一种钢箱梁结构组装辅助定位装置

    公开(公告)号:CN217629463U

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202221636224.8

    申请日:2022-06-27

    摘要: 本实用新型涉及钢箱梁辅助定位装置的技术领域,且公开了一种钢箱梁结构组装辅助定位装置,包括套桩,套桩的侧面开设有横槽,横槽的内部活动连接有活动板,活动板的前侧固定连接有定位板,套桩的前侧固定连接有挡板,将挡板与套桩放置在待焊接梁板的外部,同时梁板靠在挡板的表面进行垂直定位,此时对梁板远离挡板的一侧进行焊接,由于每个梁板安装的间距需要相同,在焊接第二块梁板时,握住转把并带动转齿转动并使活动板从横槽的内部向外移动,使活动板带动定位板与挡板之间的间距移动至第二块梁板安装的位置,并对梁板远离定位板的一侧与地基进行焊接固定,此时即可完成对梁板的快速精准定位,并提高了梁板焊接后的精度。

    一种制备碲化亚铜薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103864027B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410085556.5

    申请日:2014-03-03

    IPC分类号: C01B19/04 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种制备碲化亚铜薄膜材料的方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤获得,首先清洗铜基片,然后将TeO2放入溶剂中,并调整pH值,用旋涂法在铜片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将此密闭容器进行加热后,取出样品并干燥,得到碲化亚铜光电薄膜。本发明不需要高温和真空条件、对设备仪器要求低并容易操作,具有生产成本低、效率高等优点。这种新工艺为制备高性能的碲化亚铜光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种制备铜铝硫光电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103449734B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201310301217.1

    申请日:2013-07-09

    IPC分类号: C03C17/22 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种铜铝硫薄膜的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗基片,然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O放入溶剂中,采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨和升华硫的可密闭容器中,使前驱体薄膜样品不与水合联氨和升华硫接触,最后进行干燥,得到铜铝硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铝硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的铜铝硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。

    一种制备铜铝硫光电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103449734A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310301217.1

    申请日:2013-07-09

    IPC分类号: C03C17/22 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种铜铝硫薄膜的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗基片,然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O放入溶剂中,采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨和升华硫的可密闭容器中,使前驱体薄膜样品不与水合联氨和升华硫接触,最后进行干燥,得到铜铝硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铝硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的铜铝硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。

    一种制备铜铝硫薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103449733A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310301210.X

    申请日:2013-07-09

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种制备铜铝硫薄膜的方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤获得,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O、CH4N2S放入溶剂中,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将此密闭容器进行加热后取出样品并干燥,得到铜铝硫光电薄膜。本发明不需要高温真空条件、对设备仪器要求低并容易操作、生产成本低、生产效率高等优点。所得铜铝硫光电薄膜择优取向生长且有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铝硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种制备铜铝碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103396009A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310300894.1

    申请日:2013-07-09

    IPC分类号: C03C17/22 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种制备铜铝碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤获得,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O、TeO2放入溶剂中,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将此密闭容器进行加热后取出样品并干燥,得到铜铝碲光电薄膜。本发明不需要高温真空条件、对设备仪器要求低并容易操作、生产成本低、生产效率高等优点。所得铜铝碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铝碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种制备硫化锌光电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN105097989A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410261270.8

    申请日:2014-06-13

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0216

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种制备硫化锌光电薄膜的方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗基片,然后将ZnO、CH4N2S放入溶剂中,采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器中,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,最后进行干燥,得到硫化锌光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得硫化锌光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的硫化锌光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。

    一种制备ZnO/ZnS复合光电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104022189B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201410280591.2

    申请日:2014-06-23

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种制备ZnO/ZnS复合光电薄膜的方法,属于半导体薄膜制备技术领域。本发明通过如下步骤得到:首先清洗基片,然后将ZnO、CH4N2S放入溶剂中,采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器中,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,最后进行干燥,得到ZnO/ZnS复合光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作,所得ZnO/ZnS复合光电薄膜有较好的连续性和均匀性。这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的ZnO/ZnS复合光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。

    一种制备铜铝碲薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103396009B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310300894.1

    申请日:2013-07-09

    IPC分类号: C03C17/22 H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 一种制备铜铝碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤获得,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O、TeO2放入溶剂中,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将此密闭容器进行加热后取出样品并干燥,得到铜铝碲光电薄膜。本发明不需要高温真空条件、对设备仪器要求低并容易操作、生产成本低、生产效率高等优点。所得铜铝碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铝碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

    一种制备ZnO/ZnS复合光电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104022189A

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201410280591.2

    申请日:2014-06-23

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 一种制备ZnO/ZnS复合光电薄膜的方法,属于半导体薄膜制备技术领域。本发明通过如下步骤得到:首先清洗基片,然后将ZnO、CH4N2S放入溶剂中,采用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器中,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,最后进行干燥,得到ZnO/ZnS复合光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作,所得ZnO/ZnS复合光电薄膜有较好的连续性和均匀性。这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构,为制备高性能的ZnO/ZnS复合光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的制备方法。