公开(公告)号：CN113113381B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202110034896.5

申请日：2021-01-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许佳桂 ,  游明志 ,  叶书伸 ,  杨哲嘉 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 实施例是封装结构，该封装结构包括第一集成电路管芯；接合至第一集成电路管芯的再分布结构，该再分布结构包括在第一介电层中的第一金属化图案，该第一金属化图案包括多个第一导电部件，第一导电部件中的每一个包括在第一介电层中的第一导电通孔和在第一介电层的上方并电耦接至相应的第一导电通孔的第一导线，第一导线中的每一个在平面图中包括曲线；在第一介电层和第一金属化图案的上方的第二介电层；以及在第二介电层中的第二金属化图案，第二金属化图案包括在第二介电层中的多个第二导电通孔，第二导电通孔中的每一个在相应的第一导线的上方并电耦接至相应的第一导线。本申请的实施例还涉及形成封装结构的方法。

公开(公告)号：CN118553720A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410623468.X

申请日：2019-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴逸文 ,  翁得期 ,  蔡柏豪 ,  庄博尧 ,  洪士庭 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 一种半导体封装体，包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。中介层结构也包括排置于绝缘基体的第一表面上且对应于半导体芯片的多个岛型层。一部分的封胶层夹设于至少两个岛型层之间。或者，中介层结构包括一钝化护层，覆盖绝缘基体的第二表面，且具有沿着绝缘基体的周围边缘延伸的一凹槽。

公开(公告)号：CN113823618B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202110799906.4

申请日：2021-07-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宗彦 ,  汪金华 ,  游明志 ,  许佳桂 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L21/48

摘要： 本公开涉及芯片封装结构、半导体结构及其形成方法。该芯片封装结构包括有机中介载板，包括内埋重分布互连结构的聚合物基质层、封装侧凸块结构、以及通过相应的凸块连接通孔结构连接到重分布互连结构中的远端子集的晶粒侧凸块结构。至少一金属屏蔽结构可横向地围绕晶粒侧凸块结构中的一相应者。屏蔽支撑通孔结构可横向地围绕凸块连接通孔结构中的一相应者。每个金属屏蔽结构和屏蔽支撑通孔结构可用于减小在随后将半导体晶粒附接到晶粒侧凸块结构的期间所施加到重分布互连结构的机械应力。

公开(公告)号：CN115910814A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211615779.9

申请日：2017-12-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑心圃 ,  陈硕懋 ,  许峯诚

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

摘要： 封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。

公开(公告)号：CN115565962A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210948348.8

申请日：2022-08-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶书伸 ,  汪金华 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 提供一种半导体装置封装体及其形成方法。半导体装置封装体包括一基底、一半导体装置、一环型结构、一罩盖结构以及一粘着部件。半导体装置设置于基底上。环型结构设置于基底上，并环绕半导体装置。罩盖结构设置于环型结构上，并延伸跨越半导体装置。粘着部件设置于环型结构与半导体装置之间的间隙内，并黏合罩盖结构及基底上。

公开(公告)号：CN115565957A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943458.5

申请日：2022-08-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林昱圣 ,  陈见宏 ,  赖柏辰 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

摘要： 本公开提出一种封装结构及其形成方法。封装结构包括电路基板和通过接合结构接合到电路基板的芯片封装。封装结构还包括贴附到电路基板的翘曲控制构件。翘曲控制构件具有延伸到电路基板中的凸出部分。翘曲控制构件的高度大于芯片封装的高度。

公开(公告)号：CN115513189A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210041865.7

申请日：2022-01-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林孟良 ,  庄博尧 ,  翁得期 ,  陈硕懋 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 本公开的各种实施例涉及半导体封装和其制造方法。半导体封装至少包括电路衬底、半导体管芯和填充材料。电路衬底有第一表面、与所述第一表面相反的第二表面和从所述第一表面凹进去的凹穴。电路衬底包括介电材料和埋设在介电材料中并位于凹穴下方的金属底板。金属底板的位置对应于凹穴的位置。金属底板是电性浮置的并被介电材料隔离。半导体管芯设置在凹穴中，且与电路衬底电连接。填充材料设置在半导体管芯和电路衬底之间。填充材料填充凹穴且封装半导体管芯，而连接半导体管芯和电路衬底。

公开(公告)号：CN115249674A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210579590.2

申请日：2022-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 汪金华 ,  林昱圣 ,  林柏尧 ,  游明志 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/16 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L21/52

摘要： 一种封装组件，包括位于封装基板上的中介层模块、位于中介层模块上的液态合金热界面材料(TIM)、围绕液态合金热界面材料的密封环、以及位于液态合金热界面材料和密封环上的封装盖，其中密封环、中介层模块及封装盖密封液态合金热界面材料。

公开(公告)号：CN115241137A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210587461.8

申请日：2022-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖柏辰 ,  汪金华 ,  游明志 ,  杨哲嘉 ,  叶书伸 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 一种封装结构，包含重布结构、于重布结构上方的半导体裸片以及于重布结构下方的多个接合元件。半导体裸片具有彼此连接的第一侧壁以及第二侧壁。多个接合元件包含第一列接合元件以及第二列接合元件。在俯视图中，第二列接合元件配置于第一列接合元件与第二侧壁的延伸线之间。第二列接合元件与第一侧壁之间的最小距离大于第一列接合元件与第一侧壁之间的最小距离。

公开(公告)号：CN115116987A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210110675.6

申请日：2022-01-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李育承 ,  叶书伸 ,  许佳桂 ,  林柏尧 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/04 ,  H01L23/16 ,  H01L25/07 ,  H01L21/52

摘要： 半导体结构包括：衬底；封装件，附接至衬底的第一表面，其中，封装件包括：中介层，其中，中介层的第一侧通过第一导电凸块接合至衬底的第一表面；管芯，附接至中介层的与第一侧相对的第二侧；以及模制材料，位于管芯周围的中介层的第二侧上；多个热界面材料(TIM)膜，位于封装件的远离衬底的第一表面上，其中，TIM膜的每个直接设置在管芯中的至少一个相应管芯上方；以及散热盖，附接至衬底的第一表面，其中，封装件和多个TIM膜设置在散热盖和衬底之间的封闭间隔中，其中，散热盖接触多个TIM膜。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。