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公开(公告)号：CN102184754A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110043079.2
申请日：2008-01-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/04886 , H01H2201/028 , H01H2209/082 , H01H2219/012 , H01H2229/016 , H01H2239/006 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种透明导电体层已被图案化而且外观良好的透明导电性薄膜。该透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由两层底涂层地具有透明导电体层的透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜的特征在于，所述透明导电体层被图案化，且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有至少一层底涂层，经由两层底涂层设置已被图案化的透明导电体层，从透明的薄膜基材开始第一层的底涂层的折射率n为1.5～1.7，从透明的薄膜基材开始第二层的底涂层的折射率n为1.4～1.5。
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公开(公告)号：CN101127254B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200610112190.1
申请日：2006-08-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B27/36 , B32B3/085 , B32B7/12 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/536 , B32B2307/584 , B32B2457/20 , B32B2457/208 , Y10S428/917 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性层叠体的特征在于，它具有透明的膜基材、在所述透明膜基材的一面用干法工艺设置的厚度为1～30nm而相对折射率为1.6～1.9的SiOX膜(x大于等于1.5而小于2)、在所述SiOX膜上设置的厚度为10～50nm的SiO2膜以及在所述SiO2膜上设置的厚度为20～35nm的透明导电性薄膜。
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公开(公告)号：CN102097160A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110043080.5
申请日：2008-01-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/04886 , H01H2201/028 , H01H2209/082 , H01H2219/012 , H01H2229/016 , H01H2239/006 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种透明导电性薄膜的制造方法，其中透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由至少一层底涂层地具有透明导电体层，并且所述透明导电体层被图案化，且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层的透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜的制造方法的特征在于，在透明的薄膜基材的单面或两面上，形成至少一层底涂层的工序；在所述底涂层上利用溅射法形成透明导电体层的工序；将所述透明导电体层蚀刻并图案化的工序；以及将已被图案化的所述透明导电体层退火处理并使其结晶化的工序。
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公开(公告)号：CN101063922B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710097120.8
申请日：2007-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G06F3/045
CPC classification number: G06F3/045 , H01H13/704 , H01H2201/00 , H01H2201/016 , H01H2227/002 , H01H2227/004 , H01H2227/006 , H01H2227/008 , H01H2227/01 , H01H2227/03 , H01H2227/034 , Y10T428/24355 , Y10T428/24372
Abstract: 本发明提供一种使用在薄膜基材上设置有导电性薄膜的面板的触摸面板，所述导电性薄膜的耐久性优良，所述触摸面板具有第一面板和第二面板，所述第一面板具有透明的第一薄膜基材和设在该第一薄膜基材的单面的透明的第一导电性薄膜；所述第二面板具有透明的第二薄膜基材和设在该第二薄膜基材的单面的透明的第二导电性薄膜，第一面板和第二面板通过隔离件对置配置以使第一导电性薄膜和第二导电性薄膜对置，其特征在于，第一导电性薄膜的表面硬度为1GPa以上，弹性模量为5GPa以上，第二导电性薄膜的表面的中心线平均粗糙度(Ra)为0.3～1.0nm，并且，第二导电性薄膜的表面的中心线平均粗糙度(Ra)的值比第一导电性薄膜的表面的中心线平均粗糙度(Ra)的值小。
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公开(公告)号：CN101622680A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006601.6
申请日：2008-02-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0414 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B25/08 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2262/101 , B32B2264/101 , B32B2264/105 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/4026 , B32B2307/412 , B32B2307/54 , B32B2307/702 , B32B2307/712 , B32B2307/728 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , Y10T428/14 , Y10T428/1476
Abstract: 本发明提供一种加工性良好的透明导电性膜及其制造方法。本发明的透明导电性膜是带有粘合剂层的透明导电性膜，其特征为，具有在透明塑料膜基材的一面设有无定形透明导电性薄膜的无定形透明导电性层叠体，以及在所述透明塑料膜基材的另一面隔着粘合剂层设置的至少具有薄膜基材的脱模膜，且所述脱模膜的厚度比所述无定形透明导电性层叠体的厚度厚，所述无定形透明导电性层叠体的MD方向的热收缩率与所述脱模膜的MD方向的热收缩率的差值为-0.3～0.45％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101417517A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810170074.4
申请日：2008-10-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B7/02 , B32B9/00 , B32B33/00 , B32B7/12 , G06F3/045 , H01B5/14 , C23C14/34 , B05D7/00 , B05D3/00
CPC classification number: C08J7/045 , G02F1/13338 , G02F2001/133331 , G02F2202/022 , G02F2202/09 , G02F2202/16 , G06F3/045 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种透明导电性薄膜，其具有笔输入耐久性及高温高湿可靠性优良的透明导电体层。在透明的薄膜基材的单面隔着至少一层底涂层而具有透明导电体层，其特征在于，所述透明导电体层的厚度d为15～35nm，平均表面粗糙度为0.37～1nm。
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公开(公告)号：CN100442083C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200580028853.5
申请日：2005-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/116 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B1/18 , G02B27/0006 , G06F3/045 , Y10S428/917 , Y10T428/24942 , Y10T428/265 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明的透明导电性膜在透明膜基材的一个侧面有硬涂层，进而在该硬涂层上有通过干法工艺形成的10～300nm厚的SiOX膜，在透明膜基材的另一个侧面有20～35nm厚的透明导电性薄膜。所述的透明导电性膜具有良好的耐湿热性，笔输入耐久性优异，在冲压加工时能抑制裂纹的产生，良好的耐湿热性，即使在高温高湿的环境下，也能抑制膨胀或卷曲的产生。
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公开(公告)号：CN1947204A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012780.0
申请日：2005-04-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0488 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , Y10T428/256 , Y10T428/266
Abstract: 本发明的透明导电性层叠体，在厚度为2～120μm的透明薄膜基材的一侧表面，按照透明的第一电介质薄膜、透明的第二电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次层叠，在所述薄膜基材的另一表面，通过透明的粘合剂层贴合透明基体而成，第二电介质薄膜是无机物或有机物和无机物的混合物，形成上述导电性薄膜的材料的结晶中，最大粒径为300nm或更小的结晶含量超过50面积％。所述透明导电性层叠体高度地满足用作触摸屏的弯曲笔输入耐久性。
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公开(公告)号：CN1310124C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200410094694.6
申请日：2004-11-12
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制打痕造成的凹凸不平的、且在作为显示器时不出现图像的凹陷或变形等以及不降低显示质量的触摸面板用透明导电性薄膜的制造方法。是一种介由粘附剂层(44)对具有硬涂层和/或防眩层的第1薄膜(16)和具有透明导电膜的第2薄膜(62)进行层叠的透明导电性薄膜(70)的制造方法，具备：向带粘附剂层的所述第1薄膜(18)的间隔件(10)的第2面和第1薄膜(16)之间的两端部提供衬垫并同时卷绕在卷芯上而形成带粘附剂层的第1薄膜的辊体的工序，在从带粘附剂层的第1薄膜(18)的辊体开卷的同时除去间隔件(10)并从在两端部介由衬垫卷绕在卷芯上的辊体提供第2薄膜(62)而进行粘附的层叠工序。
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公开(公告)号：CN1281410C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410074916.8
申请日：2004-08-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0042 , C23C14/5806
Abstract: 本发明提供用于制备透明导电层压材料的方法，该层压材料具有在包含有机聚合物模制品的衬底上的完全结晶的透明导电层。透明导电层的透明性和湿热置信度优异，比电阻不十分低，光学性质如延迟特性无变化。通过在衬底温度80-150℃，真空度为8×10-3Pa或更低的条件下溅射成膜，在包含有机聚合物模制品的衬底上形成透明导电层，以形成包含In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，具有占In原子和Sn原子总重量1-6%重量的Sn原子含量，膜厚为15-30nm，霍尔迁移率为15-28cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至5×1020/cm3，在温度低于120℃下热处理该层，使其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30-45cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至7×1020/cm3，而获得透明导电层压材料。
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