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公开(公告)号:CN107074622A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580057344.9
申请日:2015-10-23
申请人: 旭硝子株式会社
IPC分类号: C03C3/091 , G02F1/1333
CPC分类号: C03C3/091 , G02F1/1333 , G02F2001/133302 , G02F2202/09
摘要: 本发明提供在热收缩率低的玻璃中不易产生因BHF引起的问题、生产率良好、并且热收缩率低的无碱玻璃。本发明涉及一种无碱玻璃,其应变点为680℃以上,50℃~350℃下的平均热膨胀系数为30×10‑7/℃~45×10‑7/℃,并且以基于氧化物的质量%表示,所述无碱玻璃含有54%~66%的SiO2、10%~27%的Al2O3、0.2%~5.5%的B2O3、0~10%的MgO、0~15%的CaO、0~15%的SrO、0~15%的BaO、8%~25%的MgO+CaO+SrO+BaO,且所述无碱玻璃含有600质量ppm以下的Na2O,Na2O与B2O3的质量比(Na2O/B2O3)为0.001以上且0.3以下。
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公开(公告)号:CN101646633A
公开(公告)日:2010-02-10
申请号:CN200880006911.8
申请日:2008-02-28
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: C04B35/443
CPC分类号: C04B35/443 , C04B35/6455 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/805 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9653 , G02B1/02 , G02F2001/133311 , G02F2201/50 , G02F2202/09 , G02F2203/01 , G02F2203/06 , G03B21/005 , C04B41/4529 , C04B41/5027 , C04B41/5055
摘要: 本发明提供组成为MgO·nAl 2 O 3 (1.05≤n≤1.30)、Si元素的含量为20ppm以下的尖晶石烧结体及其制造方法,该制造方法具备以下工序:由Si元素的含量为50ppm以下、纯度为99.5质量%以上的尖晶石粉末形成成型体的工序;通过在真空中在1500℃~1700℃下对成型体进行烧结,形成密度95%以上的烧结体的第一烧结工序;和在1600℃~1800℃下对烧结体进行加压烧结的第二烧结工序。
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公开(公告)号:CN101484838A
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200780024710.6
申请日:2007-05-17
申请人: 旭硝子株式会社
IPC分类号: G02F1/1333 , C03C3/087 , C03C3/091
CPC分类号: C03C3/087 , C03C3/078 , C03C3/091 , C03C27/10 , G02F1/1333 , G02F2001/133302 , G02F2202/09
摘要: 本发明提供一种液晶显示面板,该液晶显示面板至少对置基板使用价格低廉的含碱玻璃,能以低成本制造,其制造过程中无需实施热处理,所以不会产生由此引起的面板翘曲,不会发生液晶显示的不良,而且不会因为使用时的环境温度变化而产生由该热膨胀系数的差引起的导致液晶显示不良的面板翘曲。液晶显示面板具有阵列玻璃基板和与该阵列玻璃基板对置的对置玻璃基板,这些基板之间填充有液晶,周边部用紫外线固化性树脂密封,上述对置基板是含碱玻璃基板,上述阵列玻璃基板和上述对置玻璃基板的热膨胀系数的差为35×10-7/℃以下。
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公开(公告)号:CN101417517A
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200810170074.4
申请日:2008-10-22
申请人: 日东电工株式会社
IPC分类号: B32B7/02 , B32B9/00 , B32B33/00 , B32B7/12 , G06F3/045 , H01B5/14 , C23C14/34 , B05D7/00 , B05D3/00
CPC分类号: C08J7/045 , G02F1/13338 , G02F2001/133331 , G02F2202/022 , G02F2202/09 , G02F2202/16 , G06F3/045 , Y10T428/265
摘要: 本发明提供一种透明导电性薄膜,其具有笔输入耐久性及高温高湿可靠性优良的透明导电体层。在透明的薄膜基材的单面隔着至少一层底涂层而具有透明导电体层,其特征在于,所述透明导电体层的厚度d为15~35nm,平均表面粗糙度为0.37~1nm。
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公开(公告)号:CN1595263A
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN200410068347.6
申请日:2004-08-31
申请人: 精工爱普生株式会社
IPC分类号: G02F1/1337 , G02F1/13 , G03B21/00 , G02B27/18
CPC分类号: C23C14/10 , C23C14/5833 , G02F1/133734 , G02F1/13378 , G02F2001/133792 , G02F2202/09 , Y10T428/1009
摘要: 提供一种耐光性优良而且能够使之产生预倾角的无机取向膜,具备这种无机取向膜的电子器件用基板,液晶面板和电子仪器。而且提供一种该无机取向膜的形成方法。本发明的无机取向膜的形成方法,是在基体材料上形成无机取向膜的方法,其特征在于,其中具有在基体材料上形成主要由无机材料构成膜的成膜工序,和从相对于所述膜的表面垂直方向仅以所定角度θb倾斜的方向,对所述膜表面照射离子束的研磨工序。在研磨工序中对所述膜照射所述离子束,使所述膜上形成具有所定方向性的凹部。在研磨工序中所定的角度θb为2°以上。
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公开(公告)号:CN103313950B
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201180060423.7
申请日:2011-10-04
申请人: 葛迪恩实业公司
发明人: 斯科特·V·汤姆森
IPC分类号: C03C17/00 , C23C14/34 , C03C17/245 , C23C14/02 , H01J37/305
CPC分类号: C03C17/245 , C03C17/002 , C03C2218/31 , C23C14/08 , C23C14/3442 , G02F2001/133302 , G02F2001/133337 , G02F2202/09
摘要: 本发明的某些示例性实施例涉及处理苏打石灰硅玻璃基板的表面的方法以及所产生的表面处理玻璃制品,例如苏打石灰硅碱离子玻璃基板。尤其是,本发明的某些示例性实施例涉及使用离子源除去玻璃基板的顶部表面部分的方法。除去此部分期间或之后,玻璃可然后被涂上另一层来用作覆盖层。在某些示例性实施例中,涂有覆盖层的玻璃基板可以用作LCD显示装置的颜色过滤器和/或TFT基板。在其他示例性实施例中,其上涂有覆盖层的玻璃基板可用在各种显示装置中。
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公开(公告)号:CN103958424A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201280058040.0
申请日:2012-12-28
申请人: 日本电气硝子株式会社
IPC分类号: C03B33/03 , B24B9/10 , B65G49/06 , C03B33/033 , C03B33/037 , C03C19/00 , G02F1/13 , G02F1/1333
CPC分类号: B24B9/10 , B65G49/061 , B65G49/064 , C03B33/03 , C03B33/037 , G02F1/1303 , G02F2001/133302 , G02F2202/09
摘要: 一种玻璃板加工装置,具备保持玻璃板(G)的保持台(1)、使保持台(1)沿着规定的搬运路径移动的轨道(2)、将由保持台(1)保持的玻璃板(G)在搬运路径上切断成规定尺寸的矩形形状的切断装置(3、4、5)、对于在搬运路径上由保持台(1)保持的玻璃板(G)的切断端面在搬运路径上实施倒角的倒角装置(7、8、9),以保持台(1)为基准将切断装置(3、4、5)和倒角装置(7、8、9)定位之后开始加工。
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公开(公告)号:CN103080994A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180041201.0
申请日:2011-07-07
申请人: 夏普株式会社
IPC分类号: G09F9/30 , G02F1/1345 , G09F9/00
CPC分类号: G02F1/136286 , G02F1/1333 , G02F1/133345 , G02F1/13452 , G02F1/13458 , G02F2001/13456 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , G02F2202/02 , G02F2202/09 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , H01L27/124 , H01L27/1248
摘要: 在显示面板中,由栅极金属层形成的多个栅极端子和由源极金属层形成的多个源极端子(14)在俯视时交替地排列,从各个源极端子(14)到中间区域(82)和端子区域(83)以覆盖由源极金属层形成的源极端子引出线(16)的方式设有无机绝缘膜(5),在中间区域(82)中,以覆盖无机绝缘膜(5)的方式设有有机绝缘膜(6),端子区域(83)中的无机绝缘膜(5)的厚度比中间区域(82)中的无机绝缘膜(5)的厚度小,无机绝缘膜(5)在端子区域(83)中具有使源极端子(14)的表面的至少一部分露出的开口部。
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公开(公告)号:CN101765801B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200880100850.1
申请日:2008-05-01
申请人: 夏普株式会社
发明人: 池田正晖
IPC分类号: G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC分类号: G02F1/1309 , C03C23/0025 , G02F1/1303 , G02F2201/508 , G02F2202/09
摘要: 本发明的液晶显示装置(10)包括:在一对玻璃基板(31、41)之间设置液晶层(50)而成的液晶面板(11)和对该液晶面板(11)供给照明光的照明装置(12),其特征在于:在上述一对玻璃基板(31、41)中的至少一方玻璃基板(31)中,在能对成为亮点缺陷原因的亮点缺陷产生部(X)进行遮光的位置形成包含非桥键氧空穴中心的有色部(60)。
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公开(公告)号:CN101454875B
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN200780019709.4
申请日:2007-05-24
申请人: 康宁股份有限公司
IPC分类号: H01L21/268 , H01L21/762 , H01L21/00
CPC分类号: H01L21/268 , G02F2202/09 , G02F2202/104 , H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/67115 , H01L21/7624 , H01L21/76254
摘要: 用于绝缘体上半导体(SOI)结构的系统和方法及其产品,包括对至少一个未整饰的表面进行激光退火工艺。制造SOI结构还可包括对施主半导体晶片的注入表面进行离子注入工艺以在施主半导体晶片中产生脱落层;将该脱落层的注入表面与绝缘体衬底接合;将脱落层从施主半导体晶片分离,从而使至少一个裂开表面露出;以及对至少一个裂开表面进行激光退火工艺。
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