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公开(公告)号：CN104122012B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410247676.0
申请日：2014-06-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 一种多晶硅薄膜残余应力的测试结构及其测试方法，包括硅衬底，硅衬底上设二氧化硅层和氮化硅层，氮化硅层上设东南西北向偏转结构，东西镜面对称，南北镜面对称，东南西北向偏转结构采用偏转结构，偏转结构包括指针梁，在指针梁上垂直连接有驱动梁，指针梁及驱动梁分别连接于设在氮化硅层上的第一和第二锚区，东西向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，南北向偏转结构中的指针梁在同一条直线上，东西向偏转结构中的指针梁与南北向偏转结构中的指针梁相垂直，各个偏转结构的指针梁及驱动梁连接于设在氮化硅层上的PSG牺牲层，当PSG牺牲层被释放后，测得东北向偏转结构中的指针梁的夹角及西南向偏转结构中的指针梁的夹角，计算残余应力σ。
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公开(公告)号：CN103245579B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310184389.5
申请日：2013-05-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测试结构，包括：由绝缘衬底上的硅材料中的硅衬底形成的衬底，在衬底上设有由绝缘衬底上的硅材料中的绝缘层形成的第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区，在第一绝缘区、第二绝缘区、第三绝缘区及第四绝缘区上分别设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的第一锚区、检测电极、第二锚区及激励电极，在检测电极与激励电极之间设有由绝缘衬底上的硅材料中的顶硅层形成的谐振梁，谐振梁的一端连接于第一锚区，谐振梁的另一端连接于第二锚区，所述谐振梁立于衬底的上方且受激励电极的激励产生面内横向谐振。本发明能够提高绝缘衬底上的硅材料顶硅层杨氏模量的测量准确性。
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公开(公告)号：CN104034604B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410243543.6
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种绝缘衬底上薄膜硅材料残余应力的测试结构及方法，其测试结构由两组结构构成。其中第一组由一个多晶硅悬臂梁、一个薄膜硅双端固支梁、一个由薄膜硅制作的垫板组成；第二组由一个多晶硅悬臂梁和一个由薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅残余应力的单元是薄膜硅双端固支梁，而两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅双端固支梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅双端固支梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅双端固支梁达到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度、杨氏模量和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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公开(公告)号：CN104568606A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510010411.3
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明提出了一种绝缘衬底上厚膜硅材料杨氏模量测试结构，用于测量绝缘衬底上厚膜硅材料的杨氏模量。测试结构由三部分组成：相对型电热驱动单元；带测微游标的止挡单元；静电驱动的悬臂梁单元。相对型电热驱动单元和带测微游标的止挡单元垂直连接。利用静电力驱动悬臂梁做面内的横向弯曲运动。止挡结构用于控制弯曲量，并用于防止出现吸合而产生的测量不稳定问题。止挡结构的移动由热膨胀驱动结构实现，止挡结构的移动量由游标进行测量。为防止工艺误差导致的位置测不准问题，采用两次测位的方式进行，即第一次热驱动止挡结构接触到悬臂梁，读出游标位置，然后减小驱动电流产生微小的间隙，由游标记录这种间隙即最终的弯曲挠度。
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公开(公告)号：CN102897704B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210394906.7
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种静电力调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括静电驱动齿、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、第一锚区和绝缘衬底，第一锚区固定连接在绝缘衬底上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、四个沿横向弯折的第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、四个沿横向弯折的第二折叠梁；静电驱动齿包括梳齿和第三锚区，右移梳齿、梳齿和左移梳齿依次交替布置；动齿包括质量块、动齿梳齿、第二锚区和沿纵向弯曲的第三折叠梁，且右移梳齿、动齿梳齿和左移梳齿依次交替布置，第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在静电力的驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102701146B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210177975.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: B81C99/00
Abstract: 本发明公开了一种磷硅玻璃和多晶硅厚度的在线同步测试装置，包括绝缘衬底和三个测试单元，每个测试单元包括磷硅玻璃层和四探针多晶硅电阻测试桥，磷硅玻璃层固定于绝缘衬底顶面；磷硅玻璃层被刻蚀成相互平行的凹槽，在凹槽间形成台阶；多晶硅电阻条爬越磷硅玻璃层上的台阶；第一测试单元中，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴方向平行；第二测试单元和第三测试单元中，四探针多晶硅电阻测试桥的数量均为两个，多晶硅电阻条与笛卡尔坐标系的X轴之间分别形成β1夹角和β2夹角。该在线同步测试装置利用多晶硅爬越由磷硅玻璃制造的多个台阶，通过对三组五个多晶硅电阻的测试，进而实现磷硅玻璃和多晶硅厚度的测试。
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公开(公告)号：CN104034583A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243090.7
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料泊松比的测试结构及方法，测试结构中，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的对称十字梁(103)；第二组结构是第一组结构去除对称十字梁后的剩余结构；对称十字梁由第二锚区(103-2)、第三锚区(103-3)、水平短梁(103-4)、上半竖直长梁(103-1)以及下半竖直长梁(103-5)组成，将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的泊松比测试结构分开，通过几何参数设计控制泊松比测试结构的测试扭转角，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出泊松比测试结构所受到的力，利用力和扭转角计算得到待测薄膜材料的泊松比。
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公开(公告)号：CN103995022A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410247627.7
申请日：2014-06-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力的测试结构及测试方法，结构包括SOI硅片，SOI硅片包括底层硅材料，底层硅材料上有第一、第二锚区绝缘介质层和电极绝缘介质层，其上分别有第一锚区、第二锚区和电极，底层硅材料上方有双端固支梁，双端固支梁与电极相对。方法：把待测的具有硅材料顶层硅杨氏模量和残余应力测试结构的样片放在半导体分析仪的探针台上，在电极与第一锚区或第二锚区之间施加电压，电压从0.0V开始，步长为0.1V，当双端固支梁被静电引力突然拉到固定电极上时，半导体分析仪会停止增加电压，记录下该吸合电压；测出两组不同长度的双端固支梁的吸合电压，计算出绝缘衬底上的硅材料顶层硅的杨氏模量和残余应力。
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公开(公告)号：CN102590282B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210007367.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法，对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本发明的测试方法简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN102565143B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210003497.3
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/34 , G01L5/0047
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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