公开(公告)号：CN118451517A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202380016567.5

申请日：2023-05-09

申请人： 伊莎贝尔努特·霍伊斯勒两合公司

发明人： 斯蒂芬·德根

IPC分类号： H01C1/142 ,  H01C1/148 ,  H01C17/00 ,  H01C17/28 ,  H01C7/00 ,  H01C17/07 ,  H01C1/14

摘要： 本发明涉及一种电阻器（1）的制造方法，特别是低电阻电流测量电阻器的制造方法，所述方法具有以下步骤：‑提供由导体材料制成的平整支撑元件（2）；‑提供由电阻器材料制成的平整电阻器元件（3）；‑利用电阻器元件（3）与支撑元件（2）之间的电绝缘层（4）将平整电阻器元件（3）平整地施加到支撑元件（2）的顶侧，以及；‑通过由导电材料制成的两个接触帽（8、9）接触电阻器元件（3），其中两个接触帽（8、9）直接放置在电阻器元件（3）的顶侧上，并且直接在平整电阻器元件（3）的顶侧上、沿电阻器（1）中的电流流动方向、在两个接触帽之间包围一定的距离（d），并且；‑设置电阻器（1）的期望电阻值。根据本发明的制造方法的特征在于以下步骤：通过调节直接在电阻器元件（3）的顶侧上、在接触帽（8、9）之间的距离（d）来调节电阻器（1）的电阻值，其中距离（d）是根据期望电阻值进行调节的。

公开(公告)号：CN118315146A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410573915.5

申请日：2024-05-09

申请人： 肇庆市金龙宝电子有限公司

发明人： 蒋璐莲 ,  莫霖 ,  蒋朝伦

IPC分类号： H01C7/02 ,  H01C1/142

摘要： 本发明涉及热敏电阻领域，尤其涉及一种低阻NTC热敏电阻及其制备方法和应用。低阻NTC热敏电阻，其包括NTC瓷片体，和设置于瓷片体表面的钌电极以及钌电极表面的外层电极；NTC瓷片体的原料，以质量份计，包括：40～45份Mn3O4，10～14份NiO，6～10份N i2O3，12～18份CuO，2～5份SiO2，3～6份CoO和1～3份Al2O3。本发明所制得的NTC热敏电阻不仅具有优异的低电阻率、低电阻B值，且其整体的自身稳定性较好，能够大幅提高NTC热敏电阻的使用性能和使用寿命，在耐老化性能测试中表现优异，具有十分突出的市场前景，大幅扩展了NTC热敏电阻的应用领域和应用环境。

公开(公告)号：CN117976341A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202211308156.7

申请日：2022-10-25

申请人： 昆山厚声电子工业有限公司

发明人： 彭荣根 ,  施如峯 ,  赵武彦 ,  牛士瑞 ,  王腾纬 ,  陈飞 ,  刘艾萍 ,  冯阳 ,  王振宇

IPC分类号： H01C7/04 ,  H01C1/142 ,  H01C1/08 ,  H01C17/065 ,  H01C17/242 ,  H01C17/12 ,  H01C17/14

摘要： 本发明公开了一种宽电极高功率电阻器及其制备方法，电阻低阻采用贱金属材料铜浆与铜镍浆来印刷制作背面电极、电阻R层与正面电极,中高阻采用通用的RuO2与银钯浆为材料,正面电极在单一单元上是连通的,根据尺寸不同并联三个或四个R模块,根据不同规格的尺寸及功率需求,正面电极可以是二层也可以是三层印刷,激光采用对刀方式,对每一单元的第一颗电阻及第三颗电阻进行切割,激光切割的起刀点需靠近左右电极,且自在第一颗与第二颗电阻R层之间向上切割及第二颗与第三颗电阻R层之间向下切割。本发明使电阻的散热路径最短及散热效果最佳,确保电阻功率的提升，产品具有性能稳定,功率高,低TCR及低成本,提高了产品的适用范围。

公开(公告)号：CN117766244A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311826548.7

申请日：2023-12-26

申请人： 中国地质大学(武汉)

发明人： 陈巧 ,  赵艺梦 ,  尹作为 ,  薛保山 ,  殷杰 ,  陈明

IPC分类号： H01C7/04 ,  H01C1/14 ,  H01C1/142 ,  G01K7/22

摘要： 本发明提供了一种多晶金刚石片在制备低温热敏电阻器件中的应用，属于热敏电阻技术领域。该多晶金刚石片的厚度为0.3～2mm，晶粒尺寸为0.01～0.2mm，晶粒取向为晶面(220)方向。解决了金刚石热敏电阻在200℃以下的低温区敏感性能不够的问题。通过简化器件结构，设计制备基于自支撑金刚石的热敏电阻器件，避免了衬底材料等外部干扰；进而调控自支撑多晶金刚石的晶粒取向，明晰热激发电导机制，优化提升器件的低温敏感性能；制得的自支撑多晶金刚石热敏电阻在25～200℃范围内的温度敏感常数B超过7000K，最高可达9818K，较传统的金刚石多晶薄膜热敏电阻有数倍的性能提升。

公开(公告)号：CN116525226A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310632648.X

申请日：2023-05-30

申请人： 惠州市大容电子科技有限公司

发明人： 张健 ,  吴建万 ,  温子松

IPC分类号： H01C7/02 ,  H01C7/13 ,  H01C1/142

摘要： 本发明涉及一种表面贴装型过电流保护元件，该表面贴装型过电流保护元件包括：PTC层、第一导电层、第二导电层、第一电极和第二电极。PTC层设置在第一导电层及第二导电层之间，且第一导电层或第二导电层相较于其邻近的第一电极或第二电极为内层导电线路；第一导电层和第二导电层均由导电浆料固化得到，导电浆料包括如下组分：数均分子量(Mn)不低于10000且玻璃化转变温度‑10℃‑150℃的聚氨酯树脂；聚(丙烯腈‑co‑丁二烯‑co‑苯乙烯)；双酚A型环氧树脂；导电颗粒以及有机溶剂。

公开(公告)号：CN116487135A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310647275.3

申请日：2023-06-01

申请人： 中山敏瓷科技有限公司

发明人： 包汉青 ,  黄城貌 ,  严汉良

IPC分类号： H01C7/04 ,  H01C1/142 ,  H01C1/148

摘要： 本发明公开了一种片式NTC热敏电阻及其制备用装置，包括所述三辊研磨机包括研磨机本体和活动设置在研磨机本体一侧的移位块；混合筒，所述混合筒活动设置在研磨机本体一侧；锥形罩，所述锥形罩活动设置在研磨机本体一侧，能够与所述混合筒相连接；翻转件，所述翻转件设置在研磨机本体上，此片式NTC热敏电阻及其制备用装置，区别于现有技术，使得在制备NTC热敏电阻浆料时，利用所述翻转件驱使所述锥形罩和混合筒转动至研磨机本体上，自主翻转上料，在所述驱动轴转动时，利用所述上料机构驱使所述锥形活塞移位，将混合筒内的物料自动推出，在所述移位块移位时，利用所述同步调控机构驱使所述封板同步调节，调节封板组成的出料口的大小，提高了研磨效率。

公开(公告)号：CN110942875B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201911391586.8

申请日：2019-12-30

申请人： 北京捷安通达科技有限公司

发明人： 全宇辰 ,  杜佳悦 ,  余崇威 ,  米林山 ,  王根春 ,  朱立华

IPC分类号： H01C7/12 ,  H01C1/142 ,  H01C1/034 ,  H01C17/00 ,  H01C17/02 ,  H01C17/28 ,  H01C17/30 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B41/90

摘要： 本发明提供了一种电荷装载仓容性陶瓷半导体装置及其制造方法。该装置由设定数量的形状相同的几何片状体的陶瓷半导体结构串联组成，串联过渡体为铝箔或锡箔，每一个几何片状体的陶瓷半导体结构串联的截面附着导电金属电极，侧面刷涂玻璃釉绝缘浆料。本发明通过材料配方技术和工艺，增加异性电荷聚合量，保护角度≥85°，大大的提高了保护半径。闪电电流耐受程度达到150‑400KA。此参数通过国家第三方测试机构的测试验证。在设定保护角度下接闪概率达到100％，减少大约82％的雷电流泄放大地，彻底消除82％的雷电流消除地面保护区域内微电子设备地电位高压反击破坏现象，保护人身安全和设备安全。

公开(公告)号：CN115565742A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211389526.4

申请日：2020-01-28

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 后藤阳一

IPC分类号： H01C1/012 ,  H01C1/142 ,  H01C1/02

摘要： 本发明提供一种电阻器，其包括电阻体、绝缘板、保护膜和一对电极。电阻体具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一面和第二面。绝缘板配置在第一面。保护膜配置在第二面。一对电极在与厚度方向正交的第一方向上彼此隔开间隔地配置，且与电阻体接触。一对电极分别具有在厚度方向上相对于电阻体位于与绝缘板相反侧的底部。一对电极的底部沿着厚度方向看时与保护膜的一部分重叠。电阻器还具有在第一方向上彼此隔开间隔的一对中间层。一对中间层具有导电性，且由含有合成树脂的材料形成。一对中间层分别具有覆盖保护膜的一部分的覆盖部。一对中间层的覆盖部分别位于保护膜与一对电极的任一者的底部之间。

公开(公告)号：CN113012875B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202110189940.X

申请日：2016-10-26

申请人： 韦沙戴尔电子有限公司

发明人： C·史密斯 ,  T·怀亚特

IPC分类号： H01C1/032 ,  H01C1/084 ,  H01C1/142 ,  H01C1/144 ,  H01C1/148 ,  H01C7/06 ,  H01C7/18 ,  H01C17/00 ,  H01C17/065 ,  H01C17/28

摘要： 本文描述了电阻器及制造电阻器的方法。一种电阻器，其包括电阻元件以及多个导电元件。多个导电元件通过介电材料彼此电绝缘，并且通过设置在多个导电元件中的每个导电元件与电阻元件的表面之间的粘合材料热联接至电阻元件。多个导电元件通过导电层和可焊接层联接至电阻元件。

公开(公告)号：CN113690003B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202110782910.X

申请日：2021-07-12

申请人： 华南理工大学

发明人： 凌志远 ,  廖云鹏

IPC分类号： H01C1/142 ,  H01C7/00 ,  H01C17/28

摘要： 本发明公开了一种厚膜片式电阻器及其制造方法，其中厚膜片式电阻器包括：氧化铝基片；正面小电极，设置在氧化铝基片的第一表面的两侧；背面电极，设置在氧化铝基片的第二表面的两侧；电阻体层，设置在氧化铝基片的第一表面上；一次保护层，设置在电阻体层上；正面大电极，设置在正面小电极上，且覆盖正面小电极；二次保护层，设置在一次保护层上；端电极层，设置在正面大电极和背面电极上；电镀镍层，设置在端电极层上；电镀锡层，设置在电镀镍层上。本发明通过引入正面大电极，对电阻表面进行包覆，避免点、线缺陷出现，阻止电阻体层与正面电极交界处银电极层出现硫化，提高厚膜片式电阻器的可靠性，可广泛应用于电子材料与元器件领域。