将信号发生器产生的预设特定波形信号发送至待测用户的输电线路后,由信号接收器对待测电能表的输电线路进行电流采样,并验证获得的采样电流信号中是否包含该预设特定波形信号,此时,即可基于该验证结果准确得知该待测电能表是否是该待测用户的电能表,无需停电,即可快速且准确实现串户排查和户表关系核对,保证用户用电计量的准确且可靠性,同时避免了对用户正常用电的影响,且无需用户之间的相互配合,大大提高了工作效率。
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公开(公告)号:CN104375090A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201410648861.0
申请日:2014-11-12
申请人: 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司 , 重庆大学
IPC分类号: G01R31/36
摘要: 一种充电锂电池剩余电量远程监测装置及其监测方法,通过由电池监测模块提供各种工作条件下的电池剩余容量信息、电池剩余时间信息和电池健康状况信息。并通过由单片机和无线收发器芯片组成的无线数据传输模块将所采集电池数据发送至远端接收终端,接收终端处理信号并将电池剩余使用时间以及电池健康状况等信息在显示器中显示,并当发现剩余电量低于预设阀值时,蜂鸣报警,从而实现电池电量远程监测。本发明用于电池剩余电量远程监测,监测装置构成简单,监测方法操作方便,可以精确到蓄电池储电电荷量具体数值,使得电池电量监测彻底实现远程在线精确监测。
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公开(公告)号:CN118248739A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410669075.2
申请日:2024-05-28
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网重庆市电力公司营销服务中心 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要: 本发明涉及半导体领域,提供一种横向半导体器件及制造方法。横向半导体器件包括半导体衬底、阱区、漂移区、源区、漏区、栅极,以及位于漂移区一侧的浮空场板结构;浮空场板结构包括形成于半导体衬底上的级联的多晶硅场板,级联的多晶硅场板中相邻两级的多晶硅场板之间通过层间介质层相连,第一级多晶硅场板与栅极相连,最后一级多晶硅场板与漏极相连。本发明在漂移区侧向增加级联的多晶硅场板结构,通过级联的多晶硅场板将栅极与漏极连接起来,从而调制漂移区表面及内部的电场,使漂移区的电场峰值得到有效降低,击穿电压得到提高,同时衬底辅助耗尽效应得以减弱,漂移区离子掺杂工艺窗口得以扩展,降低了横向半导体器件的制造难度。
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