公开(公告)号：CN106206261B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510210383.X

申请日：2015-04-29

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 潘槿道 ,  卜喆圭 ,  许仲君 ,  金弘益

IPC: H01L21/027

CPC classification number: C09D153/00 ,  C08F293/00 ,  C08L53/005 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/002 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/165 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种形成图案的方法包括：在下面层上形成引导图案，在引导图案和下面层上形成自组装嵌段共聚物(BCP)层，将自组装BCP层退火以形成被交替地且重复地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域，以及选择性地去除第一聚合物嵌段域。引导图案由可显影抗反射材料形成。另外，引导图案彼此间隔开，使得引导图案中的每个的宽度小于引导图案之间的距离。

公开(公告)号：CN106133606B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580015088.7

申请日：2015-02-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本雄人 ,  境田康志 ,  高濑显司 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08F12/22 ,  C08F220/10 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F12/22 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  C08F2220/282 ,  C08F2220/382 ,  C09D7/65 ,  C09D125/14 ,  C09D167/02 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供用于抗蚀剂下层膜形成用组合物的添加剂、以及包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种用于抗蚀剂下层膜形成用组合物的添加剂、以及包含前述添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述添加剂含有具有下述式(1)～式(4)所示的结构单元的共聚物(式中，R1分别独立地表示氢原子或甲基，Ar表示亚芳基，Pr表示保护基或氢原子，X表示直接结合或‑C(＝O)O‑R2‑基，构成该‑C(＝O)O‑R2‑基的R2表示碳原子数为1～3的亚烷基，该亚烷基与硫原子结合，R3表示氢原子、甲基、甲氧基或卤素，R4表示至少1个氢原子被氟取代了的碳原子数为1～3的烷基，Z表示具有四元环～七元环的内酯骨架、金刚烷骨架或降冰片烷骨架的有机基团。)。

公开(公告)号：CN109715591A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780055990.0

申请日：2017-09-13

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 越后雅敏

IPC: C07C39/21 ,  C07D311/78 ,  C08G8/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

CPC classification number: C07C39/21 ,  C07D311/78 ,  C08G8/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种下述式(0)所示的化合物。(式(0)中，RY为氢原子、RZ为碳数1～60的N价的基团或单键，RT各自独立地为任选具有取代基的碳数1～30的烷基、任选具有取代基的碳数6～30的芳基、任选具有取代基的碳数2～30的烯基、任选具有取代基的碳数1～30的烷氧基、卤素原子、硝基、氨基、羧酸基、巯基或羟基，前述烷基、前述芳基、前述烯基和前述烷氧基任选包含醚键、酮键或酯键，此处，RT中的至少1个为羟基，而且RT中的至少1个为碳数2～30的烯基，X表示氧原子、硫原子、单键或为无桥接，m各自独立地为0～9的整数，此处，m中的至少1个为2～9的整数或m中的至少2个为1～9的整数、N为1～4的整数，此处，N为2以上的整数的情况下，N个[]内的结构式任选相同或不同，r各自独立地为0～2的整数。)

公开(公告)号：CN109416512A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040019.0

申请日：2017-06-23

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  后藤裕一 ,  远藤雅久 ,  臼井友辉 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C07C43/13 ,  C07D251/34 ,  C07D403/14 ,  C08L65/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07C43/13 ,  C07D251/34 ,  C07D403/14 ,  C08L65/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供包含具有乙内酰脲环的化合物的、新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含1分子中具有至少2个下述式(1)所示的取代基的化合物、和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X1表示碳原子数1～3的羟基烷基、或主链具有1个或2个醚键的碳原子数2～6的烷基。)

公开(公告)号：CN109143784A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810927323.3

申请日：2018-08-15

Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司

Inventor： 成智国 ,  杨正凯

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/70608 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及一种单衬底上包括三层光刻材料的晶圆，涉及半导体集成电路制造技术，包括：衬底；涂覆于所述衬底上的旋涂的碳，形成第一层光刻材料；涂覆于所述旋涂的碳上的抗反射涂层，形成第二层光刻材料；以及涂覆于所述抗反射涂层上的光刻胶，形成第三层光刻材料，以能在一片晶圆上完成监测三种光阻的工艺性能，更加快速、有效的监控了涂胶工艺的稳定性，且衬底可以重复利用，因此极大地节省了晶圆的使用成本。

公开(公告)号：CN108885410A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019369.9

申请日：2017-03-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 清水哲也 ,  山中司 ,  河田幸寿

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种能够高效率地制造即使在超微细图案(例如，10nm节点以下)的形成中也为高品质的电子材料制造用药液的电子材料制造用药液的制造方法、利用该制造方法的图案形成方法及半导体装置的制造方法、即使在超微细图案的形成中也为高品质的电子材料制造用药液及容器、尤其提供一种在超微细图案的形成中的品质检查方法。电子材料制造用药液的制造方法中，根据通过药液中的SP ICP‑MS测量的、包含铁原子的粒子性金属的浓度、包含铜原子的粒子性金属的浓度及包含锌原子的粒子性金属的浓度，选择药液中的粒子性金属的减量方法，并利用所选择的上述减量方法降低包含铁原子的粒子性金属的浓度、包含铜原子的粒子性金属的浓度及包含锌原子的粒子性金属的浓度中的至少一个。

公开(公告)号：CN108885403A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022967.1

申请日：2017-04-17

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物。式(1)的结构单元为式(2)的结构单元。本发明提供半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过对该抗蚀剂照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻而形成图案的工序，通过该图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻而形成图案的工序，以及，通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。

公开(公告)号：CN108883650A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017687.1

申请日：2017-02-03

Applicant: 爱克发有限公司

Inventor： P.莫里阿墨 ,  I.博古诺维奇 ,  L.维夫洛阿特

IPC: B41N3/08 ,  G03F7/32

CPC classification number: G03F7/32 ,  B41N3/08 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/3057 ,  G03F7/3071 ,  G03F7/3092 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40

Abstract: 加工平版印刷版的方法和设备，包括：用碱性溶液显影，和用第一胶溶液且随后用第二胶溶液施胶，其中两个胶溶液以级联配置提供，由此第二胶溶液溢出到第一胶溶液中。

公开(公告)号：CN108780739A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780016440.8

申请日：2017-03-10

Applicant: 因普里亚公司

Inventor： J·K·斯托尔斯 ,  A·格伦维尔

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/76 ,  G03F7/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: G03F7/0035 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32

Abstract: 高蚀刻对比度材料为使用具有模板硬质掩膜的预图案化模板结构提供了基础，该模板硬质掩膜具有周期性孔和在该孔内的填充物，其为快速获得由该模板和高蚀刻对比度抗蚀剂引导的高分辨率图案提供了基础。本发明描述用于使用该预图案化模板进行辐射光刻(例如EUV辐射光刻)的方法。此外，本发明描述用于形成该模板的方法。本发明描述用于形成该模板的材料。

公开(公告)号：CN108700813A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780010420.X

申请日：2017-02-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 安原祐一 ,  野崎敦靖

IPC: G03F7/039 ,  C08G63/688 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/32

CPC classification number: G03F7/038 ,  B41C1/1008 ,  B41C2210/02 ,  B41C2210/06 ,  B41C2210/26 ,  B41C2210/264 ,  C08G63/685 ,  C08G63/688 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2055 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明提供一种正型感光性树脂组合物、使用了上述正型感光性树脂组合物的正型平版印刷版原版、以及平版印刷版的制作方法，所述正型感光性树脂组合物的特征在于，其含有在主链上具有磺酰胺基的聚酯和红外线吸收剂。