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公开(公告)号：CN113234940B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110392557.4
申请日：2021-04-13
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C22B34/34
摘要： 钼精矿短流程制备钼金属产物的方法，具体包括：钼精矿原料与三氧化钼原料按比例混合，在第一温度下反应，生成高浓度二氧化硫和二氧化钼产物；生成的二氧化钼产物与含氧气体在第二温度下反应，生成三氧化钼产物；或者，生成的二氧化钼产物用氢气处理；其中，第一温度设定为550～850℃，第二温度设定为500～800℃。钼精矿短流程制备钼金属产物的方法，能够得到二氧化钼、三氧化钼、金属钼等多种钼金属产物，工艺流程短，能耗低，原料利用率高，整体生产成本低，不产生环境污染，环境友好，具有良好的应用前景、可观的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN114682785A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210355643.2
申请日：2022-04-06
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明实施例公开的碳非接触还原三氧化钼制备钼粉的方法，包括：在反应容器中铺设用1000目筛网过筛后的活性炭粉至第一厚度，形成活性炭粉料层；在活性炭粉料层上方第一高度的位置设置筛网，并在筛网上铺设三氧化钼粉至第二厚度，形成三氧化钼粉料层；将活性炭粉料层与三氧化钼粉料层设置在惰性气体或真空保护下进行两段式还原，得到金属钼粉；其中，两段式还原包括在600～680℃下的一段还原和在1000～1200℃下的二段还原。在两段还原过程中，活性炭粉中的碳原子向上扩散与上方的三氧化钼反应，将其还原为二氧化钼、进一步还原为金属钼粉，有效防止碳化钼的生成，制得的钼粉粒径小于3μm，制备工艺安全，成本低，有良好实用价值。
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公开(公告)号：CN114280233A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111509915.1
申请日：2021-12-10
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明属于铝电解技术领域，特别涉及一种铝电解槽炉帮熔析过程模拟装置及其使用方法。该模拟装置包括模拟装置本体、气冷系统和温控系统；模拟装置本体呈倒T型结构，模拟装置本体包括底座和垂直于底座的长方体冷壁，冷壁内开设有长方体状冷却空腔，冷却空腔顶部设置有密封棒；气冷系统与冷却空腔连接并为冷却空腔进行冷却；温控系统设置在冷壁和模拟装置本体外周的熔融电解质中以测量冷壁和熔融电解质的温度。本发明依据实际铝电解槽的侧壁平面式散热结构，构造了平面冷壁炉帮生长模型模拟装置，该装置能够真实地模拟电解槽运行过程的散热状态，模拟装置上电解质的析出凝固过程与实际炉帮生长过程相似，具有较好的实验模拟效果。
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公开(公告)号：CN113600821A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110911612.6
申请日：2021-08-10
申请人： 郑州大学
IPC分类号： B22F9/08
摘要： 本发明提供了一种金属及其合金定尺球化成型方法，涉及合金生产技术领域，解决了现有技术金属合金成型性问题。该金属及其合金定尺球化成型方法应用于包括中频炉、分料器、螺旋滚动成型器、静置仓的结构中，其特征在于，包括以下步骤：(1)、中频炉向分料器提供熔融金属流；(2)、分料器将熔融金属流切断成熔融切块，并进入螺旋滚动成型器；(3)、熔融切块沿螺旋滚动成型器的管道或者槽体内壁滚动，实现球化成型；(4)、经滚动成型的熔融切块进入静置仓，冷却降温。本发明用于实现金属合金的球化成型。
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公开(公告)号：CN113479928A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110804915.8
申请日：2021-07-16
申请人： 郑州大学
摘要： InGaZnO4单相纳米粉体的制备方法，包括：摩尔比为1：1：1的金属铟颗粒、金属镓颗粒和金属锌颗粒放入容器中，将质量浓度为50～60％的硝酸溶液分次加入容器中，得到离子浓度为0.1～0.6mol/L的金属离子溶液；向金属离子溶液中滴加沉淀剂，溶液pH小于4时，搅拌速度控制在400～450rpm之间；溶液pH在4～4.5之间时，停止滴加沉淀剂，保持反应0.5～1小时；溶液pH在5.5～6之间时，停止滴加沉淀剂，保持反应0.5～1h；pH大于6时，搅拌速度控制在450～500rpm之间；pH大于7.5～8.8时，停止滴加沉淀剂，持续搅拌1～2h，然后在室温下老化18～24h；洗涤干燥得到粉体前驱体；将粉体前驱体两次煅烧，即得InGaZnO4单相纳米粉体。
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公开(公告)号：CN113458405A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110644480.5
申请日：2021-06-09
申请人： 郑州大学
摘要： 大粒径金属钼粉的制备方法，包括：粒度在5～100μm之间的大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒于350～400℃下焙烧，得到三氧化钼；三氧化钼经过两段氢还原得到金属钼粉，其粒度大于5μm。大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的制备方法包括：用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液，将其pH调节为1～2，温度调节为70～90℃，得到第一钼酸铵溶液；第一钼酸铵溶液恒温搅拌3～5min，结晶，过滤，得到β型四钼酸铵晶种；用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液，将钼酸铵溶液的pH值调节为5～7，温度调节为70～90℃，得到第二钼酸铵溶液；β型四钼酸铵晶种在第二钼酸铵溶液中，室温静置，得到大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒。
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公开(公告)号：CN109279873B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201811390845.0
申请日：2018-11-21
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C23C14/08 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626
摘要： 本发明公开的氧化铟锡靶材的超低温制备方法，将氧化铟粉体、氧化锡粉体球磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，得到粉料；粉料在模具中成形得到氧化铟锡靶材素坯，在模具中同时加压、升温；空气气氛中，在升高的温度、升高的压力下保持设定时间，降温至室温，得到了烧结密度高、晶粒度均匀的氧化铟锡靶材，制备温度低至450℃，晶粒尺寸在1.0μm以下，相对密度可达99.2％，制备时间短，不采用高浓度氧气气氛，制备过程安全，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN112723875A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110146360.2
申请日：2021-02-03
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/63
摘要： 本发明提供了一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法，其原料按照质量百分比，由氧化锡及氧化镓高纯纳米粉末组成，其组分比例为氧化镓2~10%，氧化锡90~98%。粉末称量混合后加入聚丙烯酸铵，聚乙烯醇及纯水，混合浆料经球磨后造粒干燥，得到混合粉末依次使用油压机、等静压机压制成型，之后使用脱脂‑多步烧结一体化烧结技术在不同烧结温度下制备了氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材。本发明掺杂的氧化镓有效提高了氧化锡陶瓷的烧结性能，显著提升了氧化锡陶瓷靶材的致密度，同时通过制备工艺的有效控制，获得了组织均匀且晶粒细小的氧化镓掺杂氧化锡靶材。
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公开(公告)号：CN108642529B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810505606.9
申请日：2018-05-24
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C25C3/28
摘要： 本发明公开了基于调配阳离子的亚稳态高温熔盐电解精炼高纯钛的方法，钛离子源为低价钛离子时，所述亚稳态高温熔盐设置为阳离子平均半径较小的电解质；钛离子源为高价钛离子时，所述亚稳态高温熔盐设置为阳离子平均半径较大的电解质；电解质的选择能够减少熔盐电解过程中钛离子歧化反应的影响，使钛离子在熔盐中稳定存在，进而提升电解效率，在亚稳态熔盐中电解精炼得到高纯钛，其纯度可以实现4N5～5N的要求，电解效率大于90％。
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公开(公告)号：CN109468604B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910026546.7
申请日：2019-01-11
申请人： 郑州大学
摘要： 本发明公开了一种高透射率IGZO薄膜的制备方法，该方法包括：基片处理步骤、预溅射步骤和镀膜步骤。本方法有效地提高了IGZO薄膜的透射率，无需对衬底进行加热或对IGZO透明导电薄膜进行后期热处理，避免了高温热处理过程对沉积IGZO透明导电薄膜的不耐高温的衬底的不利影响，制得的薄膜颗粒尺寸适宜、薄膜连续且均匀，薄膜表面平整、光滑，无孔洞等表面缺陷。降低了生产成本，简化了生产工艺，扩大了IGZO透明导电薄膜的推广领域和范围，具有巨大的工业价值。
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