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公开(公告)号：CN117879532A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311829226.8
申请日：2023-12-27
申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种压电异质衬底及其形成方法以及射频声学器件，所述压电异质衬底从上到下包括压电薄膜层、金属层、功能层以及目标衬底；功能层为氧化硅层或由声阻材料堆叠形成的布拉格反射层结构；其中，压电薄膜层与金属层之间设置有界面层，所述界面层的材料和所述压电薄膜层的材料相同；且所述界面层中离子浓度不同于所述压电薄膜层中离子浓度；通过在压电材料与金属材料的界面添加与压电薄膜材料中相同离子种类的界面层，既不会引入多余的杂质，也可以在界面处形成活性元素的阻挡层，从而提高了压电异质衬底的质量。
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公开(公告)号：CN117879529A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410099585.0
申请日：2024-01-24
申请人： 杭州树芯电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种盖板异质集成无源器件的薄膜体声波器件，包括薄膜体声波器件和封装盖板，该薄膜体声波器件包括衬底、压电震荡堆、第一空腔和放置窗口，其中，该压电震荡堆位于衬底上，该第一空腔位于压电震荡堆和衬底间，该放置窗口是通过在压电震荡堆的压电层和位于所述压电层底部的衬底开设窗口得到；该封装盖板覆盖在薄膜体声波器件上，所述封装盖板包括盖板衬底和集成在盖板衬底底部的无源器件，所述无源器件位于放置窗口顶部。该薄膜体声波器件尽量避免对无源器件的损伤，良品率较高，且实现了小型化。本发明还公开了一种盖板异质集成无源器件的薄膜体声波器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN117375573B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311666400.1
申请日：2023-12-07
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种无反射声波滤波器单元、无反射声波滤波器及制作方法。无反射声波滤波器单元包括声波谐振器及电阻，所述声波谐振器与电阻并联构成串联支路，所述声波谐振器与电阻串联构成并联支路，将无反射支路设置在滤波器的端口处，即可实现该端口的无反射效果。由本发明提出的无反射支路，在吸收带外反射信号的同时提高了带外的抑制。该结构实现的无反射滤波器在实物尺寸，电学性能以及工艺实现上均优于传统结构的无反射滤波器。
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公开(公告)号：CN117833859A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410008162.3
申请日：2024-01-03
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，谐振器包括衬底以及依次层叠于衬底的底电极、压电层和顶电极，顶电极具有位于谐振器工作区域边缘的声反射部，声反射部朝向背离压电层的至少一侧拱起，以与压电层之间形成多个反射空腔，利用反射空腔的内空气和声反射部之间的声阻抗不匹配，从而对横向声波进行反射，以此，降低纵向能量的损耗，提高谐振器的Q值，并且由于声反射部朝向背离压电层的一侧拱起，所以，能够使得顶电极通过拱起的方式得到有效的延长，从而通过顶电极提高了器件的热稳定性，降低谐振器的温漂系数。
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公开(公告)号：CN113922784B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111218430.7
申请日：2021-10-19
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指电极上开设有刻蚀通孔，刻蚀通孔贯穿第一叉指电极和压电膜，刻蚀通孔与空气腔连通。基于本申请实施例通过在第一叉指电极上开设刻蚀通孔，利用各向同性的刻蚀和释放工艺，可以控制多余的悬空区域的大小，在不影响器件性能的前提下，可以提高器件的功率容量，并且通过减小悬空区域可以提升器件机械稳定性，此外还可以抑制部分杂散波模式。
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公开(公告)号：CN112054779B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910657445.X
申请日：2019-07-19
申请人： 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
摘要： 本发明提供一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。本发明提供的薄膜体声波谐振器在压电叠层中设置第一分割结构和第二分割结构，第一分割结构和第二分割结构互补围成环状，以界定所述有效工作区和所述寄生工作区，在所述寄生工作区，所述第一电极和所述第二电极在厚度方向上具有相对区域，然后，在第一分割结构和第二分割结构的交界处设置第一分离结构和第二分离结构，第一分离结构分离第一电极使在至少部分相对区域，部分寄生工作区的第一电极与有效工作区的第一电极绝缘，有效减少了寄生谐振，改善了声波损耗，使薄膜体声波谐振器的品质因子得到提高，进而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN111566932B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201880084215.2
申请日：2018-12-21
申请人： 法国原子能源和替代能源委员会
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/17 , H03H9/02 , H10N30/072 , H10N30/853
摘要： 本发明涉及一种用于可调节的体声波谐振器的制造方法，可调节的体声波谐振器包括换能器叠层(E1)和调谐叠层(E2)。根据本发明，换能器叠层(E1)包括两个限定的电极(4、6)和压电材料(2)，并且叠层(E2)包括压电材料层(8)和两个限定的电极(10、12)。该方法包括：a)制造换能器叠层；b)在换能器叠层的电极(6)上形成电绝缘层；c)在电绝缘层上形成调谐叠层的限定的电极(10)，使得其与换能器叠层的电极对准；d)在电极(10)上组装压电材料衬底；e)使压电材料衬底断裂；f)形成调谐叠层的与限定的电极(10)对准的另一限定的电极(12)。
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公开(公告)号：CN116707477B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310969496.2
申请日：2023-08-02
申请人： 深圳新声半导体有限公司
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本申请提供一种用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法，包括：在压电层的第一表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极；在第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极，形成对应的第一谐振器的第一钝化层和第二谐振器的第一钝化层；在压电层的第二表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第二电极，第二表面与第一表面相对；对形成的FBAR滤波装置进行射频性能测试；基于射频性能测试的结果，调整第一谐振器的第二电极的厚度；以及在第一谐振器的第二电极和第二谐振器的第二电极，形成对应的第一谐振器的第二钝化层和第二谐振器的第二钝化层。RF性能测试的结果调整电极或钝化层的厚度，提高整个晶圆片的一致性。
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公开(公告)号：CN111404507B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010238766.9
申请日：2020-03-30
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及晶体谐振器，特别是一种采用条形补偿膜应力补偿的晶体谐振器,其特征是：至少包括：晶体，所述的晶体为圆片形；与圆片形晶体同心且小于圆片形晶体的直径有一中心电极，中心电极镀膜在晶体的上下表面上；沿晶体的直径方向在中心电极的两侧有延伸层；两侧的延伸层各延伸至一个扇形面，扇形面的中心线与延伸层中心线重合；在中心电极上有补偿膜，补偿膜为长方形，补偿膜的长度方向与延伸层中心线垂直；长方形补偿膜长度方向与晶体片x轴方向一致。它提供了一种结构简单、体积更小、功耗更低、稳定度更高、成本较低的采用条形补偿膜应力补偿晶体谐振器。
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公开(公告)号：CN117792319A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311270753.X
申请日：2023-09-27
申请人： 精工爱普生株式会社
摘要： 振动元件的制造方法。能够容易地形成深度不同的第1槽和第2槽。振动元件的制造方法包含：准备工序，准备具有处于正反关系的第1面和第2面的石英基板；第1保护膜形成工序，在设石英基板的形成振动元件的区域为元件形成区域、形成第1槽的区域为第1槽形成区域、形成第2槽的区域为第2槽形成区域时，在第1面的元件形成区域上形成第1保护膜，所述第1保护膜具有与第1槽形成区域重叠的第1开口和与第2槽形成区域重叠的第2开口；以及第1干蚀刻工序，隔着第1保护膜从第1面侧对石英基板进行干蚀刻，在设第1开口的宽度为Wa、第2开口的宽度为Wb时，Wa＜Wb。
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