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公开(公告)号：CN118155210A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410559225.4
申请日：2024-05-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06V30/14 , G06V30/146 , G06V30/148 , G06V30/16 , G06V30/166 , G06V30/18 , G06V30/19 , G06V30/22
Abstract: 本发明涉及文字处理的技术领域，公开了一种基于机器学习的文字处理功能测试系统及方法，包括用于采集文字图像信息的文字图像信息采集模块，用于对文字图像信息进行处理、分割和将分割后的文字图像信息进行汇总的文字图像信息处理模块，用于文字形状分类和文字结构分类的文字识别模块，用于对文字图像进行空间分布识别和对文字笔画进行分类的文字特征提取模块，用于文字处理功能测试和优化文字处理算法模型的机器学习模块，用于建立文字处理能力评估指标和不断优化算法的性能评估与更新模块，减少人工干预，提高效率和准确性。实现了文字信息处理智能化和自动化。
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公开(公告)号：CN118153292A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410206801.7
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F111/06
Abstract: 本申请涉及一种产品可靠度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取产品中每个组成部分各自的可靠度范围；产品存在至少一个目标组成部分，目标组成部分的可靠度范围中最大可靠度，大于产品中目标组成部分具有的可靠度；多次从每个组成部分各自的可靠度范围中分别选取一个可靠度，得到多个可靠度集合；基于多个可靠度集合进行至少一次进化，获得至少一次进化所生成的多个候选可靠度集合；确定每个候选可靠度集合分别对应的集合评估值，基于集合评估值从多个候选可靠度集合中，选取用于对产品进行改进的目标可靠度集合。采用本方法能够根据目标可靠度集合对产品进行改进，提高产品改进的合理性。
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公开(公告)号：CN118132451A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410559224.X
申请日：2024-05-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及计算机系统错误诊断的技术领域，公开了一种计算机操作系统自动化测试及错误诊断系统及方法，包括用于检测计算机启动运行环境的运行环境检测模块，用于对计算机系统异常进行异常诊断的错误诊断模块，用于接收计算机系统异常信息并实时评估和优化异常诊断模型的学习与优化模块，用于生成异常处理策略并进行自动化测试的自动化测试策略模块，用于执行异常处理策略的测试策略执行模块，用于生成直观的测试报告的可视化报告与反馈模块，实现了计算机系统自动化测试、异常的诊断和处理异常的智能化，提高了计算机系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN118130995A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410387704.2
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种双极退化试验电路和双极退化试验方法。所述双极退化试验电路包括：测试电路、第一驱动电路、第二驱动电路和监测电路。测试电路包括辅助电阻和至少一个待测SiC MOSFET，第一驱动电路用于在各待测SiC MOSFET处于截止状态的情况下，为各待测SiC MOSFET提供第一脉冲电信号，以控制对各待测SiC MOSFET施加电流应力；第二驱动电路用于在各待测SiC MOSFET处于导通状态的情况下，为各待测SiC MOSFET提供第二脉冲电信号；监测电路用于获取各待测SiC MOSFET在第一脉冲电信号下的第一退化参数和各待测SiC MOSFET在所述第二脉冲电信号下的第二退化参数。该双极退化试验电路同时监测多个SiC MOSFET器件的退化参数。
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公开(公告)号：CN118091272A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311858284.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00 , G01R19/00 , G06F18/241 , G06F18/214 , G06F18/213 , G06F18/25
Abstract: 本申请涉及一种老化程度识别方法、装置、计算机设备、存储介质。所述方法包括：获取逆变器中单管的电压数据；从电压数据中提取瞬时频率和瞬时幅值，得到输入特征；通过预设双流神经网络提取输入特征对应的第一中间特征和第二中间特征；对第一中间特征和第二中间特征进行融合，得到目标特征；根据目标特征进行老化程度识别，得到逆变器中单管的老化程度识别结果。采用本方法能够在抓取显著特征的同时扩充数据维度，提升输入特征的丰富程度；通过预设双流神经网络提取不同尺度的特征，提升特征提取网络的鲁棒性，避免过于依赖单一维度特征造成的识别错误，实现对电压数据中重要特征进行充分提取，进而提升了逆变器中单管老化程度识别的精确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118069505A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410164934.2
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种神经网络模型安全性评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：获取神经网络模型运行过程中的电磁轨迹信息和标准参数；根据电磁轨迹信息对神经网络模型进行恢复，确定神经网络模型的恢复参数；将恢复参数与标准参数进行比对，确定神经网络模型的安全性评估结果，采用本方法能够降低神经网络模型安全性评估成本。
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公开(公告)号：CN118033502A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410158474.2
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及磁场探测技术领域，特别是涉及一种磁场测量探头和系统。磁场测量探头包括目标测量线圈和测量增强电路；目标测量线圈与增强电路连接；目标测量线圈，用于探测干扰源的第一磁场信号和第二磁场信号；测量增强电路，用于配合目标测量线圈探测干扰源的第一磁场信号和第二磁场信号；其中，第一磁场信号用于生成干扰源的电场分量；第二磁场信号用于生成干扰源的磁场分量。本申请相比起现有技术中控制磁场测量探头进行多次测量，实现分别获取干扰源的电场分量和磁场分量的过程，能够有效的提高获取电场分量和磁场分量的效率，防止在对干扰源进行多次测量时引入机械位置误差，从而导致测量结果出现偏差。
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公开(公告)号：CN118033498A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410156445.2
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种磁场测量探头、方法、装置和系统。属于磁场探测技术领域，所述方法包括：包括第一探测电路、第二探测电路和连接器；第一探测电路包括第一差分环路和第一寄生环路。第二探测电路包括第二差分环路和第二寄生环路。其中，第一探测电路用于探测干扰源发射的第一磁场信号；第二探测电路用于探测干扰源发射的第二磁场信号。通过连接器，将第一磁场信号和第二磁场信号传输至外部设备，以供外部设备根据第一磁场信号和第二磁场信号确定干扰源的磁场信息。本申请的磁场测量探头基于第一探测电路和第二探测电路有效提升了干扰源探测时的磁场测量灵敏度和测量精度。
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公开(公告)号：CN117993220A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410305623.3
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种融合加速寿命及加速退化的产品综合试验方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：对待评估产品的组成部件进行失效模式分析，将所述组成部件划分为突发型失效部件和退化型失效部件；对所述突发型失效部件进行加速寿命试验，确定所述突发型失效部件的第一累积失效概率函数；对所述退化型失效部件进行加速退化试验，确定所述退化型失效部件的第二累积失效概率函数；根据所述第一累积失效概率函数和所述第二累积失效概率函数，确定所述待评估产品的可靠性。采用上述方法，可以提高可靠性评估结果的准确性。
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公开(公告)号：CN117991328A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410214788.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明提供了一种宽能谱中子位移损伤强度的确定装置及方法，该装置包括：测量电路、控制模块；测量电路包括硅三极管、源表；硅三极管和源表连接；源表与控制模块连接；通过宽能谱中子源向硅三极管进行宽能谱中子辐照；在达到各预设宽能谱中子注量时向源表发送测量指令；以使源表向硅三极管的发射极和集电极施加偏置电压、基极施加预设电流；在施加完成后测量硅三极管的集电极电流；根据各集电极电流、预设电流，确定宽能谱中子注量与硅三极管的放大系数的倒数变化量之间的系数；根据该系数，计算待确定半导体器件的宽能谱中子位移损伤强度。能够避免通过测量中子能谱数据来计算此种宽能谱中子的位移损伤。
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