一种CVD沉积速率、产物织构和质量跨尺度预测方法

    公开(公告)号:CN112331271A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011213889.3

    申请日:2020-11-04

    Abstract: 本发明提供CVD沉积速率、产物织构和质量跨尺度预测方法,S1建立反应器几何模型和划分网格;添加材料属性;S2建立多物理场模型,建立流体传热和层流模型,计算温度场和流场;S3建立化学和多组分物质传递模型,将先驱体气体反应输入模型,计算化学反应和浓度场分布;S4计算沉积表面浓度,与上一次总迭代计算的结果进行对比,满足收敛要求,流程结束;否则将表面浓度结果输入KMC模型进行下一次迭代;S5构建原子结构,确定表面反应;S6计算吸附、扩散速度,确定一步的原子结构与反应时间;S7若原子结构满足要求厚度,则返回S2;否则返回S5继续迭代计算。在本发明的基础上进行沉积工艺参数的优化,得到沉积产物织构可控,质量好的CVD产品。

    一种含铋的碱式盐的复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN110252382B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910573482.2

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种含铋的碱式盐的复合光催化剂及其制备方法:将一水葡萄糖和五水硝酸铋,加入去离子水配置成反应前驱液;将反应前驱液转入反应釜中,在150~180℃的烘箱内反应8~12h,沉淀物经洗涤干燥得到掺碳的铋的碱式盐粉体,将其加入NaBH4还原液中,洗涤、干燥。复合光催化剂化学式为C‑[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O/Bi;Bi单质以纳米颗粒的形式负载在C‑[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O材料上。本发明通过简单的两步改性就将[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O的吸收光谱扩展至可见光范围,且在常温下成功引入金属Bi纳米粒子,操作简单,节省能源。

    ZnO基三明治结构的自供电紫外探测薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111192963A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN202010074107.6

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 本发明属于微电子技术领域,为ZnO基三明治结构的自供电紫外探测薄膜及其制备方法,制备方法包括:在带有电极层的基底上制备ZnO种子层,得到带有ZnO种子层的基片;在ZnO种子层表面生长ZnO纳米柱,得到带有半导体材料ZnO纳米柱的基片;将上一步所得到的基片进行退火处理;在上一步所得到的基片上沉积PEDOT:PSS层,得到自供电紫外探测薄膜。所述薄膜在紫外照射后,其电流从基态的纳安级别上升到微安级别,并能在紫外光关闭后电流值能迅速回到基态的纳安级别,此过程可循环重复且在紫外灯照射下,电流没有明显的衰减,这种性能可保持2-3个月。本发明成本更低且更易得,制备工艺更简单,光响应性能更优越,适用性较强。

    一种表面安装ZnO压敏电阻及其制备方法

    公开(公告)号:CN107146668A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201710358346.2

    申请日:2017-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种表面安装ZnO压敏电阻及其制备方法,在ZnO压敏陶瓷片两面印刷银电极浆料,烧结形成银电极,获得两面有银电极的ZnO压敏银片;在两面银电极的边缘制备一层环形绝缘材料,制成覆盖绝缘材料的ZnO压敏电阻片;制作具有一凹陷位和位于凹陷位两侧的平底部分的金属电极片;在覆盖绝缘材料的ZnO压敏电阻片的一面银电极的中央印刷焊锡膏,将金属电极片凹陷位的中心对准焊锡膏印刷图案中心位置,加热使焊锡膏融化形成焊锡层,金属电极片通过焊锡层与ZnO压敏电阻片焊接在一起。该方法不同于现有叠层工艺贴片式压敏电阻制造方法,采用单层压敏陶瓷片,制造的贴片式压敏电阻器吸收能量密度大,制造成本低。

    一种铁酸铋BiFeO<sub>3</sub>纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN105129861B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201510534386.9

    申请日:2015-08-27

    CPC classification number: Y02P20/124

    Abstract: 本发明公开了铁酸铋BiFeO3纳米片的制备方法,包括以下步骤:按摩尔比1:1称量分析纯的Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O,并将其溶解于乙二醇甲醚溶液中,配成均匀的溶液A;在搅拌的同时,将氨水溶液滴加到溶液A中,使之完全沉淀,并搅拌均匀,制得反应前驱物;将制备的反应前驱物洗涤至中性,干燥后得到干粉;将干粉、NaOH溶液放入反应釜中,密封反应釜;将反应釜置于120℃~150℃的反应炉内,反应后取出反应釜中的产物,经洗涤,干燥得到铁酸铋BiFeO3纳米片。本发明的制备温度低,节省能源,且铁酸铋BiFeO3结晶完好、工艺控制及合成所需仪器设备简单。

    一种基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路

    公开(公告)号:CN106067795A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201610509128.X

    申请日:2016-06-29

    CPC classification number: H03K17/08 H03K17/72

    Abstract: 本发明公开了一种基于电压非线性元件的过电压检测及开关电路;其第二电阻器、稳压二极管和电容器并联连接,对应稳压二极管的阴极的并联端与半导体开关元件的门极或栅极连接,对应稳压二极管的阳极的并联端与半导体开关元件阴极或源极连接;第一电阻器与电压敏感元件串联连接,串联的一端与开关一端连接,串联的另一端与半导体开关元件的门极或栅极连接;负载一端与开关一端连接,负载的另一端与半导体开关元件的阳极或漏极连接;开关的另一端及半导体开关元件的阴极或源极与分别与电源两端连接。本发明实现电压检测与控制,省去了运算放大器电路及其所需直流电源,也无需增加抗干扰设计,简化了电路结构,降低了制作成本,缩小了产品体积。

    一种制备单晶BiFeO3纳米片的方法

    公开(公告)号:CN104195642B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410412805.7

    申请日:2014-08-20

    CPC classification number: Y02P20/124

    Abstract: 本发明公开了一种制备单晶BiFeO3纳米片的方法,包括以下步骤:将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶解于硝酸溶液中配成母盐溶液;将CTAB溶解于有机溶剂,配制两组CTAB溶液;将母盐溶液滴加到一组CTAB溶液中,搅拌得溶液A;将KOH溶液滴加到另一组CTAB溶液中,搅拌得溶液B;将溶液B滴加到溶液A中,搅拌后得水热反应前驱物;将水热反应前驱物、溶剂放入水热釜中;密封水热釜,于140~160℃烘箱内反应12~24h,过滤得沉淀物;沉淀物经洗涤,干燥后得单晶BiFeO3纳米片。本发明能在低温下合成纯相单晶BiFeO3纳米片,节省能源,产物结晶度高,工艺容易控制,所需设备简单。

    一种防雷过压保护器件

    公开(公告)号:CN103346547B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201310268111.6

    申请日:2013-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种防雷过压保护器件,包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管,所述正温度系数热敏电阻片和气体放电管并联后与压敏电阻片串联;所述正温度系数热敏电阻片与压敏电阻片形成热耦合关系。所述压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管可封装为一体或压敏电阻片和正温度系数热敏电阻片封装为一体,形成封装体,气体放电管位于封装体之外。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压,当发生雷击脉冲过电压时,该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。

    一种防雷过压保护组件

    公开(公告)号:CN103337848B

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201310270448.0

    申请日:2013-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种防雷过压保护组件,包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管,所述压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管封装为一体,正温度系数热敏电阻片和气体放电管的第一公共端为第一引出端,正温度系数热敏电阻片和气体放电管的第二公共端与压敏电阻片的一端连接,压敏电阻片的另一端为第二引出端。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压,当发生雷击脉冲过电压时,该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。

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