不包含氟的蚀刻液组合物
    86.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110273156B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201910192762.9

    申请日:2019-03-14

    Abstract: 本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物,所述蚀刻液组合物包含:过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水,还包含钼铜蚀刻液组合物,所述钼铜蚀刻液组合物还包含:过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。

    金属线蚀刻液组合物
    88.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108203830B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN201711347546.4

    申请日:2017-12-15

    Inventor: 具炳秀 朴民奎

    Abstract: 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物,包括:氧化剂;二元醇化合物;不包含氨基的唑类化合物;及水。

Patent Agency Ranking