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公开(公告)号：CN103311916B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310268448.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 华南理工大学 , 深圳市劲阳电子有限公司 , 深圳市固安电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了防雷过压保护器件，包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管，所述压敏电阻片和正温度系数热敏电阻片封装为一体，形成封装体；所述正温度系数热敏电阻片的一端为第一引出端；正温度系数热敏电阻片的另一端与压敏电阻片的一端连接，形成公共端，所述公共端作为第三引出端；压敏电阻片的另一端作为第二引出端；气体放电管位于封装体之外，气体放电管的两端分别连接第一引出端和第三引出端。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压，当发生雷击脉冲过电压时，该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。
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公开(公告)号：CN111517778B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010429853.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B41/88 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法，将氧化锌、烧结助剂B4C和改性添加剂混合并球磨，干燥后得粉料；改性添加剂含有Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、锰的氧化物和Ni2O3；得到的粉料加PVA胶，造粒过筛，压片排胶；于900‑950℃烧结2‑3h，获得黑色致密的压敏陶瓷片；再将压敏陶瓷片的两面分别涂覆银浆，升温至500℃‑550℃，保温20‑30分钟后冷却，得到两面均印有电极的压敏陶瓷。本发明通过采用B4C作为烧结助剂，将烧结温度从传统的1100‑1200℃降至950℃以下的同时也保证了压敏陶瓷具备良好的综合电性能，整体工艺节能降耗，绿色环保，简便易行且可工业化推广。
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公开(公告)号：CN103346547A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310268111.6
申请日：2013-06-28
Applicant: 华南理工大学 , 深圳市劲阳电子有限公司 , 深圳市固安电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种防雷过压保护器件，包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管，所述正温度系数热敏电阻片和气体放电管并联后与压敏电阻片串联；所述正温度系数热敏电阻片与压敏电阻片形成热耦合关系。所述压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管可封装为一体或压敏电阻片和正温度系数热敏电阻片封装为一体，形成封装体，气体放电管位于封装体之外。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压，当发生雷击脉冲过电压时，该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。
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公开(公告)号：CN103337848A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310270448.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 华南理工大学 , 深圳市劲阳电子有限公司 , 深圳市固安电子有限公司
IPC: H02H9/06
Abstract: 本发明公开了一种防雷过压保护组件，包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管，所述压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管封装为一体，正温度系数热敏电阻片和气体放电管的第一公共端为第一引出端，正温度系数热敏电阻片和气体放电管的第二公共端与压敏电阻片的一端连接，压敏电阻片的另一端为第二引出端。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压，当发生雷击脉冲过电压时，该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。
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公开(公告)号：CN103311916A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310268448.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 华南理工大学 , 深圳市劲阳电子有限公司 , 深圳市固安电子有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了防雷过压保护器件，包括压敏电阻片、正温度系数热敏电阻片和气体放电管，所述压敏电阻片和正温度系数热敏电阻片封装为一体，形成封装体；所述正温度系数热敏电阻片的一端为第一引出端；正温度系数热敏电阻片的另一端与压敏电阻片的一端连接，形成公共端，所述公共端作为第三引出端；压敏电阻片的另一端作为第二引出端；气体放电管位于封装体之外，气体放电管的两端分别连接第一引出端和第三引出端。本发明不但可抑制操作过电压和故障工频过电压，当发生雷击脉冲过电压时，该保护组件能发挥正常压敏元件的保护作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110563457B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910837897.6
申请日：2019-09-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/638 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器及其制备技术，为氮离子掺杂的氧化锌基压敏电阻器及其制备方法。该压敏电阻器包含的各组分含量为：主成分，ZnO 100份；实现氮离子掺杂的副成分，1～3份；金属化合物副成分，2.802～5.005份。制备时先将各成分混合制成喷雾浆料；再喷雾干燥造粒；干压成型后排胶并烧结。本发明相较于未进行氮掺杂的对比组压敏电阻器而言，提高了压敏电压梯度与非线性系数，并降低了残压比，综合性能得到了提升。
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公开(公告)号：CN111517778A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010429853.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B41/88 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法，将氧化锌、烧结助剂B4C和改性添加剂混合并球磨，干燥后得粉料；改性添加剂含有Bi2O3、Sb2O3、Co3O4、锰的氧化物和Ni2O3；得到的粉料加PVA胶，造粒过筛，压片排胶；于900‑950℃烧结2‑3h，获得黑色致密的压敏陶瓷片；再将压敏陶瓷片的两面分别涂覆银浆，升温至500℃‑550℃，保温20‑30分钟后冷却，得到两面均印有电极的压敏陶瓷。本发明通过采用B4C作为烧结助剂，将烧结温度从传统的1100‑1200℃降至950℃以下的同时也保证了压敏陶瓷具备良好的综合电性能，整体工艺节能降耗，绿色环保，简便易行且可工业化推广。
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公开(公告)号：CN110563457A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910837897.6
申请日：2019-09-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/638 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及压敏电阻器及其制备技术，为氮离子掺杂的氧化锌基压敏电阻器及其制备方法。该压敏电阻器包含的各组分含量为：主成分，ZnO 100份；实现氮离子掺杂的副成分，1～3份；金属化合物副成分，2.802～5.005份。制备时先将各成分混合制成喷雾浆料；再喷雾干燥造粒；干压成型后排胶并烧结。本发明相较于未进行氮掺杂的对比组压敏电阻器而言，提高了压敏电压梯度与非线性系数，并降低了残压比，综合性能得到了提升。
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公开(公告)号：CN111192963A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010074107.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，为ZnO基三明治结构的自供电紫外探测薄膜及其制备方法，制备方法包括：在带有电极层的基底上制备ZnO种子层，得到带有ZnO种子层的基片；在ZnO种子层表面生长ZnO纳米柱，得到带有半导体材料ZnO纳米柱的基片；将上一步所得到的基片进行退火处理；在上一步所得到的基片上沉积PEDOT:PSS层，得到自供电紫外探测薄膜。所述薄膜在紫外照射后，其电流从基态的纳安级别上升到微安级别，并能在紫外光关闭后电流值能迅速回到基态的纳安级别，此过程可循环重复且在紫外灯照射下，电流没有明显的衰减，这种性能可保持2-3个月。本发明成本更低且更易得，制备工艺更简单，光响应性能更优越，适用性较强。
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公开(公告)号：CN107146668A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710358346.2
申请日：2017-05-19
Applicant: 华南理工大学 , 广州固安电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种表面安装ZnO压敏电阻及其制备方法，在ZnO压敏陶瓷片两面印刷银电极浆料，烧结形成银电极，获得两面有银电极的ZnO压敏银片；在两面银电极的边缘制备一层环形绝缘材料，制成覆盖绝缘材料的ZnO压敏电阻片；制作具有一凹陷位和位于凹陷位两侧的平底部分的金属电极片；在覆盖绝缘材料的ZnO压敏电阻片的一面银电极的中央印刷焊锡膏，将金属电极片凹陷位的中心对准焊锡膏印刷图案中心位置，加热使焊锡膏融化形成焊锡层，金属电极片通过焊锡层与ZnO压敏电阻片焊接在一起。该方法不同于现有叠层工艺贴片式压敏电阻制造方法，采用单层压敏陶瓷片，制造的贴片式压敏电阻器吸收能量密度大，制造成本低。
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