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公开(公告)号：CN221102046U
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202323099129.6
申请日：2023-11-15
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/677
摘要： 本实用新型公开一种半导体晶圆拿取装置，包括底座、吸取组件和转动组件，吸取组件包括吸取件和变形结构，变形结构设置在底座上，吸取件设置在变形结构上，吸取件具有吸取面，变形结构具有充气腔、且变形结构具有弹性，充气腔与外界气源连接；转动组件的一端与底座转动连接、且另一端与变形结构连接；其中，在吸取面与晶圆抵接、且充气腔内充入气体时，变形结构适于承载晶圆，在吸取面与发生翘曲的晶圆抵接时，变形结构发生弹性变形、且挤压充气腔内的气体，以使吸取面发生倾斜，并使吸取面与晶圆上的翘曲区域抵接，以吸取发生翘曲的晶圆。上述结构的半导体晶圆拿取装置，能够拿持发生翘曲变形的晶圆，避免产生破片，有利于提高晶圆的生产效率。
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公开(公告)号：CN215955235U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202121380225.6
申请日：2021-06-21
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
发明人： 姚大平
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及半导体制造与封装技术领域，提出一种低气压固化处理介电材料涂层的半导体装置，包括晶圆放置架；晶圆台盘；以及低压固化晶圆的腔室。本实用新型采用低气压固化处理晶圆装置的固化处理腔室周围的加热层提供热量给腔室内晶圆，同时加热流向腔室的高纯气体，均匀送入腔室也对放置在腔室里的晶圆进行均匀加热。通过降低腔室气压，控制介电材料的固化过程，从而减小晶圆表面涂层的在固化时形成的应力，从而使得介电材料涂层获得更好性能，同时有效地抑制晶圆的翘曲变形。
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公开(公告)号：CN221262311U
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202322961644.4
申请日：2023-11-02
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及晶圆贴片技术领域，具体涉及一种晶圆贴片治具。该晶圆贴片治具，包括：治具本体，治具本体内具有圆形通孔，治具本体具有环形凹槽，子母扩晶环固定设置在环形凹槽内，环形凹槽的外侧设置有环形凸部，治具本体设置在贴片铁环内，治具本体通过胶膜与贴片铁环固定连接，胶膜的一端与环形凸部粘贴，胶膜的一端与贴片铁环粘贴；压环，与环形凸部固定连接，胶膜设置在环形凸部和压环之间。将子母扩晶环固定设置在环形凹槽内，胶膜的两端分别与环形凸部和贴片铁环粘贴，压环固定设在环形凸部上，对胶膜进行固定，从而可将治具本体连同贴片铁环一起放置在贴片机的工作台上，使贴片机可对子母扩晶环上的晶圆进行贴片作业。
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公开(公告)号：CN219880738U
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202321249132.9
申请日：2023-05-22
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种清洗机构及清洗装置，清洗机构包括基座、清洗结构和驱动组件，清洗结构设置在基座上，清洗结构包括至少两个相对设置的清洗件，所有清洗件共同围合成清洗空腔，清洗空腔适于夹持物料；驱动组件包括第一驱动件和传动结构，第一驱动件和传动结构均设置在基座上，传动结构的一端与第一驱动件的驱动端连接、且另一端与清洗件连接，以在第一驱动件的带动下带动清洗件转动。上述结构的清洗装置，避免了清洗液在喷洒时，因为物料的边缘翘曲而上下起伏，导致清洗宽度不一致以及清洗不干净的问题，进而有利于提高后续金属电镀沉积厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN218730891U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222984801.9
申请日：2022-11-09
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
发明人： 姚大平
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065
摘要： 本实用新型提供一种半导体三维封装结构，包括：重布线结构；位于所述重布线结构一侧的第一芯片；位于所述重布线结构一侧且覆盖所述第一芯片的第一塑封层；贯穿所述第一塑封层且位于所述第一芯片侧部的导电桥结构，所述导电桥结构包括若干间隔的导电件，各所述导电件贯穿所述第一塑封层；位于所述第一塑封层和所述导电件背离所述重布线结构一侧的第二芯片，所述第二芯片的正面朝向所述第一塑封层且与所述导电件电连接。所述半导体三维封装结构的信号传输密度大。
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公开(公告)号：CN216528786U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202123356338.5
申请日：2021-12-29
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
发明人： 姚大平
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型公开了一种快速双温处理晶圆的半导体装置，涉及半导体制造技术领域，包括双温热处理装置、预洁净室、晶舟和承载平台，双温热处理装置设置在预洁净室顶部，双温热处理装置与预洁净室内部连通，双温热处理装置包括上部腔室和下部腔室，上部腔室设置在下部腔室的上方，上部腔室与下部腔室均设置有加热层，预洁净室的底部设置有出气口，承载平台穿过出气口设置在预洁净室中，承载平台的底端设置有驱动机构，晶舟放置在承载平台上，本实用新型结构简单，能够快速完成晶圆的双温处理过程，防止晶圆变形翘曲。
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公开(公告)号：CN213150773U
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202022592013.6
申请日：2020-11-10
申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/498 , H01L23/31
摘要： 本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：芯片、互联结构层和无源器件。互连结构层包括绝缘介质层、位于绝缘介质层中的第一导电层和第二导电层，第一导电层朝向芯片的正面，第二导电层背向芯片，第一导电层与芯片的正面电性连接；无源器件位于互联结构层中且被绝缘介质层包裹，无源器件位于第二导电层和芯片之间且与第二导电层电性连接。将无源器件设置于芯片正面的互联结构层中，利用互联结构层中导电层之间的间隙设置无源器件，可节省器件排布的设计空间，提高封装结构中的封装密度，可降低工艺过程中发生翘曲的可能性，避免封装结构在工艺过程中发生翘曲。
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