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公开(公告)号：CN105356572A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510808784.5
申请日：2015-11-13
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H02J7/34
摘要： 本发明属于脉冲功率技术领域和高电压技术领域，涉及一种中储能供电重频电容充电电源，中储能电源U1和电感Ld、二极管Dd串联后与电容C1并联，形成输出模块；输出模块与S1、Cs、Ls、D1、C2、D3、S3串联，构成第一谐振回路，输出模块与S2、D2、C2、D4、Cs、Ls、S4串联，构成第二谐振回路；开关S1、S3和开关S2、S4交替导通，形成一个开关周期，所述开关周期包括两个谐振周期，把中储能的直流逆变成高频交流，经过D1、D2、D3、D4整流，给负载电容器C2充电。本发明中储能供电重频电容充电电源，用中储能电源替代电网/发电机模块和整流电路模块，可移动给负载电容器充电；将转换电路中的串联谐振电路变压器去掉，整个电源体积和重量极大减小。
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公开(公告)号：CN104465852A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410685686.2
申请日：2014-11-25
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0312 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0312 , H01L31/0352
摘要： 本发明涉及一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，解决了现有技术中开关寿命短、损耗大、最高工作电压受限等问题，其技术方案是构建一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，包括半绝缘基区i层、重掺杂n+层、重掺杂p+层、阳极金属层、阴极金属层、钝化保护层、通光孔和电极引线；半绝缘基区i层分别位于重掺杂n+层、重掺杂p+层之间，重掺杂n+层的上表面为阳极金属层；重掺杂p+层的下表面为阴极金属层，金属层上开有通光孔，使激光脉冲通过通光孔触发开关工作，阴极金属层直接与外电路连接，阳极金属层通过电极引线与外电路连接。该发明提高了开关的工作电压，减少了开关的损耗，并且提高了开关的寿命，从而提高了开关的整体性能。
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公开(公告)号：CN102780473A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210269127.4
申请日：2012-07-31
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H03K3/64
摘要： 本发明涉及一种基于Tesla变压器的重复频率脉冲串发生器，其特征在于：多段高压脉冲形成线串联而成，每个触发型主开关的触发部分置于高压脉冲形成线的内部，采用Tesla变压器对高压脉冲形成线充电，多段高压脉冲形成线通过各自内置的Tesla变压器独立充电，每一段高压脉冲形成线都有一台内置的Tesla变压器。本发明优点是：脉冲串发生器采用Tesla变压器充电，可实现脉冲串发生器的百赫兹重复频率运行；Tesla变压器与高电压脉冲形成线一体化，结构紧凑，使得脉冲串发生器的输出功率指标有较大的提升；为高电压脉冲形成线内置的触发模块供电的二级耦合Tesla变压器，可与为高电压脉冲形成线充电的Tesla变压器构成双次级变压器，结构紧凑。
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公开(公告)号：CN205304753U
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201520953601.4
申请日：2015-11-25
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H03K4/02
摘要： 本实用新型涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本实用新型基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。
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公开(公告)号：CN206825312U
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201720283248.2
申请日：2017-03-22
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： B25B27/00
摘要： 本实用新型涉及一种应用于圆柱状设备的滚转装置，该装置包括连接衍架以及两个滚转机构；两个滚转机构安装在连接衍架两端并且两个滚转机构对称设置；滚转机构包括底座、第一立板、第二立板、滚动组件以及限位组件；第一立板、第二立板均竖直固定安装在底座上，并且保持相互平行；第一立板在高度方向上低于第二立板；滚动组件为两组并且均安装在第一立板和第二立板之间用于提供圆柱状设备旋转时的导向力；限位组件安装在第二立板高出第一立板的部分用于限制圆柱状设备转动。本实用新型的设备能够实现两端具备法兰结构以及中部设置有多个肋条的圆柱状设备滚转，同时还能防止其轴向滑落和滚转到位后进行止动限位。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208571006U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201821256362.7
申请日：2018-08-06
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01R13/02
摘要： 本实用新型属于高功率微波技术领域，具体涉及一种返波管管头电接触结构。为解决现有返波管管头电接触结构存在的电接触不均匀或安装返波管时造成磁体套筒内壁划伤问题，本实用新型提供了一种返波管管头电接触结构，包括磁体套筒和管头，所述管头的外圆柱面上设有沿圆周间隔分布的N个盲孔，N为大于等于3的自然数；所述盲孔中安装有良导体材料的球头柱塞；球头柱塞的柱塞主体与盲孔之间为过盈配合或通过导电胶粘接，球头柱塞的球头突出所述盲孔外沿。通过管头的圆周方向均布的球头柱塞，实现管头与磁体套筒之间沿圆周方向均匀、可靠的电接触。同时，通过球头柱塞球头与磁体套筒的滚动摩擦，避免了安装返波管时对磁体套筒内壁的划伤。
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公开(公告)号：CN207280399U
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201720992659.9
申请日：2017-08-09
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01B11/27
摘要： 本实用新型提出了一种孔内回转体同轴度测量装置，以解决现有方法无法定量测量狭小孔内回转体同轴度的问题。包括定位支撑组件、色散共焦位移传感器、反射镜、旋转定位工装及控制器；定位支撑组件包括定位件、支撑件和反射镜支架；定位支撑组件和色散共焦位移传感器整体位于基准孔内时，定位件的四个圆角和支撑件的弹性支撑点均与基准孔内壁紧密接触；反射镜通过反射镜支架固定，其位置姿态满足色散共焦位移传感器发出的光束经反射镜反射后垂直入射至回转体被测表面；旋转定位工装包括拨杆，拨杆可带动定位支撑组件旋转且不会对定位支撑组件产生径向力；控制器用于获取光程长度，进而计算被测回转体轴线相对于基准孔轴线的同轴度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206361286U
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201621366866.5
申请日：2016-12-13
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： F16L23/024 , F16H55/22 , H01P1/04
摘要： 本实用新型提供了一种基于交错轴斜齿轮螺母旋紧机构的圆法兰连接装置，用于连接第一圆法兰和第二圆法兰；所述连接装置包括压环螺母、蜗杆、蜗杆固定架以及设置在第一圆法兰外侧面上的外螺纹；所述压环螺母的内侧面设置有内螺纹、外侧面设置有斜齿、一个端部设置有压环；所述压环螺母套装在第一圆法兰和第二圆法兰外，压环螺母的内螺纹与第一圆法兰的外螺纹配合构成螺旋副；所述蜗杆固定架与第二圆法兰固连；所述蜗杆通过蜗杆固定架安装在压环螺母外侧，蜗杆与压环螺母的斜齿轮配合构成交错轴斜齿轮传动副；所述压环用于压紧第二圆法兰的法兰面。利用本实用新型在对大型天线内部波导进行紧固时，无须将全系统翻转水平便可实现连接和锁紧，操作容易，无风险，效率高。
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