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公开(公告)号：CN102859051B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180016917.5
申请日：2011-03-11
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： C22C1/02 , C30B11/002 , C30B29/48
摘要： 本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器(6a)内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器(6b)中，并配置在具有加热机构(7)的高压炉(1)内，对高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用加热机构加热外侧容器和内侧容器使其升温，使内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。
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公开(公告)号：CN103140443B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201180048726.7
申请日：2011-10-03
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C01B33/02
摘要： 提供了能够防止硅熔融液漏出至外部并且能够成品率良好地制造具有良好品质的硅锭的硅锭制造用容器。硅锭制造用容器具备由底板和多个侧板构成的以能够分割的方式组装的箱状容器本体、以及形成于该容器本体的内表面的脱模材料，在使硅熔融液凝固而使多晶硅生长时使用，其中，由氮化硅、碳化硅或氧化铝中的任一种所构成的多孔体或两种以上组合的多孔体构成容器本体，由氮化硅构成脱模材料。另外，构成容器本体的多孔体的开口气孔率为10%以上40%以下。由于脱模材料牢固地形成于容器本体的内表面，因而能够有效地防止脱模材料由于伴随硅凝固时的体积膨胀的应力而损坏。
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公开(公告)号：CN103097291B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180044508.6
申请日：2011-09-16
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
摘要： 提供一种能够容易地将培养成的硅锭从容器取出、并且能够实现硅锭的成品率的提高的硅锭制造用容器及硅锭的制造方法。在用来使硅熔融液凝固而使硅多结晶生长的上表面开口的有底筒状的硅锭制造用容器中，将该容器的侧壁通过铅直形成的侧面下部、在该侧面下部上相对于铅直方向以规定的锥角θ朝向上表面开口部扩展而倾斜地连接设置的侧面中部、和在该侧面中部上铅直地连接设置的侧面上部构成。将硅原料投入到该硅锭制造用容器中以使硅熔融液的表面位于倾斜部，通过凯罗泡洛斯法一边以极低速将晶种拉起一边使硅多结晶生长。
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公开(公告)号：CN103124693B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180048725.2
申请日：2011-10-03
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/02 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B38/00 , C04B2111/00939 , C04B2235/72 , C30B11/002 , C30B29/06 , C04B38/0058
摘要： 提供了能够在硅锭制造中重复使用并且能够制造具有良好品质的硅锭的硅锭制造用容器。用于使硅熔融液凝固而使多晶硅生长的硅锭制造用容器为以下构成：在由氮化硅或碳化硅的多孔体构成的容器本体的内表面形成由氮化硅构成的脱模材料。另外，构成容器本体的多孔体的开口气孔率为10%以上40%以下。由于脱模材料牢固地形成于容器本体的内表面，因而能够有效地防止由于伴随硅凝固时的体积膨胀的应力而导致脱模材料损坏。另外，通过使容器的金属杂质浓度为10ppm以下，从而能够预防成为Si单晶生长的妨碍的熔融液面悬浮物SiC的生成。
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公开(公告)号：CN103140443A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180048726.7
申请日：2011-10-03
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C01B33/02
摘要： 提供了能够防止硅熔融液漏出至外部并且能够成品率良好地制造具有良好品质的硅锭的硅锭制造用容器。硅锭制造用容器具备由底板和多个侧板构成的以能够分割的方式组装的箱状容器本体、以及形成于该容器本体的内表面的脱模材料，在使硅熔融液凝固而使多晶硅生长时使用，其中，由氮化硅、碳化硅或氧化铝中的任一种所构成的多孔体或两种以上组合的多孔体构成容器本体，由氮化硅构成脱模材料。另外，构成容器本体的多孔体的开口气孔率为10%以上40%以下。由于脱模材料牢固地形成于容器本体的内表面，因而能够有效地防止脱模材料由于伴随硅凝固时的体积膨胀的应力而损坏。
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公开(公告)号：CN103124693A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180048725.2
申请日：2011-10-03
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/02 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B38/00 , C04B2111/00939 , C04B2235/72 , C30B11/002 , C30B29/06 , C04B38/0058
摘要： 提供了能够在硅锭制造中重复使用并且能够制造具有良好品质的硅锭的硅锭制造用容器。用于使硅熔融液凝固而使多晶硅生长的硅锭制造用容器为以下构成：在由氮化硅或碳化硅的多孔体构成的容器本体的内表面形成由氮化硅构成的脱模材料。另外，构成容器本体的多孔体的开口气孔率为10%以上40%以下。由于脱模材料牢固地形成于容器本体的内表面，因而能够有效地防止由于伴随硅凝固时的体积膨胀的应力而导致脱模材料损坏。另外，通过使容器的金属杂质浓度为10ppm以下，从而能够预防成为Si单晶生长的妨碍的熔融液面悬浮物SiC的生成。
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公开(公告)号：CN103097291A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180044508.6
申请日：2011-09-16
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
摘要： 提供一种能够容易地将培养成的硅锭从容器取出、并且能够实现硅锭的成品率的提高的硅锭制造用容器及硅锭的制造方法。在用来使硅熔融液凝固而使硅多结晶生长的上表面开口的有底筒状的硅锭制造用容器中，将该容器的侧壁通过铅直形成的侧面下部、在该侧面下部上相对于铅直方向以规定的锥角θ朝向上表面开口部扩展而倾斜地连接设置的侧面中部、和在该侧面中部上铅直地连接设置的侧面上部构成。将硅原料投入到该硅锭制造用容器中以使硅熔融液的表面位于倾斜部，通过凯罗泡洛斯法一边以极低速将晶种拉起一边使硅多结晶生长。
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公开(公告)号：CN102859051A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180016917.5
申请日：2011-03-11
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： C22C1/02 , C30B11/002 , C30B29/48
摘要： 本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器(6a)内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器(6b)中，并配置在具有加热机构(7)的高压炉(1)内，对高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用加热机构加热外侧容器和内侧容器使其升温，使内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。
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