公开(公告)号：CN110060935B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810937666.8

申请日：2018-08-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡柏豪 ,  庄博尧 ,  郑心圃 ,  翁得期

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

摘要： 本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法，从而将中介片和第一半导体器件放置在载体衬底上并且被密封。中介片包括第一部分和远离第一部分延伸的导电柱。位于密封剂的第一侧上的再分布层将导电柱电连接至第一半导体器件。

公开(公告)号：CN115565958A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943437.3

申请日：2022-08-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 汪金华 ,  叶书伸 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/10 ,  H01L21/56

摘要： 本公开提出一种封装结构及其制造方法。封装结构包括第一封装元件和第二封装元件，第二封装元件包括基底，且电子元件设置于基底上。第一封装元件安装于基底上。封装结构还包括环状结构，设置于第二封装元件上且在第一封装元件周围。环状结构具有第一接脚和第二接脚，第一接脚和第二接脚朝向基底延伸，电子元件被环状结构覆盖且位于第一接脚和第二接脚之间，且第一封装元件显露于环状结构。

公开(公告)号：CN115565954A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210562587.X

申请日：2022-05-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 汪金华 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  李宗彦 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

摘要： 本发明实施例涉及多芯片元件以及形成方法。一种多芯片元件包含在衬底内的第一材料。所述第一材料具有第一热膨胀系数，所述第一热膨胀系数与所述衬底的第二热膨胀系数不同。第一芯片位于所述第一材料的第一部分以及所述衬底的第一部分之上。第二芯片位于所述第一材料的第二部分以及所述衬底的第二部分之上。所述第一材料位于所述衬底的所述第一部分与所述衬底的所述第二部分之间。

公开(公告)号：CN115565891A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210937096.9

申请日：2022-08-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林昱圣 ,  郑心圃 ,  林柏尧 ,  汪金华 ,  叶书伸 ,  杨哲嘉

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

摘要： 提供封装结构与其形成方法。方法包括形成凹陷于电路基板中，且凹陷具有第一侧壁与第二侧壁。第二侧壁在第一侧壁与电路基板的最底部表面之间，且第二侧壁比第一侧壁陡峭。方法亦包括形成晶粒封装，且晶粒封装具有半导体晶粒。方法更包括经由多个接合结构接合晶粒封装至电路基板，使半导体晶粒的一部分进入电路基板的凹陷。此外，方法包括形成底填材料以围绕接合结构并填入凹陷。

公开(公告)号：CN115527964A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210942921.4

申请日：2022-08-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林昱圣 ,  叶书伸 ,  汪金华 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/427 ,  H01L23/04

摘要： 一种包括盖子的半导体封装，所述盖子具有位于盖子上及/或盖子内的一或多个热管，以提供改善的热管理。一种用于半导体封装的盖子，具有一或多个与盖子热整合的热管，可以为半导体封装提供更均匀的热损失、降低因过多热量积聚而损坏封装的风险以及可使盖子能够使用较便宜的材料制造，从而降低半导体封装的成本。

公开(公告)号：CN115497900A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210071801.1

申请日：2022-01-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 汪金华 ,  叶书伸 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/488

摘要： 一些实施例有关于一种半导体结构。半导体结构包括第一衬底，第一衬底包括在第一衬底上彼此横向间隔开的第一多个导电垫。第一多个导电凸块分别设置在第一多个导电垫上。多层阻焊结构设置在第一衬底上且排列在第一多个导电垫之间。多层阻焊结构在第一衬底上方的不同高度处具有不同的宽度并接触所述第一多个导电凸块的侧壁以将所述第一多个导电凸块彼此分隔。

公开(公告)号：CN115394713A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210819524.8

申请日：2022-07-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈涌钱 ,  饶俊龙 ,  叶书伸 ,  陈建声 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L21/78

摘要： 本公开提供一种方法，包括形成互连组件，互连组件包括包含有机介电材料的介电层和延伸到介电层中的再分布线。此方法还包括将第一封装组件和第二封装组件接合到互连组件、将第一封装组件和第二封装组件封装在密封剂中、以及使用刀片预切割互连组件以形成沟槽。沟槽穿透互连组件，并且部分地延伸到密封剂中。此方法还包括执行分割工艺，以将第一封装组件和第二封装组件分别分离成第一封装和第二封装。

公开(公告)号：CN115241151A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210577915.3

申请日：2022-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 汪金华 ,  郑心圃 ,  林柏尧 ,  赖柏辰 ,  叶书伸 ,  游明志 ,  林昱圣

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

摘要： 一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构包括相邻的第一及第二半导体裸片，接合于中介基底上。芯片封装结构也包括一绝缘层，形成于中介基底上。绝缘层具有一第一部环绕第一及第二半导体裸片及一第二部延伸于第一半导体裸片的一第一侧壁与第二半导体裸片的一第二侧壁之间，并延伸于中介基底与第一及第二半导体裸片之间。第一侧壁的一顶端到第二侧壁的一顶端的一横向距离大于第一侧壁的一底端到第二侧壁的一底端的一横向距离。

公开(公告)号：CN114823563A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210171503.X

申请日：2022-02-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林昱圣 ,  林柏尧 ,  叶书伸 ,  汪金华 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/04 ,  H01L21/52

摘要： 本公开提供一种芯片封装结构及其形成方法。芯片封装结构的形成方法包括设置芯片封装于配线基板上。所述方法包括形成第一导热结构及第二导热结构于芯片封装上。第一导热结构及第二导热结构被第一间隙分开。所述方法包括通过第一导热结构及第二导热结构接合散热盖至芯片封装。在接合散热盖至芯片封装期间，第一导热结构及第二导热结构朝向彼此延伸，直到第一导热结构接触第二导热结构。

公开(公告)号：CN114765143A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111085129.3

申请日：2021-09-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶书伸 ,  林柏尧 ,  林昱圣 ,  赖柏辰 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 一种半导体装置包括衬底、封装结构、第一散热器及第二散热器。封装结构设置在衬底上。第一散热器设置在衬底上。第一散热器环绕封装结构。第二散热器设置在封装结构上。第二散热器连接到第一散热器。第一散热器的材料不同于第二散热器的材料。