公开(公告)号：CN1549055A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03155716.3

申请日：2003-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041

Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。

公开(公告)号：CN1485885A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN03131014.1

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0047

Abstract: 本发明提供一种在半导体装置的制造过程中使用的图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法。形成由含有通过酸的作用改变显影液可溶性的聚合物、照射能量光束就产生酸的酸发生剂、吸收聚合物或酸发生剂产生的脱气的化合物的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(11)；对于抗蚀膜(11)选择性照射远紫外线(12)进行图形曝光后，对图形抗蚀膜(11)通过显影液进行显影并形成抗蚀层图形(13)。根据本发明可以减少由抗蚀膜产生的脱气的量并改善抗蚀层图形的形状和提高生产率。

公开(公告)号：CN1467794A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03131006.0

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/161 ,  G03F7/165

Abstract: 本发明提供一种在半导体集成电路装置的制造过程等中使用的图形形成方法。在基板上形成由有机材料构成的低介电常数绝缘膜后，在第1室内，在低介电常数绝缘膜的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第1分子层。然后在第1室的内部保持低介电常数绝缘膜后，在第2室内，在第1分子层的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第2分子层。然后，在形成第1分子层和第2分子层的低介电常数绝缘膜上形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜，对于该抗蚀膜进行曝光和显影从而形成抗蚀层图形。由此可以使在具有空穴或者含有有机材料的被处理膜上形成的化学增幅型抗蚀膜构成的抗蚀层图形良好。

公开(公告)号：CN1433052A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101698.7

申请日：2003-01-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/2022

Abstract: 一种图案形成方法，是对抗蚀剂膜进行预烘焙后，使该抗蚀剂膜中含有的溶剂挥发。在真空中对已挥发溶剂的抗蚀剂膜选择性地照射曝光光而进行图案曝光。使经图案曝光的抗蚀剂膜显影而形成抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN1409377A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02148238.1

申请日：2002-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 远藤政孝 ,  笹子胜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/322

Abstract: 一种图形形成方法，在衬底上形成由化学放大型抗蚀剂构成的抗蚀剂膜后，选择性地对该抗蚀剂膜照射曝光光来进行图形曝光。将经过图形曝光的抗蚀剂膜放置(暴露)于显影液中，使用碱性漂洗液对该抗蚀剂膜进行漂洗，形成由抗蚀剂膜构成的抗蚀剂图形。