蓝宝石长晶炉冷却水分配器

    公开(公告)号:CN103898599A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201210589378.0

    申请日:2012-12-31

    IPC分类号: C30B17/00 C30B29/20

    摘要: 本发明涉及一种蓝宝石长晶炉冷却水分配器,其特征在于它包括水分配器筒体,所述水分配器筒体包括第一管道(1)和第二管道(2),所述第一管道(1)和第二管道(2)通过转向接头(3)连接,所述第二管道(2)上设置有进水总阀门(4),所述第一管道(1)的侧面沿长度方向设置有多个活接(6),所述多个活接(6)均连接有冷却水控制阀门(7),所述冷却水控制阀门(7)连接有冷却水输出接头(8),所述冷却水输出接头(8)上设置有流量计。本发明蓝宝石长晶炉冷却水分配器具有通往蓝宝石长晶炉内部的各冷却水支管内的水温容易控制,保证长晶的质量和效率,且各冷却水支管排布较为有序,检修方便的优点。

    一种大尺寸蓝宝石单晶炉保温结构

    公开(公告)号:CN103774226A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201410037225.4

    申请日:2014-01-26

    IPC分类号: C30B29/20 C30B17/00

    摘要: 本发明提供了一种大尺寸蓝宝石单晶炉保温结构。它是由金属钼片、氧化锆和氧化铝纤维砖制作而成,分为上、侧和下隔热屏结构,本发明利用氧化锆和氧化铝纤维砖优异的保温性及抗变形能力,更加有效地利用热能,减少热量损失,增强设备的稳定性,解决传统泡生法单晶炉中热能利用率低,使用的钼隔热屏结构在高温环境下挥发、变形,使用寿命短等问题。

    化合物磷钼酸铷和磷钼酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN103628135A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201210302050.6

    申请日:2012-08-23

    发明人: 潘世烈 王颖

    摘要: 本发明涉及一种化合物磷钼酸铷和磷钼酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为Rb4Mo5P2O22,采用固相法制备,磷钼酸铷非线性光学晶体的化学式为Rb4Mo5P2O22,属正交晶系,空间群为C2221,晶胞参数为:Z=4,其粉末倍频效应为1倍KDP(KH2PO4),紫外透光波段截止边为300nm,该晶体生长过程具有操作简单,成本低,所用的试剂为无机原料,毒性低,生长周期短,物化性质稳定等优点,适合于制作非线性光学器件,在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

    一种蓝宝石晶体生长炉籽晶结种装置

    公开(公告)号:CN103572366A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201210279547.0

    申请日:2012-08-08

    IPC分类号: C30B17/00 C30B29/20

    摘要: 本发明公开了一种蓝宝石晶体生长炉籽晶结种装置,包括提拉支架和提拉杆,提拉支架安装于蓝宝石晶体生长炉炉体外,提拉杆为中空状结构且安装于提拉支架上呈提拉杆下端在炉体内活动旋转升降状态。提拉支架匀速向上带动提拉杆运动,通过合理的控制提拉杆升降并由电机带动提拉杆旋转,由中空提拉杆顶部籽晶下种、放肩、等径生长,微量提拉获得高质量的晶体。

    铌酸盐TmyHozBi1-y-zNbO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

    公开(公告)号:CN103451733A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310432180.6

    申请日:2013-09-17

    申请人: 王金华

    发明人: 王金华

    摘要: 铌酸盐T1myHozBi1-y-zNbO4发光材料,其特征在于:分子式表示为TmyHozBi1-y-zNbO4,y、z的取值范围为:0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。其熔体法晶体生长方法是按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长;TmyHozBi1-y-zNbO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。

    化合物磷酸钠锂和磷酸钠锂非线性光学晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN103361726A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201210081834.0

    申请日:2012-03-26

    IPC分类号: C30B29/14 C30B17/00 C30B11/00

    摘要: 本发明涉及化合物磷酸钠锂和磷酸钠锂非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物为同成份熔融化合物,化学式为LiNa3P2O7,分子量为249.85;磷酸钠锂非线性光学晶体的化学式为LiNa3P2O7,分子量为249.85,空间群为C2221,晶胞参数为a=5.4966(2),b=9.1365(4),c=12.2764(5),Z=4。该化合物的粉末倍频效应相当于0.2倍KDP,透光波段300nm至2600nm,采用固相反应法合成化合物及熔体法生长晶体。本发明所述的方法操作简单,成本低;所制备的晶体在空气中不潮解,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,易加工,适合于制作非线性光学器件。

    在蓝宝石单晶炉中应用的氧化锆保温结构

    公开(公告)号:CN103205803A

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201310144716.4

    申请日:2013-04-24

    IPC分类号: C30B17/00 C30B29/20

    摘要: 本发明提供了一种在蓝宝石单晶炉中应用的氧化锆保温结构,该氧化锆保温结构包括多层不同直径的氧化锆保温桶,每层氧化锆保温桶在高度方向上由多层圆环组接而成,每层圆环由多瓣氧化锆纤维砖环瓣拼接而成,氧化锆纤维砖环瓣由氧化锆纤维烧结制得的氧化锆纤维砖制成。本发明解决了传统泡生法单晶炉中使用的多层钼桶结构在使用过程中温场控制困难,高温环境下钼桶容易变形等问题,更加易于调节温场并建立合理温度梯度。

    化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN103193243A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310151074.0

    申请日:2013-04-26

    发明人: 潘世烈 董凌云

    IPC分类号: C01B35/12 C30B17/00 C30B29/22

    摘要: 本发明涉及一种化合物二硼酸二铅和二硼酸二铅非线性光学晶体及制备方法和用途,该化合物的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00;该化合物非线性光学晶体的化学式为Pb2B2O5,分子量为516.00,属于三斜晶系,空间群为P1,晶胞参数为a=6.9437(8)Å,b=7.1947(10)Å,c=7.8154(10)Å,α=76.275(7),β=76.688(7),γ=74.100(8),Z=3,V=359.03(8)Å3,其粉末倍频效应达到KDP(KH2PO4)的2倍。采用固相反应法获得二硼酸二铅化合物,再将该化合物采用高温熔液法生长晶体,即可得到二硼酸二铅非线性光学晶体。该晶体生长过程操作简单,生长周期短,并且机械硬度适中,在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

    一种蓝宝石晶体的泡生法生产设备中的加热电极

    公开(公告)号:CN103160919A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201310075657.X

    申请日:2013-03-09

    IPC分类号: C30B17/00 C30B29/20 H05B3/03

    摘要: 本发明公开了一种蓝宝石晶体的泡生法生产设备中的加热电极,每个电极上均设有两个折弯,使其形成三段,即中间段及两个互相平行的侧面段,电极的两端与电极固定座的端面垂直;两个电极固定座均为圆环形,且同轴线分布;电极在与圆环形同心的圆上,交错与两个电极固定座连接,且两个电极固定座与电极连接的端面在圆环形的轴线上错开;每个电极的两端分别与两个电极固定座连接;电极上互相平行的两段的长度不相等。本发明通过电极侧面段长度设置不同,使得每组电极高低交叉,提高了单根发热棒的长度一致性,比设计最长的发热棒与最短的发热捧长度之差减小,提高了每根发热棒发热量的一致性,减少了温度差异。

    硅锭制造用容器及硅锭的制造方法

    公开(公告)号:CN103097291A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201180044508.6

    申请日:2011-09-16

    摘要: 提供一种能够容易地将培养成的硅锭从容器取出、并且能够实现硅锭的成品率的提高的硅锭制造用容器及硅锭的制造方法。在用来使硅熔融液凝固而使硅多结晶生长的上表面开口的有底筒状的硅锭制造用容器中,将该容器的侧壁通过铅直形成的侧面下部、在该侧面下部上相对于铅直方向以规定的锥角θ朝向上表面开口部扩展而倾斜地连接设置的侧面中部、和在该侧面中部上铅直地连接设置的侧面上部构成。将硅原料投入到该硅锭制造用容器中以使硅熔融液的表面位于倾斜部,通过凯罗泡洛斯法一边以极低速将晶种拉起一边使硅多结晶生长。