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公开(公告)号：CN115849339A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211238590.2
申请日：2022-10-11
申请人： 云南师范大学
摘要： 本发明涉及碳纳米材料技术领域及荧光探针领域，特别是以邻菲罗啉为原料合成的碳量子点制备方法，包括前处理，一步合成及后处理三个过程：邻菲罗啉前驱体经过前处理后，不用与其他化合物配合，可单独制备产量较高的碳量子点。微波一步合成使方法更简单、节能、高效。后处理使得邻菲罗啉基碳量子点纯度更高，表现出更好的荧光特性，并同时存在上转换和下转换发光，使其作为荧光探针，荧光强度与溶液极性呈良好的线性关系，上转换荧光模式R2＝0.9909,下转换荧光模式R2＝0.9374。
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公开(公告)号：CN115655539A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211418312.5
申请日：2022-11-14
申请人： 中北大学
摘要： 本申请涉及传感技术领域，具体提供了一种压阻式压力传感器，该压阻式压力传感器包括硅基层、金属引线。硅基层的一个侧面设置有凹陷结构，凹陷结构的底部形成硅膜片，硅膜片远离凹陷结构一侧的表面上设置有超浅掺杂区，金属引线固定设置于硅基层远离凹陷结构一侧，金属引线至少一端与超浅掺杂区固定接触。超浅掺杂区通过金属引线连接入电回路中。金属引线使用磁控溅射或沉积法制备。超浅掺杂区采用低能量的离子注入工艺制造。凹陷结构采用时分复用法刻蚀技术制备。本发明中超浅掺杂区的掺杂厚度为纳米数量级，这样在微小压力环境中形变量较小的情况下，仍然能够引起较大的电阻值变化，从而实现微小压力的高灵敏探测。
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公开(公告)号：CN117790603B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410043977.5
申请日：2024-01-11
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种在硅基底上制备栅线的方法，包括步骤：确定区域、表面处理、光刻和显影、金属沉积、去除光刻胶等步骤。其中，在确定区域步骤中，确定核心区域和非核心区域；在表面处理步骤中，处理硅基底的表面，使得核心区域的润湿性低、非核心区域的润湿性高。在甩胶时，核心区域的胶厚，非核心区域的胶薄。光刻等一些列操作后，在核心区域形成高分辨率的栅线，在非核心区域形成较低分辨率的栅线，满足了实际需求，但是减少了光刻胶的用量，节约了成本，在太阳电池技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118818863A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410810548.6
申请日：2024-06-21
申请人： 西北大学
摘要： 本申请涉及二维材料领域，具体提供了一种二维范德瓦尔斯异质结及其制备方法、应用。异质结包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和所述第二材料层之间通过范德瓦尔斯力相互作用；第一材料层为饱和吸收材料，第二材料层为反饱和吸收材料。制备时，先在基底上制备第二材料层，然后在所述第二材料层上制备第一材料层；第一材料层和第二材料层利用物理气相沉积、化学气相沉积、液相剥离、磁控溅射中的一种制备。本申请公开的异质结可用于全光二极管。异质结包括饱和吸收和反饱和吸收材料；激光照射时同时存在非线性吸收的非互易性和异质结界面电荷转移效应，使得非互易因子F和透过率对称性S增大，从而本申请异质结用于全光二极管时的性能较好。
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公开(公告)号：CN118772886A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410970264.3
申请日：2024-07-19
申请人： 云南民族大学
摘要： 本发明涉及发光材料合成技术领域，公开了一种蓝光激发的Mn4+掺杂的氟钇酸盐红色荧光粉及其制备方法，红色荧光粉材料的化学组成为Cs2RbY1‑xF6:xMn4+，x为Mn4+掺杂离子相对于Y3+离子所占的摩尔百分比系数，为0.3%≤x≤1.5%。本发明所述的蓝光激发波长为450~480 nm，本发明所涉及的红色荧光材料在蓝光激发可以得到一系列窄带发射峰，其中628 nm左右的v6峰强度最高。本发明所涉及的红色荧光材料的制备方法是铵盐辅助合成的低温固相法，在70~120℃下进行，工艺简单、成本低、能耗小、没有使用有害物质HF，非常适用于大规模工业化的生产。
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公开(公告)号：CN118655191A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411126693.9
申请日：2024-08-16
申请人： 电子科技大学中山学院
摘要： 本申请涉及气体探测技术领域，具体涉及一种光辅助硒化铋拓扑绝缘体材料二氧化氮传感装置，包括基底、叉指电极、硒化铋拓扑绝缘体材料层。叉指电极置于基底上，硒化铋拓扑绝缘体材料层覆盖叉指电极。本发明的光辅助硒化铋拓扑绝缘材料二氧化氮传感装置还包括紫外光源，紫外光源发出紫外光，紫外光照射硒化铋拓扑绝缘体材料层。本发明通过紫外光辅助，硒化铋材料层的光生电子和空穴增加了表面活性位点，显著提高了NO2分子的吸附能力；尺寸不均匀的TiO2纳米颗粒进一步增强了光吸收和气体吸附，优化了检测灵敏度，在气体探测技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118655103A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410947802.7
申请日：2024-07-16
申请人： 西安邮电大学
摘要： 本申请涉及光谱系统设计领域，具体提供了一种基于金属反射光学元件的宽谱激光显微系统，包括激光出射模块、光斑调节模块、分光模块、成像模块，成像模块包括可见光光源、物镜、图像传感器，光斑调控模块包括反射式扩束器和反射镜，物镜和图像传感器设置于分光模块的两侧，可见光光源固定设置于物镜的外侧，可见光光源发出的可见光照射在样品上，样品设置于物镜远离分光模块一侧，样品反射的可见光先后透射过物镜和分光模块，到达图像传感器，激光出射模块射出的激光进入光斑调节模块，经过反射式扩束器和反射镜反射，经过光斑调节模块出射的激光照射在分光模块上，经过分光模块反射，进入物镜，聚焦到样品上。反射式设计使得激发光光谱范围较宽。
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公开(公告)号：CN118393759A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410517271.8
申请日：2024-04-28
申请人： 西南大学
摘要： 本申请涉及硅基电光调制器技术领域，具体涉及一种覆盖层辅助调制的硅基电光调制器，本发明应用覆盖层辅助调制，覆盖层置于硅基脊波导的顶部，覆盖层为电光晶体，第一电极置于n型掺杂区上，第二电极置于所述p型掺杂区上，当电场从第一电极指向第二电极时，电光晶体的折射率减小。本发明通过结合硅基脊波导的载流子浓度调制和电光晶体的折射率调制，实现了更大的调制深度。在施加反向偏压时，耗尽区的扩大降低了载流子浓度，从而增加了硅波导的折射率。同时，电光晶体的折射率在电场作用下降低，这样的组合导致硅基脊波导相对于周围环境的折射率变化更加显著，从而有效增强了光的限制和调制效果。
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公开(公告)号：CN118306979A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410452165.6
申请日：2024-04-16
申请人： 云南师范大学
摘要： 本申请涉及碳点制备和应用技术领域，具体涉及一种以红蓝草为原料制备碳点的方法及应用。制备碳点的方法包括以下步骤：步骤1、将红蓝草置于坩埚中，搅拌混合均匀；步骤2、将坩埚中的红蓝草放入烘箱内，加热；步骤3、关闭烘箱，自然冷却至室温，取出坩埚；步骤4、向坩埚内加入蒸馏水，在加入过程中不断搅拌；步骤5、静置后取上清液，对上清液离心分离；步骤6、取上层清液，过滤纯化；步骤7、使用透析袋对纯化后的样品进行透析，在透析袋中获得碳点。本发明的制备方法简单，原料来源于红蓝草生物质材料，所制成的碳点属生物质碳点，原料易得，成本低，制备方法简单，在碳点应用技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118150648A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410211706.6
申请日：2024-02-27
申请人： 电子科技大学中山学院
摘要： 本申请涉及污染物探测领域，具体提供了一种除湿半导体气体分子污染物探测装置，该探测装置包括外壳，外壳至少一侧敞口，外壳的内壁上固定设置有基底，基底的另一侧固定设置有探测半导体，制冷半导体固定设置于外壳的内壁上，制冷半导体的冷却面与外壳内壁形成进气通道，制冷半导体的加热面与探测半导体形成出气通道，进气通道与出气通道连通。本申请探测装置中设置有制冷半导体，在制冷半导体的冷却面气态的水分子冷凝为液态，附着在制冷半导体的冷却面，从而通过的气流中的水分子含量大幅度减少，起到去除水分的作用。探测过程中去除了水分子，减小了水分子对探测半导体的影响，因此，本申请探测装置的探测灵敏度和稳定性较好。
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