基于无氧铜矩形谐振腔的可调传输子量子比特系统

    公开(公告)号:CN105158561B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201510624971.8

    申请日:2015-09-25

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于无氧铜矩形谐振腔的可调传输子量子比特系统,包括:可调传输子量子比特;装配有超导线圈的无氧铜矩形谐振腔;用于屏蔽外部环境磁场的低温磁屏蔽筒;其中,所述可调传输子量子比特置于无氧铜矩形谐振腔内腔体的中心,所述可调传输子量子比特置于低温磁屏蔽筒内。本发明还公开了一种测量基于无氧铜矩形谐振腔的可调传输子量子比特能谱的方法。本发明实现了跃迁频率可调的传输子量子比特,对多量子比特耦合研究和量子调控有重要意义。

    一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器

    公开(公告)号:CN106595878A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611129045.4

    申请日:2016-12-09

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: G01J5/20 G01J2005/208

    Abstract: 本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器,包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、直流电源、环形器、偏置信号发生器和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。偏置器为T型偏置器,其射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口分别连接超导氮化铌测辐射热计芯片、直流电源和环形器。环形器为三端口环形器。环形器的三个端口分别连接偏置信号发生器、偏置器和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。

    一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103872155B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410101842.6

    申请日:2014-03-19

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法。该超导单光子探测器在基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区表面布置有金纳米颗粒。其制备方法包括将含有十二烷基硫醇?金纳米颗粒的溶液滴入装有水的聚四氟乙烯容器里面;待溶剂蒸发后,在水和空气的界面形成单层的金纳米颗粒层;用聚二甲基硅氧烷蘸取单层的金纳米颗粒层;将聚二甲基硅氧烷上的单层的金纳米颗粒层转贴至基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线性区。相比传统的基于氮化铌的超导单光子探测器,本发明的探测器对400?1000nm波段的可见光到近红外的光子探测效率有提升,特别是对750nm的光子探测效率提升超过10倍。

    一种双面结高温超导BSCCO太赫兹源的制备方法

    公开(公告)号:CN105576115A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201510983562.7

    申请日:2015-12-24

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: H01L39/2493

    Abstract: 本发明公开了一种双面结高温超导BSCCO太赫兹源的制备方法,取BSCCO单晶分别热蒸发上下电极,再通过一次光刻以及离子束刻蚀,即可制作出厚度可达数微米的样品。该制备方法简单、可操作,可缩短样品制备周期和提高样品制备成功率,有利于制作超厚度样品。通过该制备工艺制备出的样品具有发连续波、可调谐、单色性好、功率高等优点。当样品厚度大于2μm时,有比较大的太赫兹辐射功率,可达几十微瓦,相较于传统的双面结样品,辐射功率最高可提高一个数量级,样品的频率可调范围可达500 GHz。

    高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器

    公开(公告)号:CN105355774A

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201510844499.9

    申请日:2015-11-26

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: H01L39/00 H01L39/02

    Abstract: 本发明公开了一种高偏振消光比且高效率的超导纳米线单光子探测器,包括衬底;介质半反镜,结合于所述衬底表面;下光学腔体,结合于所述介质半反镜表面;NbN纳米线,呈周期性蜿蜒结构结合于所述下光学腔体内部;上光学腔体,结合于所述下光学腔体表面;金属纳米线,呈周期性结构结合于所述下光学腔体与上光学腔体之间;全反镜,结合于所述上光学腔体表面。本发明解决现有技术中超导纳米线单光子探测器光吸收率偏振消光比不够高且效率较低的问题。

    偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器

    公开(公告)号:CN104835905A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201510278258.2

    申请日:2015-05-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器,包括衬底;介质半反镜,结合于所述衬底表面;下光学腔体,结合于所述介质半反镜表面;介质包裹层,结合于所述下光学腔体表面;NbN纳米线,结合于所述介质包裹层内部;上光学腔体,结合于所述介质包裹层表面;介质纳米线,结合于所述介质包裹层与上光学腔体之间;全反镜,结合于所述上光学腔体表面。本发明解决现有技术中超导纳米线单光子探测器对光偏振方向敏感的问题。

    一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法

    公开(公告)号:CN103276365B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201310191941.3

    申请日:2013-05-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法,包括如下步骤:在高阻硅衬底上,通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层;在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上,通过磁控溅射六氮五铌薄膜缓冲层,明显提高了氮化铌薄膜的超导性能,特别在超薄薄膜性能上提高更加明显。本发明也可推广到其他基片上提高氮化铌薄膜的超导性能,简单易行,效果明显。

    超导纳米线单光子探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104752534A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510206393.6

    申请日:2015-04-27

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/09 G01J1/42 H01L31/18

    Abstract: 本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器,由N个串联的超导纳米线单元、N个不同阻值的并联电阻和光学谐振腔组成,所述N个不同阻值的电阻分别并联在N个超导纳米线单元的两端,所述光学谐振腔覆盖在N个串联的超导纳米线单元上层。本发明不仅能够实现光子数分辨,同时还具备了空间分辨的能力。本发明还公开了一种制备如上所述的超导纳米线单光子探测器的方法,整个工艺流程只需要进行一次纳米线图形的电子束曝光,有效降低了器件的制备成本。

    一种太赫兹信号检测装置
    79.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103090977B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201310031213.6

    申请日:2013-01-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹信号检测装置,包括集成芯片,所述集成芯片上同时设置低温半导体读出电路和超导体检测器;低温半导体读出电路和超导体检测器相互连通,超导体检测器用于检测太赫兹信号。本发明不仅能降低系统噪声提高超导太赫兹直接检测器的灵敏度、工作稳定性和运行速度,而且还便于设计和制作基于多通道读出电路的太赫兹二维检测阵列的成像系统。本发明将超导体元器件和半导体元器件集成在同一块芯片上,通过微加工技术很容易实现金属薄膜引线。因为集成度提高,也大幅度减少了焊盘从而实现了降低噪声和提高系统运行速度的目的。

    基于电容耦合的室温太赫兹检测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103968959A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410216876.X

    申请日:2014-05-22

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电容耦合的室温太赫兹检测器,包括硅衬底,所述硅衬底上的第一二氧化硅层,所述第一二氧化硅层上的六氮五铌薄膜微桥,所述六氮五铌薄膜微桥两端连接的金属薄膜电极,位于所述六氮五铌薄膜微桥上的第二二氧化硅层,以及位于所述第二二氧化硅层上的金薄膜偶极子天线。本发明还公开了制备上述室温太赫兹检测器的方法。本发明的室温太赫兹检测器工作于室温,具有较高灵敏度,且容易做成大规模阵列芯片。

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