公开(公告)号：CN108463773A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680078761.6

申请日：2016-12-26

申请人： JSR株式会社

发明人： 木下奈津子

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F220/28 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D235/02 ,  C07D235/18 ,  C08F220/16 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/281 ,  C08F2220/283 ,  C08F2800/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38

摘要： 本发明是含有第1聚合物、放射线敏感性产酸物和第1化合物的放射线敏感性树脂组合物，上述第1聚合物具有含有酸解离性基团的第1结构单元，上述第1化合物通过放射线的照射在分子内结构发生变化而能形成盐。上述第1化合物优选为通过放射线的照射而碱性发生变化的化合物。上述第1化合物优选为通过放射线的照射而产生酸的化合物。上述第1化合物优选由下述式(1)表示。下述式(1)中，Ar1为含有至少1个氮原子作为环构成原子的取代或无取代的环元数4～30的杂芳烃二基。

公开(公告)号：CN107850853A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041654.6

申请日：2016-07-13

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： C·M·洛普斯 ,  W·J·鲍曼 ,  T·W·波勒特

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02B27/00

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G02B27/0006 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70783 ,  G03F7/70808 ,  G03F7/70891 ,  G03F7/70958 ,  H01L21/0274

摘要： 公开了光刻设备、用于与浸没式光刻设备一起使用的投影系统、用于投影系统的最终透镜元件、液体控制构件以及器件制造方法。在一个布置中，光刻设备包括：投影系统PS，被配置为将经图案化的辐射束(B)通过投影系统投影到衬底(W)的目标部分上。液体限制结构(12)将浸没液体限制在投影系统和衬底之间的空间(10)中。投影系统包括：出射表面(104)，通过出射表面来投影经图案化的辐射束；以及面向液体限制结构的另一表面(110)。另一表面相对于浸没液体具有第一静态后退接触角。出射表面相对于浸没液体具有第二静态后退接触角。第一静态后退接触角：大于第二静态后退接触角；并且小于65度。

公开(公告)号：CN107771303A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201680036158.1

申请日：2016-04-04

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·H·凯沃特斯 ,  E·J·阿勒马克 ,  S·C·R·德克斯 ,  S·N·L·唐德斯 ,  W·E·恩登迪杰克 ,  F·J·J·简森 ,  R·W·L·拉法雷 ,  L·M·勒瓦希尔 ,  J·V·奥弗坎普 ,  N·坦凯特 ,  J·C·G·范德桑登

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70875 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70783 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/683

摘要： 一种光刻设备，包括被配置成投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统，光刻设备进一步包括用于对衬底进行冷却的冷却设备(40)，其中冷却设备包括位于衬底台的上方且与曝光区域相邻的冷却元件(42，44)，冷却元件被配置成从衬底移除热量。

公开(公告)号：CN105093842B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510201052.X

申请日：2015-04-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 訾安仁 ,  吴振豪 ,  张庆裕

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/322 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30

摘要： 在一个实施例中，提供了制备和使用光敏材料的方法，该方法包括选择光刻胶，该光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种。基于光刻胶选择第一附加材料或第二附加材料。第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分，如果提供正性光刻胶，则选择第一附加材料。第二附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和酸组分，如果提供负性光刻胶，则选择第二附加材料。将所选择的光刻胶和所选择的附加材料施加至目标衬底。

公开(公告)号：CN106662822A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580035549.7

申请日：2015-06-04

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： G·彼得斯 ,  T·W·波莱 ,  J·J·M·巴塞曼斯 ,  W·J·博曼 ,  T·M·默德曼 ,  C·M·诺普斯 ,  B·斯米特斯 ,  K·斯蒂芬斯 ,  R·范德哈姆

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/2041

摘要： 一种浸没光刻设备包括：投影系统，用于通过投影系统的最终透镜元件的光学上有效的部分将图案化的辐射束朝向由衬底台支撑的衬底投影，最终透镜元件具有露出的底部表面；液体限制结构，被配置用于将浸没液体供给至浸没空间并限制在浸没空间中，所述浸没空间在投影系统的最终透镜元件与由衬底和衬底台中的至少一个形成的表面之间；和处于投影系统与液体限制结构之间的通路形成件，以及在通路形成件与最终透镜元件的光学上有效的部分之间的通路，所述通路通过开口与浸没空间液体连通，并且相对于投影系统的光轴沿径向向外延伸至少至最终透镜元件的露出的底部表面的边缘，所述通路被构造和配置成使得在使用时通过毛细作用、由来自浸没空间的液体填充所述通路。

公开(公告)号：CN103472674B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310320010.9

申请日：2010-09-17

申请人： JSR株式会社

发明人： 浅野裕介 ,  佐藤光央 ,  中岛浩光 ,  笠原一树 ,  大泉芳史 ,  堀雅史 ,  川上峰规 ,  松田恭彦 ,  中原一雄

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  C08F20/22

CPC分类号： G03F7/0392 ,  C08F20/22 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

摘要： 一种放射线敏感性树脂组合物，其特征在于，含有具有酸解离性基团的聚合物(A)、由放射线照射而产生酸的产酸剂(B)、以及具有下述通式(x)表示的官能团和氟原子的聚合物(C)，上述聚合物(C)是氟原子含量比上述聚合物(A)高的聚合物。[通式(x)中，R1表示碱解离性基团，A表示氧原子(其中，不包括直接与芳香环、羰基和磺酰基连结的氧原子)、亚氨基、‑CO‑O‑*或者‑SO2‑O‑*(“*”表示与R1结合的结合位点)]。

公开(公告)号：CN102956443B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210286815.1

申请日：2012-08-09

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 萩原琢也

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76802

摘要： 本发明可提高半导体器件的制造成品率。在半导体晶片(SW)上形成被加工膜(1)，在被加工膜(1)上形成抗反射膜(2)，在抗反射膜(2)上形成抗蚀层(3)后，对抗蚀层(3)进行浸液曝光、显影及冲洗处理，从而形成抗蚀图(3a)。随后，将抗蚀图(3a)作为蚀刻掩模，依序对抗反射膜(2)及被加工膜(1)进行蚀刻。在抗蚀层(3)的显影工序中，抗反射膜(2)从因显影处理而被除去了抗蚀层(3)的部分露出。在进行显影后的冲洗处理时，从抗蚀层(3)露出的抗反射膜(2)表面的憎水性与抗蚀层(3)表面(3b)的憎水性相同或更高。

公开(公告)号：CN106158598A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610312858.0

申请日：2016-05-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 萩原琢也

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/094 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2028 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  G03F7/327 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66568 ,  G03F7/70341

摘要： 本发明涉及一种半导体器件的制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在制造方法中，在圆形半导体衬底上方形成待处理膜，并且在其上方形成其表面具有抗水性质的抗蚀剂膜。随后，通过对半导体衬底的外周区域选择性执行第一晶片边缘曝光，降低圆形半导体衬底的外周区域中的抗蚀剂层的抗水性质，然后对抗蚀剂层执行液体浸没曝光。随后，对圆形半导体衬底的外周区域执行第二晶片边缘曝光，然后，将对已经被执行第一晶片边缘曝光、液体浸没曝光和第二晶片边缘曝光的抗蚀剂层显影，使得通过使用显影的抗蚀剂层来蚀刻待处理膜。

公开(公告)号：CN105637417A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056864.3

申请日：2014-11-21

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 王惠瑜 ,  加藤启太 ,  白川三千纮 ,  后藤研由 ,  上村聡

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325

摘要： 感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有：树脂(A)、通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物(B)、以及具有至少一个氧原子的化合物(C)。其中，所述化合物(C)中不包含所述树脂(A)及所述化合物(B)。

公开(公告)号：CN105585925A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510756233.9

申请日：2015-11-09

申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司

发明人： 刘骢 ,  D·H·康 ,  D·王 ,  C-B·徐 ,  M·李

IPC分类号： C09D133/16 ,  C09D7/12 ,  G03F7/20

CPC分类号： C09D133/16 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： 本发明提供一种面涂层组合物，所述面涂层组合物包含：基质聚合物；表面活性聚合物，其包含以下通式(I)基团的第一单元：其中R1表示H、F、C1到C8烷基或C1到C8氟烷基，任选地包含一个或多个杂原子；X1表示氧、硫或NR2，其中R2选自氢和任选地经取代的C1到C10烷基；以及溶剂。所述表面活性聚合物以小于所述基质聚合物的量存在于所述组合物中，并且所述表面活性聚合物所具有的表面能小于所述基质聚合物的表面能。本发明特别适用于光刻工艺中作为光致抗蚀剂面涂层来制造半导体装置。